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  • LDO穩(wěn)壓器有哪些性能參數(shù)？基本引腳有哪些

    以下內(nèi)容中，小編將對(duì)LDO穩(wěn)壓器的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)LDO穩(wěn)壓器的了解，和小編一起來看看吧。

  • 開關(guān)穩(wěn)壓器有哪些應(yīng)用領(lǐng)域？開關(guān)穩(wěn)壓器3種控制模式介紹

    本文中，小編將對(duì)開關(guān)穩(wěn)壓器予以介紹，如果你想對(duì)它的詳細(xì)情況有所認(rèn)識(shí)，或者想要增進(jìn)對(duì)它的了解程度，不妨請(qǐng)看以下內(nèi)容哦。

  • 開關(guān)穩(wěn)壓器如何分類？你能講明白開關(guān)穩(wěn)壓器的組成嗎

    在這篇文章中，小編將為大家?guī)黹_關(guān)穩(wěn)壓器的相關(guān)報(bào)道。如果你對(duì)本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

  • 長(zhǎng)距離出行需求下的功率器件革命

    在全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)向 “長(zhǎng)續(xù)航、快充電、高效率” 轉(zhuǎn)型的浪潮中，功率半導(dǎo)體作為電能轉(zhuǎn)換的核心部件，直接決定車輛續(xù)航里程與能源利用效率。傳統(tǒng)硅基 IGBT 器件因?qū)〒p耗高、耐高溫性差等局限，已難以滿足超長(zhǎng)距離電動(dòng)汽車(續(xù)航目標(biāo) 600km+)的技術(shù)需求。碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其卓越的電學(xué)特性，成為破解長(zhǎng)距離出行痛點(diǎn)的關(guān)鍵技術(shù)，其有效實(shí)施正在重塑電動(dòng)汽車功率系統(tǒng)的設(shè)計(jì)邏輯。

  • 激光傳感器以太網(wǎng)電路接地問題解析與優(yōu)化方案

    在工業(yè)自動(dòng)化、智能檢測(cè)等領(lǐng)域，激光傳感器憑借高精度、高響應(yīng)速度的優(yōu)勢(shì)得到廣泛應(yīng)用，而以太網(wǎng)接口因其遠(yuǎn)距離傳輸、高帶寬的特性，成為激光傳感器數(shù)據(jù)交互的主流選擇。然而，激光傳感器以太網(wǎng)電路的接地設(shè)計(jì)直接影響系統(tǒng)穩(wěn)定性、數(shù)據(jù)傳輸可靠性及抗干擾能力，接地不當(dāng)往往導(dǎo)致信號(hào)失真、通信中斷甚至設(shè)備損壞等問題。本文將深入分析激光傳感器以太網(wǎng)電路接地的核心問題、常見類型及優(yōu)化方案，為工程實(shí)踐提供參考。

  • 顛覆性數(shù)字隔離器技術(shù)：國產(chǎn)半導(dǎo)體的突圍新引擎

    在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控的國家戰(zhàn)略背景下，關(guān)鍵元器件的技術(shù)突破成為國產(chǎn)替代的核心抓手。數(shù)字隔離器作為保障電子系統(tǒng)安全穩(wěn)定運(yùn)行的 “隱形衛(wèi)士”，正通過技術(shù)革新打破傳統(tǒng)光耦的性能瓶頸，為國產(chǎn)半導(dǎo)體在高端模擬芯片領(lǐng)域開辟出一條差異化突圍路徑。這種基于 CMOS 工藝的顛覆性技術(shù)，不僅重塑了隔離器件的產(chǎn)業(yè)格局，更從技術(shù)賦能、生態(tài)構(gòu)建、市場(chǎng)拓展三個(gè)維度，為國產(chǎn)半導(dǎo)體的高質(zhì)量發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)能。

  • 選定電源IC與MOS管之后，如何選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路？

    驅(qū)動(dòng)電路作為電源 IC 與 MOS 管的 “橋梁”，其選型需滿足三大核心要求：快速充放電能力(確保 MOS 管開關(guān)速度)、參數(shù)匹配性(適配 IC 驅(qū)動(dòng)能力與 MOS 特性)、穩(wěn)定性與損耗平衡(抑制振蕩并降低功耗)。具體需優(yōu)先評(píng)估兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù)： 電源 IC 的驅(qū)動(dòng)峰值電流：查閱芯片手冊(cè)確認(rèn)最大輸出電流，若電流不足，MOS 管柵極寄生電容(Ciss)無法快速充電，會(huì)導(dǎo)致開關(guān)延遲和損耗增加。 MOS 管的寄生電容特性：Ciss 值越小，驅(qū)動(dòng)所需能量越少;若 Ciss 較大，需對(duì)應(yīng)提升驅(qū)動(dòng)電路的電流供給能力，否則會(huì)引發(fā)上升沿振蕩或開關(guān)效率下降。

