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世強(qiáng)與光頡科技（Viking）簽約，豐富薄膜電阻、厚膜電阻、柱狀電阻、晶元電阻等產(chǎn)品

近日，世強(qiáng)與光頡科技(Viking)簽訂代理協(xié)議，豐富了薄膜電阻、厚膜電阻、柱狀電阻、晶元電阻、電流感應(yīng)電阻、電感、電容等產(chǎn)品。此后，世強(qiáng)及世強(qiáng)元件電商可提供光頡科技的元件采購(gòu)，保障100%正品、現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨、交付準(zhǔn)時(shí)、價(jià)格優(yōu)惠。

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2019-02-27

世強(qiáng) 電阻光頡科技
半導(dǎo)體行業(yè)疲軟，應(yīng)用材料第二季度財(cái)測(cè)不如預(yù)期

據(jù)路透社報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四，應(yīng)用材料表示，由于半導(dǎo)體行業(yè)疲軟，預(yù)計(jì)第二季度利潤(rùn)和收入將會(huì)低于分析師預(yù)期。

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2019-02-15

半導(dǎo)體芯片應(yīng)用材料
TDK推出適用于ADAS應(yīng)用的微型薄膜金屬功率電感器

TDK株式會(huì)社(TSE:6762)推出了TFM252012ALVA薄膜金屬功率電感器，該款電感器可與12 V汽車電池直接相連，同時(shí)保持小型尺寸。

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2019-02-14

adas 功率電感器汽車電源電路
氮化鎵是未來(lái)的硅？

相對(duì)硅，氮化鎵擁有跟寬的帶隙，寬帶隙也意味著，氮化鎵能比硅承受更高的電壓，擁有更好的導(dǎo)電能力，并且可以承受比硅更高的電壓。簡(jiǎn)而言之，相同體積下，氮化鎵比硅的效率高出不少。

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2019-02-13

硅電子設(shè)備氮化鎵
富士康要做芯片了，濟(jì)南2019重點(diǎn)項(xiàng)目透露了這些！

在實(shí)體經(jīng)濟(jì)項(xiàng)目中有幾個(gè)重大項(xiàng)目引人注意，包括富士康功率芯片工廠建設(shè)項(xiàng)目、天岳高品質(zhì)4H-SiC單晶襯底材料研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、天岳碳化硅功率半導(dǎo)體芯片及電動(dòng)汽車模組研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目等。

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2019-02-13

富士康碳化硅功率芯片
晶體管為摩爾定律續(xù)命

展望未來(lái)十年，功耗和功率密度將會(huì)被視為限制數(shù)據(jù)中心和行動(dòng)裝置運(yùn)算性能提升的因素。我們將再次面臨挑戰(zhàn)，就像1980年代使用80386處理器時(shí)的情況一樣——運(yùn)算性能受到功耗或熱的限制，但事實(shí)上，這些問(wèn)題最終都透過(guò)芯片封裝技術(shù)改善了。

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2019-02-11

晶體管英特爾摩爾定律
Vishay推出新型超薄SMF封裝TMBS整流器，節(jié)省空間且提高功率密度和能效

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出15款采用eSMP®系列超薄SMF (DO-219AB)封裝新型1 A、2 A和3 A器件，擴(kuò)充其表面貼裝TMBS®Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器產(chǎn)品。Vishay General Semiconductor器件比其他SMA封裝整流器節(jié)省空間，反向電壓從45 V到150 V，3 A電流等級(jí)達(dá)到業(yè)內(nèi)SMF封裝器件最高水平。

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2019-02-11

Vishay tmbs整流器 smf封裝
世強(qiáng)成為祥泰電子唯一代理商，豐富電容產(chǎn)品線

十大本土分銷商世強(qiáng)元件電商進(jìn)一步豐富電容產(chǎn)品線，與祥泰電子簽署代理協(xié)議。此后，祥泰電子的產(chǎn)品購(gòu)買、技術(shù)資料資訊、技術(shù)支持服務(wù)等，均可在世強(qiáng)元件電商獲取。

