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[導讀]目前南韓政府正在擔心先關的高科技技術外流,考慮禁止半導體及面板產業(yè)到中國進一步設廠、擴廠,造成對南韓企業(yè)經營上的傷害。不過,有消息人士指出,南韓政府這樣的考慮、似乎與南韓日前決定部署薩德(THAAD) 高空戰(zhàn)區(qū)反飛彈系統(tǒng),因而激怒中國當局,導致全面抵制有直接的關系。

目前南韓政府正在擔心先關的高科技技術外流,考慮禁止半導體及面板產業(yè)到中國進一步設廠、擴廠,造成對南韓企業(yè)經營上的傷害。不過,有消息人士指出,南韓政府這樣的考慮、似乎與南韓日前決定部署薩德(THAAD) 高空戰(zhàn)區(qū)反飛彈系統(tǒng),因而激怒中國當局,導致全面抵制有直接的關系。

報導中指出,南韓政府過去制定的政策,鼓勵包括三星、LG、SK 海力士等大型企業(yè)到中國大量投資設廠的情況,如今面臨了嚴重的考驗。因為,在中國客戶始終不給予相關南韓企業(yè)訂單的情況下,這些企業(yè)的產品將逐漸在中國市場失去競爭優(yōu)勢。

對此,南韓工業(yè)和能源部部長Baek Woon-kyu 就在18 日于首爾舉行的「半導體與顯示器產業(yè)會議」 中表示,南韓政府將重新考慮包括半導體與面板等產業(yè)進入中國的政策。而餐與該項會議的包括三星電子副主席權五鉉(Kwon Oh-hyun),SK 海力士副主席樸松郁,LG Display 副主席韓相范( Han Sang-beom) 等企業(yè)高層。

報導中進一步引述知情人士的消息指出,就在Baek Woon-kyu 于會議中與權五鉉單獨會面時表示,Baek Woon-kyu 希望三星參考樂天因為南韓部屬薩德而遭到中國報復的例子,重新思考三星在中國西安記憶體工廠的擴大投資計劃。因為,三星在2016 年宣布,將在未來3 年內斥資70 億美元在中國西安工廠設置第2 條生產線,用以生產目前市場價格正夯的3D NAND Flash 快閃記憶體,并且已經與當?shù)卣瀸傧嚓P投資備忘錄。而另一家南韓記憶體大廠SK 海力士,也正計劃將在中國的無錫工廠增加產能。

據了解,由于DRAM,NANDFlash 快閃記憶體和OLED 顯示器都已經被南韓指定為國家重要科技技術,相關的技術或產品輸出都必須要獲得南韓政府的許可。如今,在南韓政府考慮將限制相關產業(yè)赴中國投資的情況下,包括三星與SK 海力士的投資案都可能因此而告終。而除了半導體產業(yè)之外,正在計劃在廣州建設第8 代OLED 顯示屏幕的LG Display 也可能將受到這個計劃的限制。這個LGD 與南韓政府談判了半年多的計劃,截至目前為止仍受到限制而尚未放行。

對于阻止半導體及面板產業(yè)赴中國投資的南韓政府,希望企業(yè)能將投資的資金留在南韓國內。對此,南韓政府在18 日就宣布,相關半導體與面板廠商就計劃在2024 年之前,在南韓國內投資共51.6 兆韓圓,以刺激國內經濟并創(chuàng)造就業(yè)。其中,三星電子在2021 年之前將投資21.4 兆韓圓在京畿道、忠清南道蓋OLED 廠。SK 海力士則是計劃在2024 年前投資15.5 兆韓圓,于忠清北道建造NAND Flash 快閃記憶體工廠。LGD 則是未來3 年內,將投資15 兆韓圓在京畿道和慶尚北道設OLED 廠。

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