前述文章，LLC電路的諧振工作模態(tài)淺析 ，詳細(xì)分析了LLC電路在諧振狀態(tài)下的典型波形和工作過(guò)程，但是實(shí)際運(yùn)行中由于輸入電壓或者輸出電壓的變化使得LLC電路不一定運(yùn)行于諧振狀態(tài)，本文簡(jiǎn)要分析一下其它的一些工作狀態(tài)。

一.LLC的欠諧振工作狀態(tài)

欠諧振，顧名思義，就是工作頻率低于諧振頻率，這種狀態(tài)下的工作情況本質(zhì)和諧振狀態(tài)是一樣的，但是它的一些特殊區(qū)別會(huì)影響到副邊開(kāi)關(guān)的行為。

在欠諧振狀態(tài)下，由于工作周期會(huì)比諧振周期長(zhǎng)，那么諧振腔電流的基波周期會(huì)比LLC的半周期短一些，在半周期結(jié)束之前就使得諧振電流達(dá)到了磁化電流，之后的一些時(shí)間（下一個(gè)半周期之前）內(nèi)原邊諧振腔保持為磁化電流。

圖1 LLC諧振狀態(tài)的波形

我們回顧一下前面討論過(guò)的典型諧振狀態(tài)，從LLC典型諧振狀態(tài)的波形來(lái)看，當(dāng)半周期結(jié)束時(shí)，原邊諧振腔電路的電流正好等于磁化電流，如圖1C的波形，這種狀態(tài)下諧振周期基本等于開(kāi)關(guān)周期。

圖2 LLC欠諧振狀態(tài)的波形

而從欠諧振狀態(tài)的波形來(lái)看，由于諧振周期短于工作周期，所以在半周期結(jié)束前LLC的諧振腔電流就變?yōu)榱舜呕娏?，如圖2的C波形所示，對(duì)于副邊使用二極管整流的拓?fù)鋪?lái)說(shuō)，由于二極管只能單向?qū)娏?，所以，?dāng)副邊電流過(guò)零時(shí)，二極管會(huì)自動(dòng)關(guān)斷，如圖2的D和E所示，而相應(yīng)的，如果副邊采用同步整流拓?fù)?，則設(shè)計(jì)者可以通過(guò)對(duì)驅(qū)動(dòng)波形的控制，在電流過(guò)零點(diǎn)關(guān)斷同步整流mosfet開(kāi)關(guān)，這其中涉及到多種電流采樣技術(shù)，此處我們不做太多討論。

二.LLC的過(guò)諧振狀態(tài)

LLC的過(guò)諧振狀態(tài)，顧名思義，就是說(shuō)工作頻率大于諧振頻率，相應(yīng)的工作周期小于諧振周期。過(guò)諧振的一些運(yùn)行行為和欠諧振相反。由于諧振周期大于開(kāi)關(guān)周期，所以，在LLC的半周期末，諧振腔電流會(huì)大于磁化電流，而在接下來(lái)的死區(qū)時(shí)間內(nèi)，腔電流會(huì)快速降低為磁化電流，進(jìn)而開(kāi)始新的半周期。

圖3 LLC過(guò)諧振狀態(tài)的波形

當(dāng)過(guò)諧振時(shí)，由于諧振周期大于工作周期，所以原邊的主開(kāi)關(guān)和副邊的同步整流開(kāi)關(guān)可以同步運(yùn)行，控制上相對(duì)簡(jiǎn)單。

所以，總的來(lái)說(shuō)，副邊同步整流開(kāi)關(guān)的控制方式取決于開(kāi)關(guān)頻率和諧振頻率的關(guān)系，在軟件上這是相對(duì)容易實(shí)現(xiàn)的。

從圖3的過(guò)諧振典型波形上看，LLC諧振腔電流在半周期結(jié)束前大于磁化電流，如C波形所示。

三.副邊同步整流的簡(jiǎn)單討論

LLC的副邊拓?fù)洳捎猛秸鲿?huì)比二極管整流得到較小的損耗，提高效率。當(dāng)采用二極管整流時(shí)，二極管上的損耗如圖4所示。它由二極管的正向壓降損耗和正向電阻損耗兩部分組成。

圖4 二極管損耗的表達(dá)式

圖5 同步整流mosfet損耗表達(dá)式

在副邊更換為同步整流開(kāi)關(guān)后，其損耗主要是導(dǎo)通損耗，如圖5所示，這會(huì)大大減小副邊損耗，提高效率。

副邊整流輸出一般有兩種拓?fù)湫问娇梢赃x擇，全波二極管整流或者全波中心抽頭整流，后者適用于低壓大電流場(chǎng)合，前者適用于高壓小電流場(chǎng)合。在副邊使用中心抽頭整流時(shí)，一般會(huì)將中心抽頭接到副邊地，變壓器兩端接副邊整流mosfet的漏極，其源極都是接地的，這樣的好處是容易驅(qū)動(dòng)這樣的低邊mosfet，而不需要自舉電路。對(duì)于mosfet的驅(qū)動(dòng)時(shí)序要求，我們?cè)谇皟刹糠种幸呀?jīng)說(shuō)明，此處不做討論。

總結(jié)，簡(jiǎn)要分析LLC電路的欠諧振和過(guò)諧振狀態(tài)，分析其工作模式的基本特點(diǎn)和副邊mosfet驅(qū)動(dòng)要求，為后續(xù)的分析做出鋪墊。