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[導(dǎo)讀] STM8L帶有片上EEPROM,常用來保存參數(shù),事實(shí)上STM8L整個(gè)程序存儲(chǔ)區(qū)都可以用于作為EEPROM,只是默認(rèn)情況下被閉了。 不同型號的STM8L器件其內(nèi)部默認(rèn)劃分的EEPROM區(qū)域都是從0x1000地址開始,以下為STM8LXX的EEPROM讀寫

STM8L帶有片上EEPROM,常用來保存參數(shù),事實(shí)上STM8L整個(gè)程序存儲(chǔ)區(qū)都可以用于作為EEPROM,只是默認(rèn)情況下被閉了。

不同型號的STM8L器件其內(nèi)部默認(rèn)劃分的EEPROM區(qū)域都是從0x1000地址開始,以下為STM8LXX的EEPROM讀寫例:


#defineEEPROM_STARTADDR0x1000

//EEPROM讀數(shù)據(jù)方法


uint8EEPROM_Read(uint16Addr,uint8*RxBuffer,uint8Length)

{

uint16T=0;

uint8*EEP;

EEP=(uint8*)(EEPROM_STARTADDR+Addr);

FLASH_DUKR=0xAE;

FLASH_DUKR=0x56;

FLASH_CR2=0x00;

while((!(FLASH_IAPSR&S3))&(T<0xFFFF))T++;

if(T==0xFFFF)return0;

while(Length--){

*RxBuffer++=*EEP++;

}

return1;

}

//EEPROM讀數(shù)據(jù)方法


uint8EEPROM_Write(uint16Addr,uint8*RxBuffer,uint8Lenth)

{

uint16T=0;

uint8*EEP;

EEP=(uint8*)(EEPROM_STARTADDR+Addr);

FLASH_DUKR=0xAE;

FLASH_DUKR=0x56;

FLASH_CR2=0x00;

while((!(FLASH_IAPSR&S3))&(T<0xFFFF))T++;

if(T==0xFFFF)return0;

while(Lenth--){

*EEP++=*RxBuffer++;

T=0;

while((!(FLASH_IAPSR&S2))&(T<0xFFFF))T++;

if(T==0xFFFF)return0;

}

FLASH_IAPSR&=~S3;

return1;

}

STM8LXX核對數(shù)據(jù),程序存儲(chǔ)器進(jìn)行統(tǒng)一編址,所以可以直接對EEPROM進(jìn)行讀寫,之間需要進(jìn)行解鎖操作,通過FLASH_DUKR完成,寫入特定序列的密碼即可,由于EEPROM的寫入速度較慢,所以需要進(jìn)行等待,判斷其上一步工作是否已完成。實(shí)測發(fā)現(xiàn),當(dāng)CPU主頻變化時(shí),其等待時(shí)間差別較大,使用時(shí)應(yīng)注意,并且需要加入等待超時(shí)處理。


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