三星宣布量產(chǎn)下代內(nèi)存DDR4 年底出貨

時(shí)間：2013-09-03 10:44:34

關(guān)鍵字：三星內(nèi)存 DDR4 GB

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[導(dǎo)讀]三星電子在內(nèi)存行業(yè)的地位實(shí)在不容小覷，已經(jīng)在全球范圍內(nèi)第一家開(kāi)始了下代內(nèi)存DDR4的批量生產(chǎn)。不過(guò)，當(dāng)然現(xiàn)在還不是針對(duì)消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的，得等待Intel Haswell-E、AMD Carrizo APU等下下代平臺(tái)(Broadwell還不確定但感

三星電子在內(nèi)存行業(yè)的地位實(shí)在不容小覷，已經(jīng)在全球范圍內(nèi)第一家開(kāi)始了下代內(nèi)存DDR4的批量生產(chǎn)。

不過(guò)，當(dāng)然現(xiàn)在還不是針對(duì)消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的，得等待Intel Haswell-E、AMD Carrizo APU等下下代平臺(tái)(Broadwell還不確定但感覺(jué)可能性不大)。

三星表示，這次量產(chǎn)的DDR4內(nèi)存主要針對(duì)大型數(shù)據(jù)中心和其他企業(yè)級(jí)應(yīng)用，采用2xnm工藝制造，單顆容量4Gb(512MB)，單條容量16GB、32GB，工作頻率最高2667MHz，相比目前普遍使用的DDR3-2133提速了四分之一，而且還有很大潛力可挖：目前的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范中最高為DDR4-3200。

三星還宣稱，這種2xnm DDR4也是世界上性能最高、面積最小的4Gb內(nèi)存顆粒。

不過(guò)三星并未宣布具體的出貨時(shí)間，基本上得今年底了。

五年前，三星也是第一家量產(chǎn)DDR3內(nèi)存的，當(dāng)時(shí)的工藝還是5xnm。2011年初，三星又搶先完成了史上第一條DDR4內(nèi)存。