[導讀]日前，由中國電科第13研究所研制的MEMS加速度傳感器突破了高精度SOI工藝加工、圓片級可調(diào)阻尼封裝、低功耗ASIC專用集成電路等關鍵技術，在國際招標項目中，一舉戰(zhàn)勝美國PCB公司和瑞士奇石樂等國際知名傳感器廠商。這
日前，由中國電科第13研究所研制的MEMS加速度傳感器突破了高精度SOI工藝加工、圓片級可調(diào)阻尼封裝、低功耗ASIC專用集成電路等關鍵技術，在國際招標項目中，一舉戰(zhàn)勝美國PCB公司和瑞士奇石樂等國際知名傳感器廠商。這是國產(chǎn)MEMS加速度傳感器首次在國際招標中獲勝，標志著中國電科MEMS加速度傳感器已達到國際先進產(chǎn)品水平。
MEMS加速度傳感器具備高精度、高分辨率（分辨率優(yōu)于10μg）、低噪聲（13所2.5μg，國外同類產(chǎn)品約5μg）、低功耗、低溫漂、抗過載和超小體積（體積是國外同類產(chǎn)品1/4）、重量小于1.2克（國外同類產(chǎn)品約10克）等技術特點，主要技術指標全面超越國外同類產(chǎn)品。
MEMS加速度傳感器具備高精度、高分辨率（分辨率優(yōu)于10μg）、低噪聲（13所2.5μg，國外同類產(chǎn)品約5μg）、低功耗、低溫漂、抗過載和超小體積（體積是國外同類產(chǎn)品1/4）、重量小于1.2克（國外同類產(chǎn)品約10克）等技術特點，主要技術指標全面超越國外同類產(chǎn)品。
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