“今天在會(huì)上我聽(tīng)到最溫暖的一句話就是今后我們半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)將劃歸工信部信息產(chǎn)品司集成電路處管理，關(guān)白玉處長(zhǎng)的這句話令我們非常激動(dòng)?！痹谇安痪蒙钲谂e辦的2009中國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)年會(huì)上長(zhǎng)電科技副董事長(zhǎng)于燮康在大會(huì)上表示，“這表示以后政府將加大對(duì)分立器件廠商的扶持力度?！遍L(zhǎng)期以來(lái)，看到自己的同胞兄弟（集成電路廠商）不斷享受各種扶持政策，而自己只能作為旁觀者的分立器件廠商這下終于等到了平等權(quán)益的這一天。

事實(shí)上，隨著市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體分立器件的要求越來(lái)越高，一些先進(jìn)分立器件的技術(shù)水平與集成電路不相上下，特別是一些特殊的高功率、高壓分立器件，需要非常高的技術(shù)門檻，享受與集成電路企業(yè)一樣的“高新技術(shù)企業(yè)”待遇是早就應(yīng)該解決的事情?！半m然有越來(lái)越多的分立器件集成到IC中，但是分離器件將是不可替代的，其低成本性、靈活應(yīng)用特性、可靠性以及且采購(gòu)渠道和資源豐富等特點(diǎn)決定了用戶對(duì)它的持續(xù)需求?！庇谯瓶嫡f(shuō)道，“特別是一些高功率的分立器件，是未來(lái)多種應(yīng)用中將扮演重要的角色?！北热缭趯?lái)的混合電力/純電力汽車中，高功率分離器件將扮演重要角色，這也是我國(guó)很多分離器件廠商正在研發(fā)的方向。

2008年在全球市場(chǎng)大幅下滑的情況下，中國(guó)的分立器件出貨量為2461億只，比07年下滑1.1%，而銷售額更是增長(zhǎng)12.3%，達(dá)到938億元，好于其它市場(chǎng)?！?008年我國(guó)分立器件產(chǎn)銷的一大亮點(diǎn)主要得益于全球電子整機(jī)對(duì)節(jié)能、環(huán)保需求的不斷增長(zhǎng)，這一方面帶動(dòng)了分立器件產(chǎn)品的需求增長(zhǎng)，另一方面也帶動(dòng)了市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的快速升級(jí)?！庇谯瓶到忉?。產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的快速升級(jí)帶來(lái)的是銷售額比產(chǎn)量更快速地增長(zhǎng)?！拔磥?lái)幾年，分立器件將向微型化、片式化、高性能化方向發(fā)展，功率分立器件大有作為。同時(shí)，汽車電子市場(chǎng)對(duì)功率器件的需求迅速增長(zhǎng)?！?/FONT>

一是發(fā)展電子信息產(chǎn)品急需的高端分立器件，如Si、GaAs微波功率器件、功率MOS器件、光電子器件、變?nèi)莨芗?font class=f14>肖特基二極管等；二是發(fā)展以SiGe、SiC、InP、GaN等化合物半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的新型器件；三是跟蹤世界半導(dǎo)體分立器件發(fā)展趨勢(shì)，加強(qiáng)對(duì)納米器件、超導(dǎo)器件等領(lǐng)域的研究；四是分立器件封裝技術(shù)的發(fā)展，要以片式器件為發(fā)展方向，以適應(yīng)各種電子設(shè)備小型化、輕量化、薄型化的需要。

中國(guó)電科集團(tuán)南京電子器件研究所單片集成電路與模塊國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室邵凱對(duì)微波器件的發(fā)展趨勢(shì)發(fā)表如下看法：微波器件的應(yīng)用主要分為三大類：以手機(jī)射頻功放為代表的輸出功率小于5W，工作頻率為S波段以下的中功率射頻器件；以移動(dòng)通信基站功放為代表的大功率射頻器件；以及主要用于通信、雷達(dá)等領(lǐng)域的X波段及更高頻率的微波毫米波功率器件。它涉及到的半導(dǎo)體材料包括第一代的硅，第二代的砷化鎵、磷化銦以及第三代的氮化鎵和碳化硅等。不同材料適合不同應(yīng)用。目前砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（GaAs HBT）是手機(jī)射頻功放的主流技術(shù)；移動(dòng)通信基站功放則主要用硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)器件（Si LDMOS）；微波毫米波功放主要用砷化鎵配高電子遷移率晶體管（GaAs pHEMT）。但其它材料和器件結(jié)構(gòu)也在參與激烈競(jìng)爭(zhēng)，尤其是第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的出現(xiàn)帶來(lái)了新的希望。

中國(guó)電子科技集團(tuán)公司趙正平則指出，GaN HEMT在微波毫米波領(lǐng)域有了突破性進(jìn)展，目前正處于從科研向工程化轉(zhuǎn)化的關(guān)鍵時(shí)期。由于其高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，高電子飽和速度，高的兩維電子氣濃度，SiC襯底的高熱導(dǎo)率，使得GaN HEMT的微波功率密度比Si、GaAs微波器件提高了十倍以上。預(yù)期2010年GaN HEMT將在軍民用系統(tǒng)中獲得應(yīng)用。