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[導讀]相變存儲器(PCM)與存儲器技術簡介

相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術。透過比較PCM與現有的SLC和MLC NAND快閃存儲器以及硬碟驅動器(HDD) 和固態(tài)硬碟(SSD)等系統(tǒng)解決方案,*估PCM的相對成本、效能和可靠度,可以了解PCM適用于哪里些應用領域,以及這項新技術的潛在價值。

當探討PCM在存儲器領域的定位時,必須注意其為具有重要優(yōu)勢的補充技術 (特別是當系統(tǒng)需求是重要的考慮因素的情況),而非替代其它存儲器的儲存技術。不論是作為RAM還是NAND快閃存儲器的補充,只要使用適量的PCM就能改進企業(yè)級計算機和電子商務等高端應用的可靠度和處理效能。

 

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圖1 PCM并非取代現有的存儲器系統(tǒng),而是可以作為互補

 

 

圖2 相變存儲器(PCM)集其它類型存儲器的突出優(yōu)點于一身,為高端應用和無線產品的系統(tǒng)設計工程師提供新的選擇

PCM是利用材料中的可逆相態(tài)變化來儲存信息的非揮發(fā)性存儲器。物質以多種相態(tài)存在,如固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)、凝結和離子。PCM 依賴于材料在不同相變時所表現出來的不同的電阻率特性。恒憶的PCM采用一種由鍺、銻和碲三種元素組成的叫做GST的合金材料(Ge2Sb2Te5)。在非結晶狀態(tài)時,GST合金的分子結構雜亂無序,因而電阻率也較高。相比之下,在晶體狀態(tài)時,GST的分子結構整齊有序,電阻率相對較低。PCM的技術基礎就是利用材料電阻率在兩個相態(tài)之間的差異性。透過注入電流,可在材料局部產生強烈的焦耳熱效應,引發(fā)相態(tài)變化。透過調整電壓大小和施加的電流時長,可以調整最終的材料相態(tài)。

PCM有一些有趣的特性:如同NOR和NAND快閃存儲器,PCM也是非揮發(fā)性存儲器技術之一,因此保存資料并不需要重啟電源。PCM 具備位元可修改功能,存儲器保存的信息可以從1切換到0或者從0切換到1,無需單獨的抹除步驟。PCM的特點是隨機讀取時間短。這個特性使處理器可直接從存儲器執(zhí)行代碼,無需把代碼復制到RAM的中間過程。PCM讀取延時與每單元中任一位元的NOR快閃存儲器相當,而讀取效能則可與DRAM存儲器媲美。PCM的寫入速度可達到NAND快閃存儲器的水平,因為不需要單獨的抹除步驟,PCM的寫入延時更短。相比之下,NOR快閃存儲器的寫入速度中等,但是抹除操作時間較長。[!--empirenews.page--]
 

PCM與存儲器技術生命周期以及技術比較

如果植基于NAND快閃存儲器技術的固態(tài)硬碟目前在很多應用領域中尚處于早期的推廣階段,那么 PCM則處于此存儲器技術推廣應用曲線的更早階段。當*價一項技術時,工程師十分看重成本和價格。但當工程師思考一項新技術如何能提升正在開發(fā)的系統(tǒng)的效能時,會首先關注的是可靠度和效能,然后才會考慮成本的問題。故比較PCM與DRAM和NAND快閃存儲器時,應該特別注意讀寫延時決定存儲器效能,耐讀寫能力是衡量存儲器可靠度的指標。

寫入延時和耐寫能力-PCM次于DRAM,但是明顯快于NAND;讀取延時和耐讀能力–PCM接近DRAM的速度,明顯優(yōu)于 NAND;成本–就 SLC PCM、DRAM和SLC NAND快閃存儲器裸片(300mm晶圓)的理論成本比較報告,NAND最便宜。PCM成本大約是NAND的1.2倍,DRAM成本大約是NAND的1.4倍。由此可見PCM明顯優(yōu)于DRAM,然而不能像NAND一樣便宜,不過在這些技術中,很多技術的制程屏蔽總數量正趨于相同。

