半導體制程微縮到40納米以下后，3D封測技術(shù)在半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的角色日趨重要，包括臺積電、聯(lián)電、日月光、矽品、京元電、力成、頎邦等一線大廠，已經(jīng)開始著手布建3D IC及相對應的系統(tǒng)級封測（SiP）產(chǎn)能。而目前最被看好的技術(shù)，包括了直通矽晶穿孔（TSV）、矽中介板（Silicon Interposer）、厚銅制程及銅柱凸塊（Copper Pillar Bump）等，由于國際IDM廠并未針對封測新技術(shù)進行投資，封測業(yè)者預估明年下半年IDM廠轉(zhuǎn)單效應就會顯現(xiàn)，并可開始接單量產(chǎn)。

智能型手機及平板計算機等行動裝置的輕薄短小特性，推動芯片制程在今年底開始進入40納米及28納米世代，也讓3D IC及SiP等先進封測制程出現(xiàn)需求。SEMI臺灣暨東南亞區(qū)總裁曹世綸表示，3D IC是半導體封裝的必然趨勢，現(xiàn)在所有產(chǎn)業(yè)鏈中的廠商都在尋找更經(jīng)濟的解決方案和合作伙伴，希望盡早克服技術(shù)瓶頸、達成量產(chǎn)目標。

晶圓雙雄下半年開始擴大40納米及28納米接單，對于3D IC及SiP封測制程需求開始浮現(xiàn)，其中聯(lián)電與爾必達、力成合作，針對28納米以下制程發(fā)展TSV封測技術(shù)，臺積電在上周法說會中，宣布要開始提供客戶包括矽中介板（silicon interposer）、銅柱凸塊、銅柱導線直連（Bump on Trace，BOT）等先進封裝制程。

封測廠對于爭取3D IC及SiP商機也是動作積極，日月光及矽品已開始量產(chǎn)多芯片3D堆疊SiP封裝技術(shù)，包括將ARM架構(gòu)應用處理器及Mobile DRAM集成封裝在一起，另外矽中介板、銅柱凸塊等已經(jīng)開始量產(chǎn)。至于京元電及頎邦則在日前宣布針對厚銅制程及銅柱凸塊等進行合作，明年上半年就可開始量產(chǎn)。

日月光研發(fā)長唐和明表示，雖然業(yè)界過去幾年在3D IC技術(shù)開發(fā)上有很長足的進展，3D IC在能大量商品化前，還需要克服包含成本、設計、量產(chǎn)、測試及供應鏈在內(nèi)重要挑戰(zhàn)。

唐和明指出，由于使用矽中介板的2.5D IC供應鏈已大致完備，2.5D IC的導入預期會幫助半導體技術(shù)更加順利地由40納米導入28納米及以下。在計算機及智能型手機等應用驅(qū)動下，預估明年下半年相關(guān)芯片就將進入量產(chǎn)，2013年采用2.5D與3D IC的終端電子產(chǎn)品將有機會問世。