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聯(lián)電公布技術(shù)發(fā)展圖質(zhì)疑450mm晶圓可行性

時(shí)間：2008-06-18 09:22:34

關(guān)鍵字：晶圓聯(lián)電 65NM 節(jié)點(diǎn)

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[導(dǎo)讀]在設(shè)計(jì)自動(dòng)化會(huì)議（DesignAutomationConference，DAC）上，臺(tái)灣代工廠商聯(lián)電（UMC）公布了公司的工藝發(fā)展路線圖，并宣布與EDA">EDA領(lǐng)域形成聯(lián)盟關(guān)系。與代工龍頭廠商臺(tái)積電（TSMC）不同，全球第二大代工廠商聯(lián)電

在設(shè)計(jì)自動(dòng)化會(huì)議（DesignAutomationConference，DAC）上，臺(tái)灣代工廠商聯(lián)電（UMC）公布了公司的工藝發(fā)展路線圖，并宣布與EDA">EDA領(lǐng)域形成聯(lián)盟關(guān)系。

與代工龍頭廠商臺(tái)積電（TSMC）不同，全球第二大代工廠商聯(lián)電（UMC）表示，不開發(fā)下一代450mm晶圓技術(shù)。

聯(lián)電的65nm技術(shù)已啟動(dòng)了一段時(shí)間，公司將立即進(jìn)入45nm和40nm節(jié)點(diǎn)。其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電也正在將高k金屬柵方案用于32nm節(jié)點(diǎn)。

聯(lián)電的45/40nm工藝采用多層金屬、銅互連和超低k介質(zhì)等技術(shù)。在該節(jié)點(diǎn)，k系數(shù)約為2.5，而65nm節(jié)點(diǎn)上該數(shù)字為3.0。

同時(shí)聯(lián)電將采用沉浸式光刻技術(shù)。45/40nm工藝預(yù)計(jì)在今年底進(jìn)入初產(chǎn)階段。

聯(lián)電在32nm節(jié)點(diǎn)的研發(fā)上也從未停下腳步，預(yù)計(jì)將在2010年底發(fā)布，該工藝將采用高k金屬柵技術(shù)。聯(lián)電拒絕透露詳細(xì)信息。

聯(lián)電預(yù)計(jì)將在Fab12300mm工廠投入45/40nm工藝，該工廠位于臺(tái)灣臺(tái)南。從目前來(lái)看，聯(lián)電還為推進(jìn)450mm晶圓廠，而其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電，以及英特爾和三星正在推行450mm晶圓廠，預(yù)計(jì)將在2012年完成。

“目前，450mm還不是一項(xiàng)激動(dòng)人心的技術(shù)。”聯(lián)電副總裁李?。↙eeChung）說(shuō)道，“在300mm技術(shù)中，還有許多改善生產(chǎn)效率的事情可以做。”

當(dāng)被問及是否認(rèn)為450mm會(huì)在2012年出現(xiàn)時(shí)，李俊說(shuō)道：“我不相信。”他表示，真正面臨挑戰(zhàn)的是設(shè)備制造商，他們對(duì)進(jìn)入450mm世代沒有太大的興趣。

聯(lián)電還公布了一些和EDA">EDA廠商聯(lián)盟的策略。Cadence和聯(lián)電公布了基于CommonPowerFormat的低功耗設(shè)計(jì)參考流程，針對(duì)聯(lián)電的65nm工藝。

Synopsys和聯(lián)電也發(fā)布了低功耗設(shè)計(jì)參考流程，支持聯(lián)電的65nm工藝。新流程包括基于UnifiedPowerFormat標(biāo)準(zhǔn)的RTL-to-GDSII設(shè)計(jì)功能。

Magma和聯(lián)電也公布了基于聯(lián)電65nm工藝庫(kù)的低功耗RTL-to-GDSII設(shè)計(jì)流程。

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