蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事總經(jīng)理任勉：

氮化鎵產(chǎn)品類型和對(duì)應(yīng)的市場(chǎng)不斷發(fā)生變化，5G和高頻應(yīng)用讓氮化鎵大有用武之地。3.5GHz是一個(gè)分水嶺，3.5GHz及以上頻率，氮化鎵工藝有全面的優(yōu)勢(shì)，無(wú)論是帶寬、線性度、增益還是效率，硅器件都無(wú)法與氮化鎵競(jìng)爭(zhēng)。氮化鎵可以減小Massive MIMO基站的體積，氮化鎵的功率密度比當(dāng)前LDMOS技術(shù)高20多倍，每單位面積可將功率提高7到10倍;氮化鎵裸片尺寸為L(zhǎng)DMOS裸片尺寸的1/7至1/10，寄生電容大幅減少，可以更好地發(fā)揮射頻特性;氮化鎵具有更高功率密度特性，能夠?qū)崿F(xiàn)更小器件封裝，因而非常適用于Massive MIMO天線系統(tǒng);氮化鎵的大帶寬特性能夠使得單個(gè)氮化鎵射頻功率器件替代LDMOS器件組合，使基站的體積不斷減小，成本不斷下降。

氮化鎵非常適合于制造5G和毫米波射頻前端系統(tǒng)，如大帶寬和高效率功率放大器(PA)、大功率大帶寬開(kāi)關(guān)(RF SWITCH)、低噪聲高功率壓控振蕩器(VCO)、高可靠大帶寬低噪聲放大器(LNA)。

GaN高頻芯片相比低頻芯片，還有一些技術(shù)難題需要突破：首先，高頻條件下，缺陷的釋放時(shí)間要求更加嚴(yán)格，因此芯片的效率顯著下降;其次，高頻條件下寄生電容和電阻的影響增加，因此縮小柵長(zhǎng)不能有效提升增益;再次，高頻器件有嚴(yán)重的短溝道效應(yīng)，影響功率增益和效率;最后，亞微米柵會(huì)增加?xùn)艠O邊緣電場(chǎng)，造成更高的漏電，降低擊穿電壓并引入可靠性問(wèn)題。