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功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天

時(shí)間：2010-06-05 02:17:20

關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體行業(yè) IGBT MOSFET

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[導(dǎo)讀]功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營業(yè)收入為2833億美元，增長率達(dá)到23.2%.　　MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，

功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營業(yè)收入為2833億美元，增長率達(dá)到23.2%.

　　MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%,MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。

　　IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為8%.IGBT主要用于通信、工業(yè)、醫(yī)療、家電、照明、交通、新能源、半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備、航空、航天及國防等諸多領(lǐng)域。

　　中國企業(yè)技術(shù)實(shí)現(xiàn)突破，功率半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)口替代空間巨大。2009年我國功率半導(dǎo)體銷售額已超過870億元，同比增長5.86%.我國的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)在未來幾年里還會(huì)保持增長，2010年預(yù)計(jì)將增長10%,市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到956.6億元，2011年將達(dá)到1060.5億元。由于目前中國市場(chǎng)功率半導(dǎo)體器件有接近90%需要進(jìn)口，因此中國掌握功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的企業(yè)未來面臨巨大的進(jìn)口替代市場(chǎng)空間。

　　國家對(duì)于功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的扶持力度加大。在2009年出臺(tái)的《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃》中，明確提出要提高新型電力電子器件、高頻頻率器件等產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)能力，初步形成完整配套、相互支撐的電子元器件產(chǎn)業(yè)體系。2010年3月19日國家發(fā)改委專門出臺(tái)針對(duì)支持功率半導(dǎo)體發(fā)展的文件《國家發(fā)展改革委辦公廳關(guān)于組織實(shí)施2010年新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)的通知》，重點(diǎn)支持MOSFET、IGCT、IGBT、FRD等新型電力電子芯片和器件的產(chǎn)業(yè)化。

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