[導(dǎo)讀]近日Spansion公司與SK海力士公司聯(lián)合宣布達(dá)成合作,雙方就NAND產(chǎn)品的研發(fā)推廣等方面進(jìn)行深入探討合作。并針對(duì)嵌入式應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)布4x、3x、2x節(jié)點(diǎn)Spansion SLC NAND產(chǎn)品?;陔p方合作開(kāi)發(fā)的首款Spansion SLC NAND產(chǎn)品
近日Spansion公司與SK海力士公司聯(lián)合宣布達(dá)成合作,雙方就NAND產(chǎn)品的研發(fā)推廣等方面進(jìn)行深入探討合作。并針對(duì)嵌入式應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)布4x、3x、2x節(jié)點(diǎn)Spansion SLC NAND產(chǎn)品。基于雙方合作開(kāi)發(fā)的首款Spansion SLC NAND產(chǎn)品將于2012年第二季度面世。作為合作的一部分,雙方將同時(shí)簽訂專利交互授權(quán)協(xié)議。
Spansion的NAND產(chǎn)品主要針對(duì)諸如汽車電子、工業(yè)電子以及通信等嵌入式應(yīng)用領(lǐng)域,以補(bǔ)充NOR產(chǎn)品供應(yīng),并提供完整產(chǎn)品解決方案。Spansion公司的高性能、高可靠性SLC NAND產(chǎn)品系列將提供廣受業(yè)界認(rèn)同的客戶支持以及產(chǎn)品長(zhǎng)期供應(yīng)支持,這些服務(wù)和保證對(duì)于Spansion進(jìn)一步鞏固其在嵌入式市場(chǎng)的合作關(guān)系尤為重要。Spansion將利用自身技術(shù)專長(zhǎng)對(duì)其NAND產(chǎn)品進(jìn)行嚴(yán)格的認(rèn)證、測(cè)試、擴(kuò)展溫度支持以及包裝流程。此外,Spansion公司計(jì)劃在未來(lái)幾個(gè)季度陸續(xù)發(fā)布一系列NAND產(chǎn)品。
Spansion總裁兼首席執(zhí)行官John Kispert表示:“由于嵌入式市場(chǎng)對(duì)NAND閃存的需求的迅速增長(zhǎng),我們將不斷豐富閃存產(chǎn)品系列以完善自身定位并進(jìn)一步適合市場(chǎng)需求。受益與于與SK Hynix的合作,我們將憑借串行和并行NOR以及最新的SLC NAND產(chǎn)品進(jìn)一步擴(kuò)大在嵌入式市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。”
Spansion公司將繼續(xù)發(fā)展其電荷捕獲NAND技術(shù)。SK海力士總裁兼首席執(zhí)行官河成旼(Oh Chul Kwon)表示:“我們十分期待此次與Spansion的合作并希望借助合作進(jìn)一步鞏固雙方各自實(shí)力。憑借Spansion在多個(gè)嵌入式領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和成熟的客戶關(guān)系,以及SK海力士的NAND工藝水平和生產(chǎn)規(guī)模,我們將攜手為嵌入式市場(chǎng)開(kāi)發(fā)更具創(chuàng)新的NAND產(chǎn)品。”(責(zé)編:葉松柏)
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9月4日消息,據(jù)媒體報(bào)道,SK海力士員工今年將發(fā)放約3萬(wàn)億韓元的獎(jiǎng)金,每位員工將獲得超過(guò)1億韓元(約合人民幣51.3萬(wàn)元)的獎(jiǎng)金。
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DRAM
三星
8月6日消息,據(jù)媒體報(bào)道,作為全球最早量產(chǎn)HBM4的存儲(chǔ)器制造商,SK海力士正為AI芯片提供關(guān)鍵解決方案。依托與英偉達(dá)的獨(dú)家供應(yīng)鏈關(guān)系及自身技術(shù)領(lǐng)先地位,SK海力士計(jì)劃提高HBM4售價(jià),預(yù)計(jì)相比HBM3E溢價(jià)可能高達(dá)70...
