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[導(dǎo)讀]21ic訊 由北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司和中芯國際聯(lián)合承擔(dān)的“超大規(guī)模集成電路先進(jìn)閃存存儲(chǔ)器成套工藝與產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目,根據(jù)《北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)辦法》的規(guī)定,經(jīng)市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)評(píng)審委員會(huì)

21ic訊 由北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司和中芯國際聯(lián)合承擔(dān)的“超大規(guī)模集成電路先進(jìn)閃存存儲(chǔ)器成套工藝與產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目,根據(jù)《北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)辦法》的規(guī)定,經(jīng)市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)評(píng)審委員會(huì)評(píng)審,市政府批準(zhǔn),被授予北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)。

該項(xiàng)目屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域,在2008年國家科技進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)“90納米-65納米極大規(guī)模集成電路大生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)研究”的成果基礎(chǔ)上研發(fā)出90納米閃存產(chǎn)品和成套工藝,在國家02專項(xiàng)支持下的成果基礎(chǔ)上研發(fā)出65納米閃存產(chǎn)品和成套工藝。項(xiàng)目的主要研究?jī)?nèi)容包括產(chǎn)品開發(fā)和成套工藝開發(fā),主要技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)體現(xiàn)在產(chǎn)品開發(fā)方面及成套工藝開發(fā)方面。超大規(guī)模集成電路90/65納米NOR Flash產(chǎn)品應(yīng)用面非常廣泛,因而其需求量也非常大。它不僅能服務(wù)象SAMSUNG、華為、中興、TOSHIBA、海爾、TCL、康佳、長(zhǎng)虹、創(chuàng)維、TP-LINK等這樣的電子整機(jī)客戶,還可廣泛地應(yīng)用于手持移動(dòng)終端、消費(fèi)類電子產(chǎn)品、個(gè)人電腦及其周邊,網(wǎng)絡(luò)、電信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、辦公設(shè)備及工業(yè)控制設(shè)備等領(lǐng)域。90/65納米工藝及產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化也將帶動(dòng)國內(nèi)各生產(chǎn)廠技術(shù)的提升。兆易創(chuàng)新這種無晶圓廠的設(shè)計(jì)公司和國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的虛擬集成方式,能夠很好地保持技術(shù)的先進(jìn)性。

據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)的2012年中國SPI NOR Flash市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù),兆易創(chuàng)新基于本項(xiàng)目成果在此細(xì)分市場(chǎng)取得了26.3%的市場(chǎng)份額,為國內(nèi)市場(chǎng)上最大的供應(yīng)商。此技術(shù)開發(fā)是國內(nèi)首創(chuàng),填補(bǔ)了國內(nèi)在此領(lǐng)域無技術(shù)及產(chǎn)品的空白,實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵基礎(chǔ)電子元器件的國產(chǎn)化,大幅度提升國內(nèi)電子整機(jī)產(chǎn)業(yè)的自主能力,并推廣應(yīng)用于工業(yè)、通信、醫(yī)療等各個(gè)領(lǐng)域,逐步改變了“高性能、低功耗”存儲(chǔ)器芯片只能依靠進(jìn)口的局面。

2014年起,兆易創(chuàng)新計(jì)劃和代工廠繼續(xù)合作開發(fā)45納米NOR Flash工藝及產(chǎn)品,進(jìn)一步完善技術(shù)創(chuàng)新體系和制度,不斷優(yōu)化人才的培養(yǎng)和激勵(lì)機(jī)制,合理配置科技資源,在公司內(nèi)部建立信息通暢、矢志創(chuàng)新、結(jié)合緊密、流程高效的產(chǎn)、學(xué)、研科技創(chuàng)新平臺(tái),以充分發(fā)揮公司在基礎(chǔ)設(shè)計(jì)研究、封裝測(cè)試、及市場(chǎng)開發(fā)等方面的優(yōu)勢(shì)和資源,在45納米工藝下繼續(xù)開發(fā)256Mb/512Mb/1Gb 大容量NOR Flash 產(chǎn)品。在本項(xiàng)目的開發(fā)過程中,公司還會(huì)聯(lián)合中科院微電子所及清華大學(xué)等科研院所,對(duì)存儲(chǔ)器工藝及產(chǎn)品進(jìn)行相關(guān)質(zhì)量與可靠性評(píng)估,聯(lián)合國內(nèi)測(cè)試機(jī)及探針臺(tái)與機(jī)械手廠家,共同開展新工藝下產(chǎn)品的國產(chǎn)測(cè)試設(shè)備的開發(fā),同時(shí)與封測(cè)廠開展新型封裝技術(shù)的開發(fā),為產(chǎn)業(yè)鏈全本地化打通所有路徑,推進(jìn)半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新。

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