[導讀]三星電子(Samsung)發(fā)表首款多芯片封裝(MCP)的PRAM，將在本季稍晚提供給移動電話設計使用。
三星此款512Mb MCP PRAM與40奈米級NOR Flash的軟硬件功能皆兼容，此MCP亦可完全兼容于以往獨立式(stand-alone) PRAM
三星電子(Samsung)發(fā)表首款多芯片封裝(MCP)的PRAM，將在本季稍晚提供給移動電話設計使用。
三星此款512Mb MCP PRAM與40奈米級NOR Flash的軟硬件功能皆兼容，此MCP亦可完全兼容于以往獨立式(stand-alone) PRAM芯片技術，為移動電話設計人員帶來相當?shù)谋憷浴?strong>三星并預計，PRAM將在明年以前被廣泛接受，并成為在NOR Flash之后消費性電子設計使用的主要內存技術。
PRAM是透過其由鍺、銻、鈦合成的材料之相變特性來儲存數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)，相較于NOR芯片，可提供快三倍的數(shù)據(jù)儲存效能。此款新的MCP PRAM內存結合了閃存的非揮發(fā)性特質與DRAM的快速能力。其簡單的組件構造可令設計手機專用MCP芯片的過程變得更快速、更容易，并透過運用 30奈米級等更先進的制程技術，克服NOR flash技術長期以來所存在的設計難題。
作為NOR的替代技術，PRAM更能輕易地滿足手機與其他行動裝置對于快速、高密度非揮發(fā)性內存的需求，例如MP3、個人多媒體播放器與導航裝置。
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