[導(dǎo)讀]筆者感覺(jué)最具有沖擊力的是瑞薩的演講。演講者是田中政樹(shù)(品質(zhì)保證統(tǒng)括部MCU品質(zhì)保證第一部高級(jí)專家)(圖1)。田中介紹了30~40年前在日立制作所發(fā)生的、與DRAM封裝的耐濕性相關(guān)聯(lián)的故障。該故障是首次在日立以外的
筆者感覺(jué)最具有沖擊力的是瑞薩的演講。演講者是田中政樹(shù)(品質(zhì)保證統(tǒng)括部MCU品質(zhì)保證第一部高級(jí)專家)(圖1)。田中介紹了30~40年前在日立制作所發(fā)生的、與DRAM封裝的耐濕性相關(guān)聯(lián)的故障。該故障是首次在日立以外的公開(kāi)場(chǎng)合提及…… 第41屆可靠性及可維護(hù)性學(xué)術(shù)研討會(huì)于7月14日和15日在東京舉行(由日本科學(xué)技術(shù)聯(lián)盟主辦)。14日下午舉行了以半導(dǎo)體及電子部件的故障分析和可靠性為主題的會(huì)議(Session 1和Session 2)。兩會(huì)議合計(jì)有6項(xiàng)發(fā)表。演講者所屬單位分別為東芝、浜松光電、東京大學(xué)、瑞薩電子、索尼及京瓷。
圖1:田中政樹(shù)在演講中
攝影:Tech-On!。(點(diǎn)擊放大)
雖說(shuō)是個(gè)人判斷,但筆者感覺(jué)最具有沖擊力的是瑞薩的演講。演講者是田中政樹(shù)(品質(zhì)保證統(tǒng)括部MCU品質(zhì)保證第一部高級(jí)專家)(圖1)。田中介紹了30~40年前在日立制作所發(fā)生的、與DRAM封裝的耐濕性相關(guān)聯(lián)的故障。該故障是首次在日立以外的公開(kāi)場(chǎng)合提及。瑞薩認(rèn)為,在可靠性工程師之間廣泛分享通過(guò)故障所獲得的教訓(xùn)及經(jīng)驗(yàn)十分重要,從而決定發(fā)表。
據(jù)田中介紹,日立于1970年前后首次使IC樹(shù)脂封裝實(shí)用化,將其應(yīng)用在了DRAM上。當(dāng)時(shí),樹(shù)脂封裝成為日立DRAM的賣點(diǎn)之一。在選擇該樹(shù)脂封裝使用的樹(shù)脂時(shí),日立將候選對(duì)象最終鎖定為兩種。接著進(jìn)行了被稱為PCT(Pressure Cooker Test)的加速試驗(yàn),選擇了經(jīng)該試驗(yàn)判斷具有長(zhǎng)壽命的樹(shù)脂A。PCT試驗(yàn)是一項(xiàng)在121℃、濕度100%的高溫、高濕度環(huán)境下的加速試驗(yàn)。
然而在供貨1~2年期間,使用樹(shù)脂A封裝的DRAM卻頻頻發(fā)生Al布線腐蝕的故障。甚至還有故障率達(dá)到供貨量10%的產(chǎn)品。因?yàn)檫@是在通過(guò)PCT試驗(yàn)的IC上發(fā)生的故障,所以在日立內(nèi)部又被稱為“PCT事件”。在該事件發(fā)生后,日立再次使用樹(shù)脂A以及在PCT試驗(yàn)中被剔除的樹(shù)脂B進(jìn)行了與耐濕性相關(guān)的壽命試驗(yàn)。
圖2:對(duì)DRAM封裝用樹(shù)脂實(shí)施重新評(píng)測(cè)的結(jié)果
圖片源自瑞薩。(點(diǎn)擊放大)
圖3:隨著試驗(yàn)環(huán)境的變化,結(jié)果發(fā)生劇變。
圖片源自瑞薩。(點(diǎn)擊放大)
結(jié)果得出了在65℃等低溫下樹(shù)脂B的壽命更長(zhǎng)的結(jié)果(圖2)。也就是說(shuō),由此可以判斷,在實(shí)際使用環(huán)境下,樹(shù)脂B的壽命要比PCT試驗(yàn)中表現(xiàn)出色的樹(shù)脂A更長(zhǎng)。從中可以得到的教訓(xùn)是:“對(duì)可靠性進(jìn)行評(píng)測(cè)時(shí),加速試驗(yàn)并不是萬(wàn)能的,應(yīng)該優(yōu)先實(shí)施接近實(shí)際使用環(huán)境的試驗(yàn)”。 原因來(lái)自可靠性試驗(yàn)人員的汗水
雖然PCT事件隨著將樹(shù)脂A換成樹(shù)脂B而結(jié)束,但直到1980年代耐濕性問(wèn)題一直未能得到根本性解決。300毫英寸的DIP、QFP、SOP等小型封裝無(wú)法確保充分的耐濕性。比如,在因?yàn)榻咏鼘?shí)際使用環(huán)境而受到重視的“65℃/濕度95%”的耐濕性試驗(yàn)中,存在焊盤(pán)腐蝕問(wèn)題。雖然在原因未指定的情況下采取了改變封裝材料及制造方法等措施,但一直未能充分防止腐蝕。
圖4:通過(guò)開(kāi)發(fā)在新試驗(yàn)中獲得合格的樹(shù)脂,徹底解決了耐濕性問(wèn)題。
圖片源自瑞薩。(點(diǎn)擊放大)
圖5:利用有機(jī)溶劑來(lái)溶解芯片間的粘合劑。
圖片源自東芝。(點(diǎn)擊放大)
