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[導(dǎo)讀]不同于大部分外資的看法,德意志證券在今 (4)日最新出爐的報(bào)告中指出,市場(chǎng)對(duì)于半導(dǎo)體資本支出大幅提高、產(chǎn)能恐過盛的憂心已經(jīng)過度反應(yīng),德意志證券半導(dǎo)體分析師周立中表示,若觀察今年晶圓代工以及IDM資本支出的加


不同于大部分外資的看法,德意志證券在今 (4)日最新出爐的報(bào)告中指出,市場(chǎng)對(duì)于半導(dǎo)體資本支出大幅提高、產(chǎn)能恐過盛的憂心已經(jīng)過度反應(yīng),德意志證券半導(dǎo)體分析師周立中表示,若觀察今年晶圓代工以及IDM資本支出的加總,會(huì)發(fā)現(xiàn)仍低于2000、2004年的高峰,且IDM縮減資本支并加速委外代工,將有利于晶圓代工產(chǎn)業(yè),尤其臺(tái)積電 (2330)、聯(lián)電(2303)將是主要受惠者,列為首買標(biāo)的。

周立中預(yù)估,晶圓代工的主要客戶(包括無晶圓、IDM廠)的庫(kù)存水位將在今年第1、2季達(dá)到歷史平均水平的69~70天,他認(rèn)為,一但庫(kù)存水位回到歷史平均,晶圓代工的客戶在第2、3季將會(huì)對(duì)庫(kù)存回補(bǔ)轉(zhuǎn)趨謹(jǐn)慎,因經(jīng)濟(jì)的不確定且一般預(yù)期下半年復(fù)蘇將會(huì)趨緩,不過,他強(qiáng)調(diào),即使如此,因去年的基期過低,估計(jì)今年臺(tái)積電以及聯(lián)電的營(yíng)收仍可分別有35%、29%的成長(zhǎng)幅度。

不同于高盛以及瑞銀證券對(duì)晶圓代工大幅提高資本支出而憂心產(chǎn)能過剩,周立中認(rèn)為,要觀察整體產(chǎn)業(yè)資本支出是否過高,因列入IDM前段(不包括CPD、內(nèi)存)產(chǎn)能才是較全面的指標(biāo),他指出,今年總體晶圓代工以及IDM的資本支出將達(dá)165億美元,分別較2000、2004年的高峰水平低了53%、28%,這主要是因?yàn)镮DM縮減今年內(nèi)部資本支所致,如此計(jì)算半導(dǎo)體(不包括CPU、內(nèi)存)資本支出對(duì)營(yíng)收比(capex-to-sales ratio)將由2000、2004年的29%、21%降至今年的11%;另外,周立中估計(jì)2010、2011年IDM邏輯部分的委外代工比例將升高至 26%、35%,這將代表晶圓代工在2010年、2011年58億美元(年增56%)、80億美元(年增38%)的營(yíng)收。



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在半導(dǎo)體制造中,《國(guó)際器件和系統(tǒng)路線圖》將5nm工藝定義為繼7nm節(jié)點(diǎn)之后的MOSFET 技術(shù)節(jié)點(diǎn)。截至2019年,三星電子和臺(tái)積電已開始5nm節(jié)點(diǎn)的有限風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn),并計(jì)劃在2020年開始批量生產(chǎn)。

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