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7月1日消息,據(jù)報(bào)道,英特爾正與SK海力士合作開(kāi)發(fā)下一代AI加速器,以提升其在AI芯片領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。
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6月5日消息,據(jù)媒體報(bào)道,強(qiáng)勁的HBM需求正重塑全球DRAM市場(chǎng)格局。 作為英偉達(dá)高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)的供應(yīng)商,SK海力士因此顯著提升了其DRAM業(yè)務(wù)收入,并帶動(dòng)整體業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。
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三星
4月9日消息,根據(jù)Counterpoint Research的2025年第一季度內(nèi)存追蹤報(bào)告,SK海力士首次超越三星電子,以36%的市占率成為全球DRAM營(yíng)收的領(lǐng)導(dǎo)者。
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SK海力士
英特爾
3月27日消息,SK海力士在今天的股東大會(huì)上表示,2025年的HBM內(nèi)存訂單已爆滿,產(chǎn)能全部售罄。
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SK海力士
英特爾
3月27日消息,近期,隨著內(nèi)存市場(chǎng)開(kāi)始迎來(lái)復(fù)蘇,多家供應(yīng)商紛紛調(diào)漲價(jià)格以應(yīng)對(duì)接下來(lái)的市場(chǎng)變化,繼閃迪傳出調(diào)漲價(jià)格之后,美光也宣布了其漲價(jià)計(jì)劃。
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美光
NAND
SK 海力士預(yù)計(jì)將獨(dú)家供應(yīng)英偉達(dá) Blackwell Ultra 架構(gòu)芯片第五代 12 層 HBM3E,預(yù)期與三星電子等差距將進(jìn)一步拉大。
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SK海力士
英偉達(dá)
1月23日消息,SK海力士近期揭曉了其2024財(cái)年及第四季度的亮眼財(cái)務(wù)報(bào)告,標(biāo)志著公司歷史上的一座新里程碑。
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SK海力士
英特爾
12月30日消息,據(jù)媒體報(bào)道,日前,業(yè)內(nèi)人士爆料,稱SK海力士旗下晶圓代工子公司SK海力士系統(tǒng)IC開(kāi)始對(duì)員工重組。
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SK海力士
英特爾
12月25日消息,據(jù)媒體報(bào)道,面對(duì)市場(chǎng)需求疲軟和價(jià)格持續(xù)下跌的壓力,NAND閃存大廠美光將減少10%的NAND晶圓產(chǎn)量,以調(diào)控供給量,期望借此提振市場(chǎng)需求。
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美光
NAND
12月18日消息,據(jù)報(bào)道,SK海力士開(kāi)發(fā)出適用于AI數(shù)據(jù)中心的高容量固態(tài)硬盤——PS1012 U.2。
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SK海力士
英特爾
12月2日消息,據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,在全球內(nèi)存市場(chǎng)上長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)的三星電子和SK海力士,近日出人意料地結(jié)成聯(lián)盟,共同推動(dòng)LPDDR6-PIM內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)化。
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三星
SK海力士
11月21日消息,今天SK海力士官方宣布,已開(kāi)始量產(chǎn)全球首款321層1TB TLC 4D NAND閃存。
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SK海力士
英特爾
e絡(luò)盟將 Flexxon 的高級(jí) NAND 閃存存儲(chǔ)與硬件安全解決方案擴(kuò)展至美洲、歐非中東及亞太地區(qū)
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NAND
閃存
存儲(chǔ)
與DRAM內(nèi)存不同,NAND在斷電后也能夠儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。閃存斷電時(shí),浮柵晶體管 (FGT) 的金屬氧化物半導(dǎo)體會(huì)向存儲(chǔ)單元供電,保持?jǐn)?shù)據(jù)的完整性。NAND單元陣列存儲(chǔ)1到4位數(shù)據(jù)。
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NAND閃存
NAND
256GB AM9C1使用先進(jìn)的V-NAND技術(shù),5nm制程控制器,提供SLC模式選項(xiàng),速度目前為三星最快 更高的性能和可靠性,使此款SSD支持端側(cè)AI功能,更適配下一代車載解決方案 深圳2024年9月24日 /美通...
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NAND
SSD
三星電子
SLC
三星最新的QLC V-NAND綜合采用了多項(xiàng)突破性技術(shù),其中通道孔蝕刻技術(shù)能基于雙堆棧架構(gòu)實(shí)現(xiàn)最高單元層數(shù) 推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND,為各種AI應(yīng)用提供優(yōu)質(zhì)內(nèi)存解決方案 深圳2024年9...
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NAND
三星
AI
存儲(chǔ)單元
深圳2024年9月4日 /美通社/ -- 隨著消費(fèi)者對(duì)電子產(chǎn)品耐用性和性能的期望日益增長(zhǎng),市場(chǎng)上對(duì)元器件的選擇標(biāo)準(zhǔn)也在不斷提高。在眾多關(guān)鍵組件中,NAND Flash因其在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理速度上的核心作用,成為了廠商們尤為...
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Flash
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NAND
SLC