原因與可靠性試驗(yàn)人員和場(chǎng)所的變化(可靠性試驗(yàn)環(huán)境的變化)有關(guān)。具體情況是,以前在25℃的房間內(nèi)實(shí)施的試驗(yàn)從某時(shí)起被拿到30℃的房間內(nèi)進(jìn)行,可靠性試驗(yàn)結(jié)果由此迅速惡化(圖3)。在尋找惡化原因時(shí)發(fā)現(xiàn),問(wèn)題出在試驗(yàn)人員的汗水上。汗水中含有的氯(Cl)造成了污染。由此得出的結(jié)論是,小型封裝無(wú)法確保充分耐濕性的原因出在IC使用環(huán)境中還有的鹽身上,于是便誕生了新的可靠性試驗(yàn)方法。
圖6:太赫茲微光顯微鏡的特點(diǎn)
圖片源自浜松光電。(點(diǎn)擊放大)
圖7:加速電極的效果
圖片源自東京大學(xué)。(點(diǎn)擊放大)
具體操作時(shí),通過(guò)浸在1%的食鹽水(進(jìn)行Cl污染)中實(shí)施“65℃/濕度95%”的耐濕性試驗(yàn)。在該試驗(yàn)中合格的樹(shù)脂材料便被挖掘出來(lái),從而消除了在野外時(shí)耐濕性不足所導(dǎo)致的故障。由此,樹(shù)脂封裝實(shí)現(xiàn)了與陶瓷封裝相同的耐濕性(圖4)。這種新型樹(shù)脂目前已有25年以上的應(yīng)用業(yè)績(jī)。
另外,據(jù)田中介紹,焊盤(pán)之所以會(huì)被食鹽中的鹽所腐蝕是源于鹽的潮解作用。在高濕度狀態(tài)下,隨著潮解的發(fā)生,含鹽的水分會(huì)順著引線框架和焊絲傳遞,從而使焊盤(pán)受到腐蝕。
通過(guò)使用有機(jī)溶劑,利用低浸蝕處理使芯片實(shí)現(xiàn)分離
下面來(lái)介紹一下其他發(fā)表的要點(diǎn)。東芝的演講者住吉貴充(半導(dǎo)體公司大分工廠品質(zhì)保證部故障分析技術(shù)負(fù)責(zé)人)介紹了對(duì)封裝內(nèi)縱向?qū)盈B的芯片實(shí)施分離的方法。為了去除縱向?qū)盈B的芯片間的粘合劑,以往一直使用發(fā)煙硝酸和研磨法,但容易發(fā)生斷裂和焊盤(pán)腐蝕問(wèn)題。因此,東芝通過(guò)使用有機(jī)溶劑,利用低浸食處理使芯片實(shí)現(xiàn)了分離(圖5)。
浜松光電的演講者是松本徹(系統(tǒng)事業(yè)部第3設(shè)計(jì)部第18部門(mén)專職成員)。松本介紹了使用飛秒激光器和太赫波檢測(cè)器的微光顯微鏡(圖6)。特點(diǎn)是無(wú)需在外部以電氣方式操作作為被檢查對(duì)象的芯片。松本在演講中展示了試用時(shí)的圖像示例等。但遺憾的是主要檢查的是0.35μm的芯片。希望能夠有半導(dǎo)體廠商提供65nm及45nm等尖端芯片。
東京大學(xué)的演講者是伊藤誠(chéng)吾(生產(chǎn)技術(shù)研究所機(jī)械及生體系部門(mén)滝口研究室特聘研究員)。伊藤介紹了對(duì)準(zhǔn)靜電場(chǎng)實(shí)施檢測(cè)的故障分析技術(shù)的改進(jìn)。對(duì)象物為半導(dǎo)體時(shí),準(zhǔn)靜電場(chǎng)容易檢測(cè)出來(lái),但樹(shù)脂封裝等絕緣體的話就很難檢測(cè)了。因此,伊藤通過(guò)在傳感器上增加“加速電極”,獲得了在絕緣體時(shí)也可檢測(cè)的S/N(圖7)。[!--empirenews.page--]
圖8:對(duì)已封裝完的印刷基板實(shí)施反復(fù)彎曲試驗(yàn)的概要
圖片源自索尼。(點(diǎn)擊放大)
圖9:柵極絕緣性劣化
圖片源自京瓷。(點(diǎn)擊放大)
索尼的演講者是尾崎晉佑(PDSG半導(dǎo)體事業(yè)本部品質(zhì)可靠性部門(mén)可靠性技術(shù)部LSI可靠性技術(shù)課可靠性工程師)。尾崎介紹了對(duì)封裝完的印刷基板實(shí)施的反復(fù)彎曲試驗(yàn)。該試驗(yàn)向已封裝完的IC封裝與印刷基板的焊點(diǎn)接合部實(shí)施應(yīng)力(反復(fù)彎曲),觀察其影響(圖8)。此次就彎曲的頻率和形狀進(jìn)行了考察。結(jié)論是:“形成最大5Hz的正弦波推壓波形時(shí)說(shuō)明可靠性出色”。
京瓷的演講者是今原和光(滋賀野洲工廠薄膜部件品質(zhì)保證部野洲品質(zhì)保證課)。今原介紹了LCD顯示器的故障和可靠性試驗(yàn)。在演講前半程介紹了LCD顯示器會(huì)發(fā)生的主要可靠性故障。包括柵極絕緣性劣化、TEF閾值漂移及單元內(nèi)殘留CD的影響等(圖9)。雖然每項(xiàng)故障都有策可施,但為了完全消除可靠性故障,需要采取更系統(tǒng)的舉措。比如,為了防止重蹈覆轍,確定設(shè)計(jì)及制造工藝的規(guī)則,予以遵守。(記者:小島 郁太郎)
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