  • 電源走線功率過大引發(fā)編碼器數(shù)值波動(dòng)的機(jī)理與解決策略

    在工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人控制、精密機(jī)床等依賴高精度位置反饋的系統(tǒng)中，編碼器作為核心檢測(cè)元件，其輸出數(shù)值的穩(wěn)定性直接決定了設(shè)備的控制精度和運(yùn)行可靠性。實(shí)際工程應(yīng)用中，編碼器數(shù)值波動(dòng)是常見故障之一，除了編碼器自身質(zhì)量缺陷、機(jī)械安裝偏差等因素外，電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)不當(dāng)往往是易被忽視的關(guān)鍵誘因。其中，電源走線功率過大導(dǎo)致的數(shù)值波動(dòng)問題，因涉及電磁兼容、電路損耗、信號(hào)干擾等多重技術(shù)維度，排查與解決難度較高。本文將深入剖析這一故障的產(chǎn)生機(jī)理，結(jié)合工程實(shí)踐探討有效的防控措施，為相關(guān)技術(shù)人員提供參考。

  • 反饋路徑的核心作用與布線重要性

    DCDC 電源的反饋路徑是實(shí)現(xiàn)輸出電壓精準(zhǔn)調(diào)控的 “感知神經(jīng)”，其核心功能是將輸出端電壓信號(hào)傳輸至控制器，通過對(duì)比基準(zhǔn)電壓動(dòng)態(tài)調(diào)整開關(guān)管導(dǎo)通占空比。反饋路徑的布線質(zhì)量直接決定電源的三項(xiàng)關(guān)鍵指標(biāo)：輸出電壓精度(誤差可能從 ±1% 擴(kuò)大至 ±5% 以上)、動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度(負(fù)載突變時(shí)的電壓恢復(fù)能力)、系統(tǒng)穩(wěn)定性(是否出現(xiàn)振蕩或紋波超標(biāo))。

  • 強(qiáng)電與弱電 PCB 設(shè)計(jì)的核心注意事項(xiàng)解析

    在電子設(shè)備集成化趨勢(shì)下，強(qiáng)電與弱電共存于同一 PCB 板已成為常態(tài)。強(qiáng)電系統(tǒng)(通常指交流 220V 以上或直流 36V 以上電路，如電源回路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等)具有高電壓、大電流特性，弱電系統(tǒng)(如信號(hào)處理、控制電路、通信模塊等)則以低電壓、小電流、高靈敏度為特點(diǎn)。兩者在 PCB 設(shè)計(jì)中若處理不當(dāng)，極易產(chǎn)生電磁干擾(EMI)、絕緣擊穿、信號(hào)失真等問題，甚至引發(fā)安全隱患。因此，掌握強(qiáng)電與弱電 PCB 設(shè)計(jì)的關(guān)鍵注意事項(xiàng)，是保障設(shè)備穩(wěn)定性、安全性和可靠性的核心前提。

  • 關(guān)于晶振負(fù)載電容和晶振兩邊的電容有何不同？

    晶振負(fù)載電容(CL)與兩端外接電容(通常標(biāo)注為 CL1、CL2)的核心差異始于定義本質(zhì)。負(fù)載電容是晶振出廠時(shí)固化的固有電氣參數(shù)，是跨接晶體兩端的總有效電容等效值，由晶體自身工藝決定，無法在應(yīng)用中更改。常見標(biāo)準(zhǔn)值為 6pF、12.5pF、16pF、20pF 等，低功耗設(shè)備(如藍(lán)牙耳機(jī)、腕表)多采用 6-12pF 小容量負(fù)載電容，通用電子設(shè)備則以 15-30pF 為主。

  • 為何這段走線的阻抗匹配如此關(guān)鍵?

