IP公司力旺電子25日宣布其一次可編程(OTP)存儲器硅智財(cái)NeoFuse成功導(dǎo)入華邦電25納米DRAM制程平臺，且即將進(jìn)入量產(chǎn)階段，有助于客戶在車用、工業(yè)、5G通信等新的市場應(yīng)用取得先機(jī)。

NeoFuse硅智財(cái)使DRAM產(chǎn)品在封裝前的芯片測試及封裝后的產(chǎn)品測試均可進(jìn)行修補(bǔ)，達(dá)到多次修補(bǔ)(Multi-Repair)的目的。與傳統(tǒng)雷射調(diào)校(Laser Trimming)相比，不僅降低調(diào)校成本與時(shí)間，并可使制造測試流程更加便利。尤其是在芯片封裝后仍可進(jìn)行修補(bǔ)(Repair)，大大提升多芯片封裝(MCP)產(chǎn)品的生產(chǎn)良率。

可兼容于DRAM制程平臺的NeoFuse技術(shù)提供優(yōu)于一般工作范圍的操作電壓區(qū)間，有利客戶在產(chǎn)品設(shè)計(jì)上具備彈性并有效降低功耗。此外，NeoFuse的高編程良率，只需一次編程便可將資料成功寫入，可大幅降低操作復(fù)雜性和測試成本。

力旺業(yè)務(wù)發(fā)展中心副總何明洲表示，力旺硅智財(cái)解決方案已成功地導(dǎo)入各類型的芯片應(yīng)用。與華邦電共同合作，將力旺的NeoFuse導(dǎo)入25納米DRAM制程，將使整體產(chǎn)品測試更加靈活，更有效率地提供符合高端客戶與應(yīng)用需求的產(chǎn)品。

力旺與華邦電對雙方來說均是重要里程碑，除現(xiàn)階段在25納米DRAM制程的合作外，未來更進(jìn)一步攜手進(jìn)行NeoFuse在二代DRAM制程的開發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在不久后即可完成布局。