國(guó)際汽車(chē)協(xié)會(huì)針對(duì)車(chē)用電子組件產(chǎn)品的操作溫度，從Grade0的-40～+150℃到Grade4的0～+70℃，共有五種等級(jí)。這一產(chǎn)品驗(yàn)證規(guī)格針對(duì)車(chē)用IC功能及其所在位置的不同，提供了相當(dāng)完整的定義，而這些詳盡的產(chǎn)品驗(yàn)證規(guī)格對(duì)車(chē)用電子產(chǎn)品測(cè)試有很大的幫助。

“但是在可靠性方面，在IC工藝驗(yàn)證規(guī)格上，國(guó)際汽車(chē)電子協(xié)會(huì)僅著重于晶圓制造可靠性測(cè)試的項(xiàng)目定義，并未清楚規(guī)范壓力條件及任何具體的數(shù)據(jù)化標(biāo)準(zhǔn)，而且相關(guān)的數(shù)據(jù)、測(cè)試及驗(yàn)算方法也都不須主動(dòng)提供。這給設(shè)計(jì)與制造合格的車(chē)用IC帶來(lái)了巨大難度。”臺(tái)積電車(chē)用電子專(zhuān)案處長(zhǎng)鄭國(guó)棟指出。

因此，可靠性成為橫亙?cè)谥袊?guó)IC廠商面前的一座大山。鄭國(guó)棟解釋?zhuān)骸耙话銇?lái)說(shuō)，在典型的晶圓生產(chǎn)與全部測(cè)試流程完成后，缺陷值為200～500ppm；而當(dāng)進(jìn)一步完成對(duì)邏輯IC的掃描和功能測(cè)試、對(duì)嵌入式RAM的嵌入式自測(cè)試，以及速度測(cè)試、超壓測(cè)試、超溫測(cè)試、動(dòng)態(tài)電壓強(qiáng)度測(cè)試、低壓測(cè)試等程序后，我們可以期望缺陷值下降到20～50ppm。”他接著表示，“但是，這仍不能滿足汽車(chē)IC的零缺陷需求。如何能達(dá)到零缺陷呢？”鄭國(guó)棟問(wèn)道？

臺(tái)積電“車(chē)用電子套裝服務(wù)”助中國(guó)IC實(shí)現(xiàn)零缺陷

鄭國(guó)棟表示，TSMC所開(kāi)發(fā)的“車(chē)用電子套裝服務(wù)”，在前面測(cè)試的基礎(chǔ)上增加了零件平均測(cè)試（PAT）、統(tǒng)計(jì)良率界限（SYL）、統(tǒng)計(jì)測(cè)試結(jié)果界限（SBL）測(cè)試，以及更嚴(yán)格的控制程序、KLA和WAT測(cè)試，可以將缺陷值降至接近“零”的水平。他舉例道：比如臺(tái)積電采用0。25um工藝生產(chǎn)的車(chē)用嵌入式閃存，出貨已達(dá)540K晶圓片，缺陷率僅為0。07ppm；而采用0。18um生產(chǎn)的車(chē)用嵌入式閃存，出貨已超過(guò)20K晶圓片，缺陷值僅為0。05ppm。嵌入式閃存是車(chē)用MCU中重要模塊?！霸撥?chē)用電子套裝服務(wù)包含更嚴(yán)密的工藝管制、組件層級(jí)的篩選界限、芯片良率測(cè)試報(bào)廢準(zhǔn)則、更多的統(tǒng)計(jì)工藝控管以及特選的制造工具，將這些措施搭配客戶的測(cè)試覆蓋率及測(cè)試方法，更能減少實(shí)際行車(chē)的故障率?！彼忉?zhuān)爸翱蛻羰悄玫叫酒蟛拍苓M(jìn)行測(cè)試，而TSMC所提出的工藝驗(yàn)證規(guī)格則是從源頭就幫客戶把關(guān)，明確定義且數(shù)據(jù)化各項(xiàng)芯片的驗(yàn)證規(guī)格，更能確?？蛻舻碾娮咏M件壽命大幅超越車(chē)輛的使用年限。因而，這套服務(wù)也受到我們客戶的客戶的歡迎?！?/FONT>