    在以太網(wǎng)硬件設(shè)計(jì)中，變壓器與 RJ45 連接器之間的走線常被視為 “過渡環(huán)節(jié)”，卻頻繁引發(fā)通信異常、丟包等問題。工程師最困惑的核心疑問是：“為何短短幾厘米的走線，必須嚴(yán)格控制阻抗?” 答案藏在高速信號(hào)傳輸?shù)谋举|(zhì)中 —— 以太網(wǎng)(尤其是百兆及以上速率)依賴差分信號(hào)傳輸，而信號(hào)在阻抗突變處會(huì)產(chǎn)生反射，導(dǎo)致上升沿失真、信號(hào)震蕩等問題。變壓器的次級(jí)繞組設(shè)計(jì)已匹配 100Ω 差分阻抗，RJ45 連接器及網(wǎng)線的特性阻抗也為 100Ω，若中間走線阻抗偏離標(biāo)準(zhǔn)，就會(huì)形成 “阻抗斷層”，如同聲波在不同介質(zhì)中傳播時(shí)的反射衰減，直接導(dǎo)致眼圖閉合、誤碼率升高。

  • 防雷及過電壓保護(hù)的常用技術(shù)方法與實(shí)踐應(yīng)用

    在電力系統(tǒng)、通信設(shè)備、建筑設(shè)施等各類場(chǎng)景中，雷電沖擊和過電壓是造成設(shè)備損壞、系統(tǒng)癱瘓的重要隱患。雷電產(chǎn)生的瞬時(shí)高電壓可達(dá)數(shù)百萬伏，而操作過電壓、諧振過電壓等內(nèi)部過電壓也會(huì)超出設(shè)備額定耐受值，引發(fā)絕緣擊穿、元器件燒毀等故障。因此，采取科學(xué)有效的防雷及過電壓保護(hù)措施，是保障設(shè)備安全運(yùn)行和人員生命安全的關(guān)鍵。本文將詳細(xì)介紹當(dāng)前行業(yè)內(nèi)常用的保護(hù)方法，結(jié)合技術(shù)原理與應(yīng)用場(chǎng)景展開分析。

  • 電磁脈沖閥漏噴原因分析及基于氣包應(yīng)力場(chǎng)的定位方式研究

    作為陶瓷濾管除塵一體化工藝的重要組成部分 , 電磁脈沖閥的正常噴吹對(duì)陶瓷濾管的除塵效果起決定性作用 。鑒于此 ,著重介紹了電磁脈沖閥的結(jié)構(gòu)及工作方式 ,分析其在噴吹不充分或漏噴狀態(tài)時(shí) ,如何通過對(duì)氣包應(yīng)力場(chǎng)數(shù)值進(jìn)行分析找到問題閥門位置 。

  • 硅橡膠表面液滴行為及其對(duì)交流閃絡(luò)的影響分析

    硅橡膠(siR)因其優(yōu)異的絕緣性能 、耐溫性及抗老化性 ,在低頻輸電系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用 。然而 , 在近?；蚝Ｉ陷旊姷母啕} 、高濕環(huán)境中 ,siR絕緣材料的性能受到嚴(yán)重影響 。硅橡膠絕緣子表面水滴的運(yùn)動(dòng)和變形會(huì)扭曲電場(chǎng)的分布 ,甚至導(dǎo)致沿表面閃絡(luò) 。鑒于此 ,研究了在高鹽高濕環(huán)境中不同頻率交流電壓下 ,硅橡膠復(fù)合絕緣子表面鹽霧液滴動(dòng)態(tài)行為特征 。首先采用高速相機(jī)記錄siR表面鹽霧液滴動(dòng)態(tài)行為 ,之后研究不同液滴分布狀態(tài)下閃絡(luò)電壓隨頻率的變化規(guī)律 , 最后分析液滴動(dòng)態(tài)行為與交流閃絡(luò)電壓之間的關(guān)系 。研究結(jié)果表明 ,液滴閃絡(luò)電壓隨頻率增加而增大 , 同時(shí)液滴分布也會(huì)影響其閃絡(luò)電壓 。低頻下運(yùn)動(dòng)模式對(duì)鹽霧液滴的影響更為顯著 , 隨著頻率增加 , 靜態(tài)接觸角和拉伸長(zhǎng)度變化率均呈下降趨勢(shì) 。 以上結(jié)果可以揭示交流電壓下液滴之間的相互作用和鹽霧條件下閃絡(luò)特性受電壓 、頻率作用的內(nèi)在機(jī)理 。

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