英特爾在先進(jìn)制程工藝上已經(jīng)被三星、臺(tái)積電反超了，這兩家今年就要量產(chǎn)7nm工藝了，英特爾明年底才有可能推出7nm工藝。盡管從技術(shù)上來說英特爾的10nm工藝可能比后兩家的7nm工藝更好，但是進(jìn)度落后已經(jīng)讓英特爾備受壓力，現(xiàn)在這個(gè)差距可能還要擴(kuò)大，臺(tái)積電斥資250億美元砸向5nm工藝，明年初就要試產(chǎn)，最快2019年底就要量產(chǎn)。

臺(tái)積電今年的7nm工藝已經(jīng)量產(chǎn)，將會(huì)為蘋果A12、華為海思麒麟980、AMD Vega等芯片代工，Q4季度會(huì)大量出貨，總計(jì)有50多個(gè)芯片已經(jīng)或者正在流片中，這個(gè)進(jìn)度要比三星、Globalfoundries以及英特爾都要領(lǐng)先。

與16nm FF工藝相比，臺(tái)積電的7nm工藝(代號(hào)N7)將提升35%的性能，降低65%的能耗，同時(shí)晶體管密度是之前的三倍。2019年初則會(huì)推出EUV工藝的7nm+(代號(hào)N7+)工藝，晶體管密度再提升20%，功耗降低10%，不能性能沒有變化。

在7nm之后，臺(tái)積電將沖刺5nm工藝，為此臺(tái)積電將投資250億美元在臺(tái)灣南科建設(shè)新的5nm晶圓廠Fab 18。根據(jù)臺(tái)積電最近公布的進(jìn)度，5nm工藝將在明年初試產(chǎn)，至于具體的量產(chǎn)時(shí)間，目標(biāo)是2020年量產(chǎn)，進(jìn)度順利的話則是2019年底。

這也意味著臺(tái)積電最快在明年底就擁有5nm工藝，屆時(shí)英特爾這邊才正式量產(chǎn)10nm工藝，雙方的差距將從一代拉大到兩代，即便英特爾的工藝再有技術(shù)優(yōu)勢(shì)，這種差距也會(huì)對(duì)英特爾的技術(shù)領(lǐng)先形象造成嚴(yán)重影響。

自從AMD在6月初首次公開展示了7nm工藝的Zen 2處理器及Vega 20顯卡之后，AMD股價(jià)大漲的一個(gè)原因就是分析師認(rèn)為英特爾在制程工藝上被對(duì)手反超。

截至目前英特爾尚未公布過未來的5nm工藝進(jìn)度，目前所知的依然是10nm，英特爾之前規(guī)劃了至少兩代10nm工藝，不過第一代10nm現(xiàn)在來看不太成功，不知道明年底量產(chǎn)時(shí)是否直接進(jìn)入二代10nm工藝時(shí)代。