今年以來隨著SSD的平均售價大幅下跌，這種快速低功耗的存儲設備也隨之受到更多用戶的歡迎。不過近日日本廠商Buffalo開發(fā)出的MRAM緩存SSD（磁性阻抗RAM）和美光量產PCM（相變內存）代表了SSD產業(yè)除不斷提高制程拼產能成本之外的另一種發(fā)展方向，《日本經濟新聞》評論稱一兩年之內SSD產業(yè)將迎來另一次革命。

目前的主流SSD產品除閃存之外，多搭載更高速的DDR2/DDR3 DRAM作為緩存之用（部分SandForce主控產品除外）。但眾所周知DRAM有著斷電之后不能保存數(shù)據(jù)這一缺點，遇到突然斷電時很可能導致SSD數(shù)據(jù)丟失。出現(xiàn)此種情況對于工業(yè)級產品的危害要遠大于民用級產品：不僅是丟失數(shù)據(jù)，還可能造成主控損壞。因此目前工業(yè)級SSD會使用超級電容器使得DRAM緩存的電力供應維持數(shù)秒以將其轉移至閃存中。

而MRAM就不一樣，由于材料特性使用MRAM在失去電源供應時仍能存儲數(shù)據(jù)，使其可以完全替代DRAM+超級電容器在工業(yè)級SSD當中的位置。另外，MRAM的最大優(yōu)點為它可以根據(jù)系統(tǒng)狀況隨時切換開/關狀態(tài)，使得SSD整體功耗降低20-50%。雖然也只有寥寥幾瓦，不過對于使用SSD作為主要存儲方案的機器就相當于可觀的續(xù)航時間。

目前MRAM材料的主要缺點為制造成本仍然十分高昂，主要面向工業(yè)級產品。但其改進型STT-MRAM和NAND閃存一樣可以通過提高制程犧牲一些壽命換取成本下降，《日本經濟新聞》預計2013年下半年民用市場可普及使用MRAM作為緩存的SSD。學術界對于MRAM在CPU中充當緩存的想法也在探討之中。

除此之外SSD中的NAND閃存未來也將被逐漸代替，這些新的RAM芯片均具有斷電不丟失數(shù)據(jù)的特性，成本也低于上面的MRAM：要么速度遠高于閃存（ReRAM的寫入速度可達NAND閃存一萬倍），要么在速度稍高的情況下耐久度和SLC閃存相當（PCM相變內存），同時寫入時的功耗平均只有目前SSD產品的1/300。

結合以上觀點，《日本經濟新聞》認為，1-2年之內SSD產業(yè)的進展值得每一個用戶去關注。

Buffalo于5月展示的MRAM緩存SSD樣品

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