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[導(dǎo)讀] 前言做項(xiàng)目時(shí)有時(shí)候需要對(duì)一些數(shù)據(jù)進(jìn)行掉電可存儲(chǔ),一般來(lái)說(shuō)可以把這些數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到到EEPROM或FLASH,這次項(xiàng)目中我使用到的芯片是STM32F051C8T6,只有64KB的FLASH,沒(méi)有EEPROM。這個(gè)時(shí)候就需要考慮FLASH的

前言

做項(xiàng)目時(shí)有時(shí)候需要對(duì)一些數(shù)據(jù)進(jìn)行掉電可存儲(chǔ),一般來(lái)說(shuō)可以把這些數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到到EEPROM或FLASH,這次項(xiàng)目中我使用到的芯片是STM32F051C8T6,只有64KB的FLASH,沒(méi)有EEPROM。這個(gè)時(shí)候就需要考慮FLASH的讀寫(xiě)操作。

STM32CubeMX

什么是STM32CubeMX?

STM32CubeMX是以HAL庫(kù)為基礎(chǔ),進(jìn)行上層的硬件和軟件框架設(shè)計(jì)的圖形化軟件配置工具,使用圖形化向?qū)蒀初始化代碼,可以根據(jù)設(shè)計(jì)生成硬件管腳定義及軟件BSP工程包,支持IAR-ARM、MDK-ARM、Ac6等IDE開(kāi)發(fā)環(huán)境。

下載地址點(diǎn)擊這里。

這次項(xiàng)目使用的是STM32F051+STM32CubeMX+keil 5開(kāi)發(fā)。

FLASH讀寫(xiě)流程

首先簡(jiǎn)要寫(xiě)一下FLASH的讀寫(xiě)流程

  • 對(duì)FLASH寫(xiě)入數(shù)據(jù)

    1. 解鎖FLASH

    2. 擦除FLASH

    3. 寫(xiě)入數(shù)據(jù)到FLASH

    4. 鎖住FLASH

  • FLASH讀取數(shù)據(jù)
    直接讀取相應(yīng)的FLASH地址即可

這是我使用STM32CubeMX的HAL FLASH庫(kù)的流程,其他STM32庫(kù)可能有所差異,但是肯定有解鎖、擦除、寫(xiě)入、上鎖這幾個(gè)步驟的。

FLASH讀寫(xiě)代碼示例

下面放上代碼清單和測(cè)試流程

uint32_t writeFlashData = 0x55555555;

uint32_t addr = 0x08007000;


//FLASH寫(xiě)入數(shù)據(jù)測(cè)試

void writeFlashTest(void)

{

//1、解鎖FLASH

HAL_FLASH_Unlock();


//2、擦除FLASH

//初始化FLASH_EraseInitTypeDef

FLASH_EraseInitTypeDef f;

f.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;

f.PageAddress = addr;

f.NbPages = 1;

//設(shè)置PageError

uint32_t PageError = 0;

//調(diào)用擦除函數(shù)

HAL_FLASHEx_Erase(&f, &PageError);


//3、對(duì)FLASH燒寫(xiě)

HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, addr, writeFlashData);


//4、鎖住FLASH

HAL_FLASH_Lock();

}


//FLASH讀取數(shù)據(jù)測(cè)試

void printFlashTest(void)

{

uint32_t temp = *(__IO uint32_t*)(addr);


printf("addr:0x%x, data:0x%xrn", addr, temp);

}


之后在主函數(shù)里添加下面測(cè)試流程:

void main(void)

{

//flash TEST

writeFlashData = 0x55555555;

writeFlashTest();

printFlashTest();

writeFlashData = 0xaaaaaaaa;

writeFlashTest();

printFlashTest();

while(1);

}


設(shè)置好串口,打印

addr:0x8007000, data:0x55555555

addr:0x8007000, data:0xaaaaaaaa

成功!

其中比較特殊的是擦除步驟,需要定義個(gè)FLASH_EraseInitTypeDef的數(shù)據(jù),F(xiàn)LASH_EraseInitTypeDef有三個(gè)成員:TypeErase、PageAddress和NbPages。

其中,TypeErase有兩個(gè)選項(xiàng),頁(yè)擦除和塊擦除:

#define FLASH_TYPEERASE_PAGES ((uint32_t)0x00) /*!

#define FLASH_TYPEERASE_MASSERASE ((uint32_t)0x01) /*!

PageAddress是設(shè)置FLASH地址,這里為0x8007000;

NbPages為擦除頁(yè)數(shù)(塊數(shù)),這里為1;

另外還需要定義一個(gè)uint32_t變量——PageError,如果出現(xiàn)錯(cuò)誤這個(gè)變量會(huì)被設(shè)置為出錯(cuò)的FLASH地址。

關(guān)于0x8007000

0x8007000是STM32的一個(gè)內(nèi)存映射地址,其指向FLASH memory,如圖:

這個(gè)地址也要考慮芯片的FLASH大小,比如我這次用的芯片F(xiàn)LASH大小是64KB,0x0801 0000-0x0800 0000=0x10000,正好等于64KB。

在《STM32F05x參考手冊(cè)》中,我選的0x8007000是這么一個(gè)位置,是FLASH地址的最后一塊扇區(qū)的起始位置。

如果使用上面的示例代碼讀寫(xiě)FLASH不成功,也請(qǐng)考慮一下FLASH的大小和地址設(shè)置。

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