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2019-01-29

電容祥泰世強(qiáng) 電阻
晶圓、電容等原材料價(jià)格猛漲，東軟載波營(yíng)收漲了但利潤(rùn)大降！

東軟載波日前發(fā)布2018年度業(yè)績(jī)快報(bào)，報(bào)告期內(nèi)，東軟載波實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入為 101,330.14 萬(wàn)元，比去年同期增長(zhǎng) 10.93%;營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為 21,679.21 萬(wàn)元，比去年同期下降 8.50%;利潤(rùn)總額為 21,639.03 萬(wàn)元，比去年同期下降 8.73%。

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2019-01-28

晶圓電容東軟載波
Vishay推出第四代600V E系列MOSFET器件，性能達(dá)到業(yè)內(nèi)最佳水平

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。

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2019-01-28

Vishay MOSFET 電源系統(tǒng)架構(gòu)
Littelfuse推出雙向瞬態(tài)抑制二極管陣列，有助延長(zhǎng)敏感消費(fèi)電子產(chǎn)品的使用壽命

Littelfuse, Inc.宣布今日推出雙向瞬態(tài)抑制二極管陣列(SPA®二極管)系列的首款產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品旨在保護(hù)高端消費(fèi)電子產(chǎn)品和可穿戴電子產(chǎn)品免因破壞性靜電放電損壞。

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2019-01-25

littelfuse 二極管瞬態(tài)抑制二極管
全面豐富電解電容產(chǎn)品線，世強(qiáng)獲冠坤電子（Su\'scon）代理權(quán)

世強(qiáng)進(jìn)一步豐富阻容感產(chǎn)品線，與專業(yè)的電解電容制造商冠坤電子(Su\'scon)簽署代理協(xié)議。

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2019-01-25

電解電容世強(qiáng)
意法半導(dǎo)體推出快速恢復(fù)的超結(jié)MOSFET，為電橋和ZVS轉(zhuǎn)換器帶來(lái)卓越性能

意法半導(dǎo)體的MDmesh™ DM6 600V MOSFET含有一個(gè)快速恢復(fù)體二極管，將該公司最新的超結(jié)(super-junction)技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)引入到全橋和半橋拓?fù)?、零電壓開關(guān)(ZVS)相移轉(zhuǎn)換器等通常需要一個(gè)穩(wěn)定可靠的二極管來(lái)處理動(dòng)態(tài)dV/dt的應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)里。

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2019-01-23

意法半導(dǎo)體 MOSFET zvs轉(zhuǎn)換器
通過(guò)自舉擴(kuò)展運(yùn)算放大器工作范圍

對(duì)許多應(yīng)用來(lái)說(shuō)，第三種選擇——自舉——可能是比較廉價(jià)的替代方案。除了動(dòng)態(tài)性能要求極為苛刻的應(yīng)用，自舉電源電路的設(shè)計(jì)是相當(dāng)簡(jiǎn)單的。

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2019-01-22

運(yùn)算放大器場(chǎng)效應(yīng)晶體管自舉直流偏置電
需求趨于平淡，硅晶圓價(jià)格增長(zhǎng)速度放緩

上半年12英寸硅晶圓由于客戶產(chǎn)能利用率不高，需求不夠強(qiáng)勁，價(jià)格將面臨壓力。反觀8 英寸方面，供給仍大于需求，價(jià)格維持健康水準(zhǔn)。整體而言，晶圓價(jià)格強(qiáng)勢(shì)的狀態(tài)將在今年持續(xù)，但供需吃緊狀態(tài)有放松之勢(shì)，價(jià)格的漲幅還是在健康程度，增長(zhǎng)速度已經(jīng)放緩。

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2019-01-21

臺(tái)積電硅晶圓

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世強(qiáng)與光頡科技（Viking）簽約，豐富薄膜電阻、厚膜電阻、柱狀電阻、晶元電阻等產(chǎn)品

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