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采用業(yè)界最小的運算放大器設計麥克風電路
語音指令是許多應用中的一種流行功能，也是讓產品具備差異化市場競爭力的優(yōu)勢之一。麥克風是任何基于語音或語音的系統(tǒng)不可缺少的主要組成部分，而駐極體麥克風憑借體積小、低成本和高性能的特點成為了此類應用的常見選擇。
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世強代理菲沃泰 后者擁有可替代傳統(tǒng)三防漆的多功能納米防護技術
今年，我國知名半導體元件分銷商世強動作不斷，產品線快速拓展，今年先后簽約下世界先進的精密微阻值電阻制造廠商ISA、鋁電解電容器的頂級制造商NIPPON CHEMI-CON、全球最知名的半導體廠商之一ROHM、全球最大的電氣線纜線束系統(tǒng)制造商之一的LEONI等十余條產品線。
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國產GaN研發(fā)取得突破進展，本月底試產，明年正式量產！
陳鈺林透露，國產GaN研發(fā)取得突破進展，100V、150V、650V三個GaN新品將于2018年12月底試產，2019年正式量產。目前，英諾賽科已有5個產品(40V、60V、100V等)實現(xiàn)小批量生產并有接到訂單，這些產品均采用了目前行業(yè)領先的8寸Fab產線制造。
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8吋晶圓訂單依舊滿載，需求勝于12吋！
8吋半導體矽晶圓大廠合晶指出，8吋訂單依舊滿載，不過6吋的需求有轉趨疲弱的跡象，稼動率有松動的情況。據悉，8吋重摻半導體矽晶圓明年上半年將延續(xù)漲勢，漲幅可望達到10%以上，而明年上半年整體的8吋矽晶圓的漲幅約落在高個位數附近。
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貿澤開售TI LMG3410R070 GaN功率級產品 支持新型電動機的高密度需求
貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Texas Instruments (TI)的LMG3410R070 600 V 70 mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級產品。
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鴻海旗下臺揚已將1條產線移回臺灣，看貿易戰(zhàn)情況再進一步調整！
盡管貿易戰(zhàn)戰(zhàn)火稍歇，但是現(xiàn)在已先行將其中1條產線移回臺灣，并讓客戶進行廠區(qū)認證，若是最后25%的關稅政策仍將實施，公司就會進一步進行產能調整。
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大硅片已通過中芯國際認證?上海新昇回應：確實是這樣的！
有人問如何解決上海新昇第2、3期的投資支出，擔心上海新陽在上海新昇的股權比例會進一步稀釋。對此，上海新陽表示，上海新昇第2、3期的投資采用什么方式、何時投資尚在討論溝通中，就上海新陽而言，任何的決定都會考慮有利于上海新昇的發(fā)展。
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AspenCore全球電子成就獎: CeraCharge 和PowerHap 榮獲年度產品大獎
TDK株式會社近日宣布CeraCharge™和PowerHap™榮獲ASPENCORE 2018 年“年度高性能無源器件獎”。這是TDK電子(前身EPCOS)在中國的公司首次獲得AspenCore全球電子成就獎 (WEAA)。WEAA旨在評選并表彰對推動全球電子產業(yè)創(chuàng)新做出杰出貢獻的企業(yè)。
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復旦大學首次觀測到三維量子霍爾效應
復旦大學物理學系修發(fā)賢課題組在拓撲半金屬砷化鎘納米片中觀測到了由外爾軌道形成的新型三維量子霍爾效應的直接證據，邁出了從二維到三維的關鍵一步。
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MOSFET缺貨漲價泡湯？晶圓代工廠透露：12月接單有壓力
據報道，金氧半場效電晶體(MOSFET)市場出現(xiàn)雜音，有晶圓代工廠透露，客戶需求轉趨觀望，12月訂單調整幅度比往年大，接單感受到壓力。
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意法半導體高效超結MOSFET瞄準節(jié)能型功率轉換拓撲
意法半導體推出MDmesh™系列600V超結晶體管，該產品針對提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉換器拓撲能效而設計。
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傳統(tǒng)淡季與中美貿易戰(zhàn)共同影響，被動器件短期市場不樂觀
雖然短期市場需求疲弱，前景不明，被動器件業(yè)者預期，客戶端庫存消化一段時間后就會再拉貨，且中長期的產業(yè)結構大致仍未改變，車用產品供需依然短缺。
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晶門科技PMOLED TDDI芯片 于2018「香港工業(yè)獎」及「工程技術學會創(chuàng)新獎」奪得殊榮
晶門科技有限公司(「晶門科技」)最新推出的全球首顆用于PMOLED(被動矩陣有機發(fā)光二極管)面板的觸控與顯示驅動器集成(TDDI)芯片SSD7317，榮獲今年的香港工商業(yè)獎 - 科技成就獎。
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支持1.8V低電壓和4.0A大電流，東芝推出雙H橋驅動器IC
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今天宣布，面向直流有刷電機和步進電機推出雙H橋[1]驅動器IC系列的新產品“TC78H653FTG”，該新品可提供移動設備、家用電子產品及USB驅動器等干電池供電設備所需的低電壓(1.8V)和大電流(4.0A)[2]。
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未來十年氮化鎵市場規(guī)模有望突破10億美元
雖然目前市面上的應用主要以硅基器件為主，但在一些高功率、高電壓應用中，硅基器件有些捉襟見肘，而氮化鎵和碳化硅卻能很好地滿足這些應用場景。這主要是因為，他們屬于寬禁帶半導體材料，與硅等傳統(tǒng)的半導體材料相比，具有更寬的帶隙。其中硅的帶隙是1.1電子伏特，氮化鎵是3.4電子伏特。
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