聯電(2303-TW)(UMC-US)今(19)日宣布，已順利驗證晶圓專工業(yè)界第一個結合12V解決方案的高壓嵌入式快閃記憶體(eFlash)制程。聯電指出，此制程可將中大尺寸之觸控IC所需的驅動高壓，以及存放演算法所需的eFlash，結合于同一顆高整合度的單晶片中，并且有效地改善信噪比(SNR )。

與業(yè)界所提供的其他高壓選項(例如18V、24V或32V)相比，聯電表示，此12V解決方案在信噪比與耗電之間，提供了不錯的平衡。

聯電特殊技術開發(fā)處資深處長陳立哲表示，聯電建構了完整的技術平臺，該平臺包含了尖端技術與客戶導向的特殊技術，并能充分滿足客戶廣泛應用產品的需求。而聯電作為第一家推出整合eFlash制程的12V至鋁制程A+平臺之晶圓專工公司，也讓其有能力掌握中大尺寸觸控面板快速成長的市場契機。

聯電強調，公司現有0.18微米與0.11微米eFlash產品的成功經驗，可說為此12V eFlash平臺的順利推出，打下了穩(wěn)固的基礎，并可借此協(xié)助客戶在蓬勃發(fā)展的觸控晶片市場中，加速產品上市時程，同時差異化其產品定位。而聯電現已大量出貨eFlash晶圓，數家晶片設計公司也已經在其觸控螢幕產品上，采用并且驗證了聯電的12V eFlash解決方案。