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晶圓代工業(yè)績一飛沖天今年市場規(guī)模上看276億美元

時(shí)間：2010-09-19 15:58:18

關(guān)鍵字：晶圓代工臺(tái)積電聯(lián)電 GLOBALFOUNDRIES

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[導(dǎo)讀]景氣復(fù)蘇，加上半導(dǎo)體大廠采輕晶圓廠策略，使得2010年晶圓代工業(yè)績一飛沖天，業(yè)界估計(jì)半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計(jì)可創(chuàng)下近10年新高紀(jì)錄，上探276億美元，較2009年成長35%以上，更可望推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長20%以上，據(jù)估計(jì)整體半

景氣復(fù)蘇，加上半導(dǎo)體大廠采輕晶圓廠策略，使得2010年晶圓代工業(yè)績一飛沖天，業(yè)界估計(jì)半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計(jì)可創(chuàng)下近10年新高紀(jì)錄，上探276億美元，較2009年成長35%以上，更可望推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長20%以上，據(jù)估計(jì)整體半導(dǎo)體產(chǎn)值將可達(dá)到2,745億美元。

半導(dǎo)體產(chǎn)品高階制程研發(fā)耗時(shí)耗資，半導(dǎo)體大廠多采輕晶圓策略，延續(xù)舊有廠房設(shè)備，避免巨額資本投資，自行生產(chǎn)模擬產(chǎn)品，將高階數(shù)字CMOS制程外發(fā)予晶圓代工廠生產(chǎn)，美國德州儀器(TexasInstruments)、日本瑞薩電子(RenesasElectronics)等大廠紛紛將尖端產(chǎn)品委由臺(tái)積電、聯(lián)電等大廠代工。

大陸研究機(jī)構(gòu)水清木華(ResearchInChina)表示，長期而論，晶圓代工市場擴(kuò)張幅度將高于整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

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景氣度過寒冬，加上眾半導(dǎo)體廠采輕晶圓策略，高階尖端制程委外，雙雙推動(dòng)晶圓代工業(yè)績蓬勃發(fā)展，2010年晶圓代工產(chǎn)值可望成長35%以上，市場規(guī)模將上探276億美元。

2010年如臺(tái)積電、聯(lián)電等晶圓代工大舉提高資本支出，提升技術(shù)、產(chǎn)能，此外市場新秀GlobalFoundries崛起，打破臺(tái)積電、聯(lián)電、特許、中芯國際(SMIC)四強(qiáng)爭霸局面。

GlobalFoundries購并全球第3大晶圓代工廠特許半導(dǎo)體(Chartered)，將中芯國際遠(yuǎn)甩于后，當(dāng)前與臺(tái)積電、聯(lián)電三足鼎立晶圓代工市場，然特許經(jīng)營不佳，GlobalFoundries扭轉(zhuǎn)局面費(fèi)時(shí)，加上當(dāng)前技術(shù)尚無法法媲美臺(tái)積電、聯(lián)電，新廠自2009年方動(dòng)土，2012年方能投產(chǎn)，產(chǎn)能亦落后市場前輩，然2010年該公司加碼投資，資本支出計(jì)達(dá)25億美元，積極挑戰(zhàn)競爭對(duì)手，讓臺(tái)積電、聯(lián)電已感壓力。

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或?qū)⑸a(chǎn)先進(jìn)制程工藝，臺(tái)積電在日本擴(kuò)充產(chǎn)能

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早前，就有消息稱臺(tái)積電或?qū)⒃?月份正式量產(chǎn)3nm工藝，預(yù)計(jì)于第三季下旬投片量將會(huì)有一個(gè)大幅度的拉升，而第四季度的投片量會(huì)達(dá)到上千的水準(zhǔn)并且正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。

關(guān)鍵字：臺(tái)積電三星芯片半導(dǎo)體

[通信先鋒]

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關(guān)鍵字：臺(tái)積電 3nm

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周四美股交易時(shí)段，受到“臺(tái)積電預(yù)期明年半導(dǎo)體行業(yè)可能衰退”的消息影響，包括英偉達(dá)、英特爾、阿斯麥等頭部公司均以大跌開盤，但在隨后兩個(gè)小時(shí)內(nèi)紛紛暴力拉漲，多家千億美元市值的巨頭較開盤低點(diǎn)向上漲幅竟能達(dá)到10%。

關(guān)鍵字：臺(tái)積電半導(dǎo)體芯片

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9月漲價(jià)潮來襲，誰漲的最多？（附今年100多封漲價(jià)函合集）

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關(guān)鍵字：臺(tái)積電 16nm 俄羅斯 S1000 芯片

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關(guān)鍵字：專利侵權(quán) 三星臺(tái)積電高通公司 337調(diào)查 USITC

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