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[導讀]2017年12月26日,致力于亞太地區(qū)市場的半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下品佳推出基于恩智浦(NXP)和英飛凌(Infineon)產(chǎn)品的快速充電解決方案。隨著快充電源

2017年12月26日,致力于亞太地區(qū)市場的半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下品佳推出基于恩智浦(NXP)和英飛凌(Infineon)產(chǎn)品的快速充電解決方案。

隨著快充電源的普及,享受了快充的便捷之后,用戶們開始逐漸擯棄普通速度充電的電源,無線充電大規(guī)模應(yīng)用的趨勢已經(jīng)十分明顯。大聯(lián)大品佳此次推出的NXP和Infineon快速充電方案包括:


TEA1901SCP直接充電接口控制器/TEA1905x USB-PD/Quick Charge接口控制器---它是市場上率先將USB PD3.0和Quick Charge2.0、3.0組合在一起的產(chǎn)品之一。其可與TEA1936x和TEA199x配合使用,通過小型手機壁式充電器提供高能效,采用行業(yè)最新的接口協(xié)議,而無需使用復雜的技術(shù)。TEA1901SCP直接充電接口控制器結(jié)合了各種先進的快速充電協(xié)議,為電池和系統(tǒng)提供廣泛的電壓和電流調(diào)節(jié)回路與保護。


2. Infineon BSZ086P03N3C MOSFET,這款I(lǐng)nfineon的OptiMOS? P通道電源MOSFET設(shè)計用于提供增強功能,以便達到質(zhì)量指標。特征包括超低切換損耗、通態(tài)電阻、雪崩額定值以及達到汽車解決方案的AEC標準。應(yīng)用包括:直流-直流、電動機控制、汽車和eMobility。


3. Infineon的IPAN65R650CE是650V,650mΩ,10.1A,N溝道功率MOSFET,它屬于Infineon的CoolMOS? CE高壓功率MOSFET的技術(shù)平臺,根據(jù)超結(jié)原理(SJ)設(shè)計,旨在滿足消費者的需求。隨著產(chǎn)品系列的擴大,英飛凌推出了500V、600V、650V、700V、800V和900V的高壓MOSFET。

方案特色


? TEA1901x提供最好的安全性,歸功于廣泛設(shè)置了保護功能覆蓋多于10次失效情況下不需要額外的光電控制器;

? 快速電纜分離檢測,以避免電??;

? 過溫保護(OTP);

? 內(nèi)部充電器溫度的片上溫度傳感器;

? 多達2個NTC ADC測量電纜接頭溫度;

? 自適應(yīng)過電壓保護(AOVP);

? 自適應(yīng)欠電壓保護(auvp);

? 輸出短路保護(SCP);

? VCC到SW(門漏端口開關(guān))短保護;

? 開放地保護;

? 打開VCC檢測。

圖示1-大聯(lián)大品佳推出的基于NXP和Infineon產(chǎn)品的快速充電解決方案系統(tǒng)方案圖

規(guī)格說明


? 支持SCP直接充電協(xié)議(HI模式,高壓可選);

? 準確的二次側(cè)電壓和電流的測量和報告;

? 集成客戶電纜e-marker檢測是否出現(xiàn)在USB連接器;

? 集成低成本的外部元件端口開關(guān)驅(qū)動器;

? 兩NTC ADC監(jiān)測連接器和適配器的溫度與OTP保護、檢測交流電源斷開;

? 寬VCC和VBUS操作范圍(3V至20V)和內(nèi)置的LDO;

? 主要功能用戶可通過D+D-引腳和存儲在MTP的記憶;

? 編程CV模式內(nèi)置反饋電路和+/-1%的精度;

? 編程CC模式與外部檢測電阻器和+/-100ma精度。

圖示2-大聯(lián)大品佳推出的基于NXP和Infineon產(chǎn)品的快速充電解決方案之規(guī)格說明


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