大功率L ED是電流型器件,L ED 的亮度隨工作電流的增大而增大,為保證流過每只L ED的電流相同,使每只L ED的亮度均勻,采用L ED串聯(lián)。整個電路的結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。電流檢測為PWM控制電路提供反饋,與PWM控制芯片內(nèi)的誤差放大器的輸出信號進行比較,實現(xiàn)對輸出脈沖占空比的控制,從而穩(wěn)定流過L ED的電流。PWMD是數(shù)字調(diào)光脈沖信號輸入,通過調(diào)節(jié)其占空比可以調(diào)節(jié)L ED的亮度,達到調(diào)光的目的。

采用的IC芯片UC3843是高性能固定頻率電流模式控制器,芯片有8個引腳,外電路接線簡單,所用元件少,且性能優(yōu)越,成本低,芯片內(nèi)部具有可微調(diào)的振蕩器(能進行精確的占空比控制) 、溫度補償?shù)膮⒖?、高增益誤差放大器、電流取樣比較器。電壓調(diào)整率好,頻率響應好,穩(wěn)定幅度大;具有低啟動電流,帶滯后的欠壓鎖定,工作頻率可達500kHz ,大電流的圖騰柱式輸出,非常適合驅(qū)動MOS場效應管。

其內(nèi)部結(jié)構(gòu)方框圖如圖2所示。

圖1　驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)框圖

圖2　UC3843內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡化結(jié)構(gòu)框圖

1. 1　驅(qū)動主電路設計

該電路主要由UC3843 ,MOSFET Q1 ,電感L1和大功率L ED串續(xù)流二極管D1及檢測電阻R12組成的BUCK型峰值電流控制模式電路,如圖3所示。利用引腳4所接的電阻電容R13和C9確定PWM的鋸齒波振蕩頻率;由R1 ,R2 ,電位器R3TL431 ,R4 ,R5 ,C3和UC3843內(nèi)部的誤差放大器組成電流檢測反饋的電壓基準與電流檢測信號通過電流檢測比較器比較來控制PWM信號的占空比,限制流過L ED的電流峰值。由此可得流過L ED的電流峰值為:

Ipcak≈Is =(Vpin1- 1. 4V)/3R12(1)

式中,Vpin1為UC3843芯片1腳電壓, Ipcak為流過L ED的電流峰值, Is 為檢測電流峰值。

圖3　驅(qū)動電路原理圖