太陽能級多晶硅標(biāo)準(zhǔn)是錯誤的
[導(dǎo)讀] 摘要： 太陽能級多晶硅行準(zhǔn)，名為“太陽能級”，實(shí)際上卻不是，因?yàn)樘柲芗壎嗑Ч璞仨氂袚诫s元素，如果是空穴型雜質(zhì)。 太陽能級多晶硅行準(zhǔn)，名為“太陽能級”，實(shí)際上卻不是，因?yàn)樘柲芗壎嗑?
摘要： 太陽能級多晶硅行準(zhǔn)，名為“太陽能級”，實(shí)際上卻不是，因?yàn)樘柲芗壎嗑Ч璞仨氂袚诫s元素，如果是空穴型雜質(zhì)。
太陽能級多晶硅行準(zhǔn)，名為“太陽能級”，實(shí)際上卻不是，因?yàn)樘柲芗壎嗑Ч璞仨氂袚诫s元素，如果是空穴型雜質(zhì)。
目前行業(yè)一般是硼元素，摻雜濃度通常在0.15~0.3ppm，但該標(biāo)準(zhǔn)對硼的要求均在0.05ppm以下，因此，不可能做出太陽能電池，只能叫“摻雜前太陽能級多晶硅標(biāo)準(zhǔn)”。
因?yàn)橹贫〞r找的是西門子法多晶硅廠家，該方法是針對電子級的，因此，只是降低了電子級等級就定了，實(shí)際上是個錯誤的標(biāo)準(zhǔn)。
只不過在標(biāo)準(zhǔn)的“適用范圍”里，考慮我們提出的意見，增加了“對西門子法、硅烷法等化學(xué)氣相沉積工藝”的適用范圍限制，算是一點(diǎn)修正。
責(zé)任編輯：思緒
來源：互聯(lián)網(wǎng)
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