與SLC NAND相比,DRAM成本大約高40%,而PCM成本大約高20%。決定是否應用一項新的儲存技術時,一般會應用以下經驗法則:替代技術的成本應為現有技術的1/8到1/10。因此單從成本角度考量,PCM作為NAND快閃存儲器替代技術的理由仍并不充分。

但可靠度為 PCM 勝出關鍵,許多NAND快閃存儲器技術的可攜式產品,如MP3播放器和隨身碟。在正常使用的狀況,這些設備需要寫存儲器10到100次,但尚未達到千次以上。透過最先進的微影技術,這些裝置應用中的NAND快閃存儲器技術可把成本降至極低的水平。而無線通訊、運算裝置和固態(tài)硬碟等高端應用也使用NAND快閃存儲器,但是這些應用具備各別不同的使用條件和要求。某項技術可能是 MP3 播放器的理想選擇,但在企業(yè)級服務器上的應用卻可能受限。

對于任何一種非揮發(fā)性浮動閘極存儲器(non-volitile floating gate memory device),讀寫存儲器次數越多,失效次數也隨之增加,資料儲存期限也會縮短。PCM有趣的特性之一即是保存期限與耐讀寫次數無關,意即不管讀取 PCM存儲器一百萬次還是1次,都不會改變資料儲存的期限。這項特性深刻地影響此技術的使用與管理。資料儲存期限在許多嚴苛的應用中都極為重要,而恒憶已證實PCM的資料儲存期限可長達10年。

另一方面,由于失效一般發(fā)生在寫入的操作過程中,因此當PCM寫入資料時,如果寫入驗證機制顯示該單元無數據,該資料則會立即被重寫到另一個儲存單元。這也是運用 PCM簡化系統(tǒng)級設計的優(yōu)化功能。故PCM是適于無線應用的低功耗存儲器,目前新一代智能手機用戶,對于手機有三個基本要求:快速開機(instent on)、使用簡便且電池使用時間長,以及優(yōu)異的多媒體、游戲和上網功能。

PCM具備優(yōu)異的讀取延時特性,意即其代碼執(zhí)行能力符合新一代無線用戶的需求。PCM能儲存大量的資料和代碼,并具有承受百萬次的讀寫能力。憑借PCM非揮發(fā)性存儲器技術的特性,除能簡化無線設備的電源管理設計,同時還有助于徹底解決效能與電池使用時間難以平衡的困擾。以整合了LPDDR2存儲器控制器的微處理器平臺為例,系統(tǒng)設計人員利用PCM的低功耗特性而能僅使用一個非揮發(fā)性存儲器,進而簡化了手機架構。

PCM的效能與商業(yè)價值

運用存儲器技術提高運算效能有兩個基本方式:增加頻寬以傳輸更多資料與縮短延時以提高資料速率。在效能第一的高端應用中,增加頻寬需要增加更多的 RAM、硬碟機和服務器。提升讀寫延時效能,可用回應速度是微秒(microsecond)級別的固態(tài)硬碟,取代毫秒(milisecond)級別的硬碟。后一種方法趨于降低總擁有成本(total cost of ownership, TCO),因為新增一個延時較短的服務器比增加三到四個服務器更劃算。經由比較發(fā)現,PCM的寫入時延大約是1微秒,約為 SLC NAND快閃存儲器的100倍,硬碟驅動器的100,000倍左右。PCM的讀取延時也同樣出色,大約是50-100奈秒,是 SLC NAND快閃存儲器的100倍左右,大約是硬碟機的100,000倍。

在電子商務世界,即便延時取得很小的改進,都會產生極大的價值:據Amazon報告,每增加100毫秒延時,都會損失1%的銷售額。據Google報告,搜索網頁生成時間每增加500毫秒,流量會降低20%。據分析公司Tabb Group報告,即使某券商的電子交易平臺比競爭對手只慢5毫秒,他每毫秒也可能會損失400萬美元。

作為RAM和固態(tài)硬碟間中介系統(tǒng),PCM的確具備極高的價值,因為高端系統(tǒng)使用低延時PCM技術,不管是作為RAM或是NAND的補充,只要運用適量的PCM,就能大幅提升效能。當PCM未來開始應用于高端設備后,可以預期這項技術的普及率即會逐步升高。

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