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[導(dǎo)讀]MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開(kāi)關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。01電源IC直接驅(qū)動(dòng)電源IC直接驅(qū)動(dòng)是最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式,應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。①查看電源IC手冊(cè)的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流,因?yàn)椴煌?..

MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開(kāi)關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。




01電源IC直接驅(qū)動(dòng)



電源IC直接驅(qū)動(dòng)是最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式,應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。



①查看電源IC手冊(cè)的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流,因?yàn)椴煌酒?qū)動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的。



②了解MOS管的寄生電容,如圖C1、C2的值,這個(gè)寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大,MOS管導(dǎo)通的需要的能量就比較大,如果電源IC沒(méi)有比較大的驅(qū)動(dòng)峰值電流,那么管子導(dǎo)通的速度就比較慢,就達(dá)不到想要的效果。







02推挽驅(qū)動(dòng)




當(dāng)電源IC驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí),可用推挽驅(qū)動(dòng)。



這種驅(qū)動(dòng)電路好處是提升電流提供能力,迅速完成對(duì)于柵極輸入電容電荷的充電過(guò)程。這種拓?fù)湓黾恿藢?dǎo)通所需要的時(shí)間,但是減少了關(guān)斷時(shí)間,開(kāi)關(guān)管能快速開(kāi)通且避免上升沿的高頻振蕩。







03加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)


MOS管一般都是慢開(kāi)快關(guān)。在關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放,保證開(kāi)關(guān)管能快速關(guān)斷。



為使柵源極間電容電壓的快速泄放,常在驅(qū)動(dòng)電阻上并聯(lián)一個(gè)電阻和一個(gè)二極管,如上圖所示,其中D1常用的是快恢復(fù)二極管。這使關(guān)斷時(shí)間減小,同時(shí)減小關(guān)斷時(shí)的損耗。Rg2是防止關(guān)斷的時(shí)電流過(guò)大,把電源IC給燒掉。




如上圖,是我之前用的一個(gè)電路,量產(chǎn)至少上萬(wàn)臺(tái),推薦使用。



用三極管來(lái)泄放柵源極間電容電壓是比較常見(jiàn)的。如果Q1的發(fā)射極沒(méi)有電阻,當(dāng)PNP三極管導(dǎo)通時(shí),柵源極間電容短接,達(dá)到最短時(shí)間內(nèi)把電荷放完,最大限度減小關(guān)斷時(shí)的交叉損耗。



還有一個(gè)好處,就是柵源極間電容上的電荷泄放時(shí)電流不經(jīng)過(guò)電源IC,提高了可靠性。







04隔離驅(qū)動(dòng)



為了滿足高端MOS管的驅(qū)動(dòng),經(jīng)常會(huì)采用變壓器驅(qū)動(dòng)。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩,C1的目的是隔開(kāi)直流,通過(guò)交流,同時(shí)也能防止磁芯飽和。






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