當(dāng)前位置：首頁(yè) > EDA > 電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化

力晶明年資本支出160億新臺(tái)幣

時(shí)間：2010-10-25 09:22:34

關(guān)鍵字：晶圓廠 DRAM 存儲(chǔ)器制程技術(shù)

手機(jī)看文章

掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章

[導(dǎo)讀]臺(tái)系DRAM廠力晶宣布2011年的資本支出為新臺(tái)幣160億元，較2010年的資本支出200億元減少約20%;此外，之前被主管機(jī)關(guān)退件的上限8億股的海外存托憑證(GDR)申請(qǐng)案也將重新啟動(dòng);再者，力晶亦宣布將出售部分機(jī)臺(tái)設(shè)備給設(shè)備商

臺(tái)系DRAM廠力晶宣布2011年的資本支出為新臺(tái)幣160億元，較2010年的資本支出200億元減少約20%;此外，之前被主管機(jī)關(guān)退件的上限8億股的海外存托憑證(GDR)申請(qǐng)案也將重新啟動(dòng);再者，力晶亦宣布將出售部分機(jī)臺(tái)設(shè)備給設(shè)備商，再用「售后租回」方式使用，以達(dá)活用資產(chǎn)的目的。

力晶日前決定再度啟動(dòng)募資計(jì)劃，以籌措資金購(gòu)買浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)(Immersion Scanner)機(jī)器設(shè)備，轉(zhuǎn)進(jìn)45納米制程技術(shù)，之前提出發(fā)行上限8億股GDR遭到主管機(jī)關(guān)退件，力晶召開董事會(huì)決定重新提出申請(qǐng)，額度同樣維持上限8億股。

力晶也宣布，將部分晶圓廠的機(jī)臺(tái)設(shè)備賣給設(shè)備商，再用「售后租回」的方式，以達(dá)到資產(chǎn)活用的目標(biāo)，增加手上的現(xiàn)金水位。

在2011年的資本支出方面，力晶宣布將較2010年的資本支出200億元減少20%左右，約160億元，主要用于將旗下12寸晶圓廠轉(zhuǎn)進(jìn)45納米制程技術(shù)。

力晶自結(jié)第3季財(cái)報(bào)出爐，在不加計(jì)轉(zhuǎn)投資瑞晶的財(cái)報(bào)中，單季營(yíng)收為250.24億元，毛利率17.35%，營(yíng)業(yè)凈利率12.89%，稅前獲利22.91億元、稅后獲利19.36億元，換算每股稅后0.34元。

以前3季獲利來(lái)看，力晶累計(jì)稅后獲利達(dá)122.39億元，換算前3季每股獲利為2.22元。

在12寸晶圓廠方面，目前單月產(chǎn)能為13萬(wàn)片，分為標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器和代工2大業(yè)務(wù)，標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器生產(chǎn)占8萬(wàn)片產(chǎn)能，代工產(chǎn)能占5萬(wàn)片，隨著DRAM報(bào)價(jià)下滑，力晶會(huì)逐漸增加代工比重。

本站聲明：本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布，目的在于傳遞更多信息，并不代表本站贊同其觀點(diǎn)，本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專欄作者，如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。

換一批

三星LPDDR5X DRAM運(yùn)行速度可達(dá)8.5 Gbps

（全球TMT2022年10月18日訊）10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證，可在驍龍（Snapdragon?）移動(dòng)平臺(tái)上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過...

關(guān)鍵字： DRAM GBPS 三星 LPDDR5

[TrendForce集邦]

研報(bào)丨消費(fèi)性需求不見起色，供應(yīng)鏈庫(kù)存仍高，第四季DRAM價(jià)格跌幅擴(kuò)大至13~18%

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，在高通脹影響下，消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟，旺季不旺，第三季存儲(chǔ)器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因存儲(chǔ)器需求明顯下滑而延緩采購(gòu)，導(dǎo)致供應(yīng)商庫(kù)存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí)，各DRAM供應(yīng)...

關(guān)鍵字：消費(fèi)性 DRAM 智能手機(jī)

[產(chǎn)業(yè)新聞]

8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM運(yùn)行速度創(chuàng)新高

- 在驍龍（Snapdragon）移動(dòng)平臺(tái)上，三星以8.5Gbps的運(yùn)行速度完成了LPDDR5X DRAM的驗(yàn)證，為L(zhǎng)PDDR（移動(dòng)端）內(nèi)存打開了新市場(chǎng)。深圳2022年10月18日 /美通社/ -- 10月18日，三...

關(guān)鍵字： DRAM GBPS 三星 LPDDR5

[消費(fèi)電子]

格芯、英特爾、三星代工、臺(tái)積電和德州儀器正在美國(guó)建立新的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施

10月5日訊當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二(10月4日)，美國(guó)最大內(nèi)存芯片制造商美光科技在官網(wǎng)宣布，公司計(jì)劃在紐約州中部打造一個(gè)巨型晶圓廠，以促進(jìn)在美存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)。

關(guān)鍵字：美光科技巨型晶圓廠

[通信先鋒]

存儲(chǔ)是主發(fā)力領(lǐng)域，三星公布未來(lái)3大規(guī)劃方向

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近日三星在一年一度的技術(shù)日研討會(huì)上公布了未來(lái)的3大規(guī)劃方向，其中包括1.4納米的代工制程工藝以及包括NAND、DRAM在內(nèi)的各類內(nèi)存和無(wú)晶圓廠的整體解決方案。

關(guān)鍵字：存儲(chǔ) 三星 NAND DRAM

[快科技]

未來(lái)3年存儲(chǔ)很慘：SSD雪崩腰斬只是開始 1TB不到300甚至更低？

據(jù)韓媒報(bào)道，在日前舉辦的行業(yè)活動(dòng)上，IDC韓國(guó)副總裁Kim Su-gyeom預(yù)計(jì)，存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的下行周期將持續(xù)到2025年。Kim Su-gyeom表示，今年的市場(chǎng)需求較最初預(yù)期更為糟糕，預(yù)計(jì)來(lái)年三季度DRAM和NAN...

關(guān)鍵字： SSD DRAM IDC INSIGHT

[工業(yè)控制技術(shù)文庫(kù)]

科普篇：關(guān)于Flash的介紹

Flash Memory 是一種非易失性的存儲(chǔ)器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等。在 PC 系統(tǒng)中，則主要用在固態(tài)硬盤以及主板 BIOS 中。

關(guān)鍵字： Flash 存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)

[工業(yè)控制技術(shù)文庫(kù)]

供過于求，存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)走低

與其他類型的半導(dǎo)體相比，存儲(chǔ)芯片的競(jìng)爭(zhēng)廠商數(shù)量更多，而且芯片本身的差異化程度較低，這使得存儲(chǔ)芯片更加商品化，對(duì)需求變化也就更加敏感。存儲(chǔ)芯片通常是第一個(gè)感受到需求變化并出現(xiàn)價(jià)格下跌的組件。

關(guān)鍵字：存儲(chǔ)芯片半導(dǎo)體 DRAM

[技術(shù)解析]