DRAM廠代工訂單銳減　產(chǎn)能利用率低于50%

DRAM價(jià)格流血不止，DRAM廠12寸晶圓廠生產(chǎn)和銷(xiāo)售DRAM芯片處于慘賠的狀態(tài)，然南亞科的8寸晶圓廠和力晶分割8寸晶圓廠所成立的鉅晶電子，目前產(chǎn)能利用率不到50%，而茂德的8寸晶圓廠則將在年底前關(guān)閉，目前臺(tái)系3家DRAM廠是

迎戰(zhàn)臺(tái)積電 聯(lián)電展示28nm制程

臺(tái)灣代工廠商聯(lián)電（UMC）展示了28nm制程的SRAM芯片，為推出28nm制程奠定基礎(chǔ)。該技術(shù)既支持高k金屬柵也支持二氧化硅制程。 UMC在300mm晶圓廠中進(jìn)行28nm制程的研發(fā)，晶體管密度是40nm制程的兩倍。在28nm平臺(tái)上，UMC也

歐德寧：英特爾可以應(yīng)對(duì)目前的金融危機(jī)

英特爾總裁兼CEO歐德寧28日訪華，第一站前往正在建設(shè)中的英特爾大連工廠。在英特爾公司與大連市人民政府聯(lián)合發(fā)布會(huì)上，英特爾總裁兼CEO歐德寧表示，英特爾早在2006年即已重組，可以應(yīng)對(duì)目前的金融危機(jī)。 歐德寧稱，

歐德寧：未來(lái)英特爾芯片將出現(xiàn)在手機(jī)和消費(fèi)電子終端

英特爾總裁兼CEO歐德寧28日訪華，第一站即前往正在建設(shè)中的英特爾大連工廠。在英特爾公司與大連市人民政府聯(lián)合發(fā)布會(huì)上，歐德寧接受采訪，他表示未來(lái)英特爾芯片將出現(xiàn)在手機(jī)和消費(fèi)電子終端。 歐德寧在英特爾第三季度

世紀(jì)晶源化合物半導(dǎo)體首期芯片廠投產(chǎn)

有著香港在深圳最大投資項(xiàng)目之稱的世紀(jì)晶源科技有限公司暨深圳化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地,昨日舉行世紀(jì)晶源首期芯片廠投產(chǎn)慶典。據(jù)悉,該廠占地12000平方米,為目前化合物半導(dǎo)體全球單體最大芯片廠,產(chǎn)品屬于光電產(chǎn)業(yè)鏈中的高

CADEKA 發(fā)布業(yè)界最低噪聲——0.60nV/√Hz——高速放大器

LOVELAND, COLORADO — 2008年10月15日 — CADEKA 發(fā)布了CLC1001與CLC1002兩款具有當(dāng)今市場(chǎng)上最低寬帶噪聲的高速放大器產(chǎn)品。0.60nV/√Hz 的輸入電壓噪聲，比同檔次產(chǎn)品中最接近的對(duì)手還低30%。 除了

中芯國(guó)際65nm實(shí)現(xiàn)量產(chǎn) 45nm研發(fā)進(jìn)展順利

10月27日于北京舉行的中芯國(guó)際技術(shù)研討會(huì)傳出消息，中芯國(guó)際的65nm邏輯Low-Leakage工藝已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，明年第3－4季度，45nm工藝將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。在剛剛結(jié)束的08財(cái)年第3季度，中芯國(guó)際來(lái)自國(guó)內(nèi)IC設(shè)計(jì)公司的銷(xiāo)售額較上季度增

芯片制造業(yè)遭遇寒冬 硅片供應(yīng)商Sumco業(yè)績(jī)受損

全球第二大硅片生產(chǎn)商日本Sumco公司日前表示，9月份需求突然大幅下降，目前該公司預(yù)計(jì)，與就在7周前發(fā)布的預(yù)期相比，今年的利潤(rùn)將下降45%。 Sumco稱，“金融市場(chǎng)帶來(lái)的影響是不確定性、公司客戶的利潤(rùn)不斷下降、資

2線總線上升時(shí)間加速電路

多通道D／A轉(zhuǎn)換器LTC2704-16及其應(yīng)用

IMS：工業(yè)用驅(qū)動(dòng)芯片實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng)

根據(jù)IMS的研究報(bào)告，工業(yè)用驅(qū)動(dòng)芯片將成為半導(dǎo)體和元件中的最強(qiáng)勁市場(chǎng)。該市場(chǎng)將從2007年的25億美元增長(zhǎng)到2011年的30億美元之多。 驅(qū)動(dòng)芯片出貨量的增長(zhǎng)要高于驅(qū)動(dòng)芯片的半導(dǎo)體價(jià)值增長(zhǎng)。持續(xù)較高的能源價(jià)格使得很

Sematech稱2010年推出450mm試用設(shè)備

芯片制造協(xié)會(huì)Sematech計(jì)劃于2010年前推出32nm制程的450mm晶圓試用設(shè)備，2012年推出22nm制程的450mm晶圓“試水線”。 Sematech沒(méi)有透露450mm晶圓廠何時(shí)可以投產(chǎn)。據(jù)報(bào)道，英特爾、臺(tái)積電和三星分別表示2012年左右推

中芯國(guó)際0.11微米CIS工進(jìn)入試產(chǎn)

雖然全球宏觀經(jīng)濟(jì)不景氣，中芯國(guó)際正借開(kāi)發(fā)新技術(shù)芯片彌補(bǔ)損失，以期實(shí)現(xiàn)第3季度營(yíng)收增長(zhǎng)5-8%。 中芯國(guó)際日前宣布，已成功開(kāi)發(fā)0.11微米CMOS圖像感測(cè)器(CIS)工藝技術(shù)，并已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)入試生產(chǎn)階段，未來(lái)幾個(gè)月后也將

一款高效率的線性穩(wěn)壓器

引言為了滿足穩(wěn)定性及啟動(dòng)時(shí)大的浪涌電流要求，對(duì)穩(wěn)壓器的壓降有嚴(yán)格的限制，而且還需配備體積較大、效率較低的輸出電容，因此多年來(lái)，在較高電流（超過(guò) 1A）的低輸出電壓應(yīng)用中使用線性穩(wěn)壓器一直都是個(gè)難題，現(xiàn)在可

18位高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器FS511的原理和應(yīng)用