4月16日，三星電子宣布其基于EUV的5 nm FinFET工藝技術(shù)已完成開發(fā)，現(xiàn)已可以為客戶提供樣品。

與7nm相比，三星的5nm FinFET工藝技術(shù)將邏輯區(qū)域效率提高了25%，功耗降低了20%，性能提高了10%，從而獲得更多創(chuàng)新的標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)。與7nm LPP一樣，三星的5nm制程在光刻中使用了EUV技術(shù)，并減少了掩模層，同時提供更好的保真度。

三星表示，5nm的另一個主要優(yōu)點是可以將所有7nm專利應(yīng)用到5nm。因此，7nm客戶過渡到5nm將極大的降低成本，預(yù)先驗證的設(shè)計生態(tài)系統(tǒng)，能夠縮短他們5nm產(chǎn)品的開發(fā)時間。

三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)的執(zhí)行副總裁Charlie Bae 表示：“成功完成5nm開發(fā)，我們已經(jīng)證明了我們在基于EUV的節(jié)點中的能力。為響應(yīng)客戶對先進(jìn)工藝技術(shù)不斷增長的需求，以區(qū)分其下一代產(chǎn)品，我們繼續(xù)致力于加速基于EUV技術(shù)的批量生產(chǎn)。”

2018年10月，三星宣布準(zhǔn)備并初步生產(chǎn)7nm工藝，這是其首個采用EUV光刻技術(shù)的工藝節(jié)點。該公司已提供業(yè)界首批基于EUV的新產(chǎn)品的商業(yè)樣品，并于今年初開始量產(chǎn)7nm工藝。

此外，三星正在與6nm的客戶合作，這是一個定制的基于EUV的工藝節(jié)點，并且已經(jīng)收到了其首款6nm芯片的流片產(chǎn)品。

Charlie Bae還指：“考慮到包括PPA(功率性能區(qū)域)和IP在內(nèi)的各種好處，三星基于EUV的先進(jìn)節(jié)點預(yù)計將對5G、人工智能、高性能計算(HPC)等新型創(chuàng)新應(yīng)用有很高的需求，利用我們強(qiáng)大的技術(shù)競爭力，包括我們在EUV光刻技術(shù)方面的領(lǐng)導(dǎo)地位，三星將繼續(xù)為客戶提供最先進(jìn)的技術(shù)和解決方案。”

三星代工廠基于EUV的工藝技術(shù)目前正在韓國華城的S3生產(chǎn)線上生產(chǎn)。此外，三星將把其EUV產(chǎn)能擴(kuò)大到華城的新EUV生產(chǎn)線，該生產(chǎn)線預(yù)計將在2019年下半年完成，并從明年開始增產(chǎn)。

值得一提的是，三星在10nm節(jié)點以下的唯一對手臺積電在本月初已經(jīng)宣布，其5nm工藝順利進(jìn)入試產(chǎn)階段，相比之下三星的腳步還是慢了一拍，但是俗話說好飯不怕晚，二者之間孰好孰壞還需要等到量產(chǎn)之后才能見真章了。