低溫多晶硅TFT（low temperature poly-silicon TFT）
時(shí)間：2011-02-23 00:50:00
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TFT
Silicon
TEMPERATURE
低溫多晶硅
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[導(dǎo)讀]利用在低溫下多結(jié)晶化的硅形成的TFT就是低溫多晶硅TFT。由于可提高載流子遷移率，電流驅(qū)動(dòng)能力得到了提升，另外還可形成n通道TFT和p通道TFT，因此除了顯示器功能之外，還可在玻璃基板上一體集成以CMOS電路為基礎(chǔ)的周
利用在低溫下多結(jié)晶化的硅形成的TFT就是低溫多晶硅TFT。由于可提高載流子遷移率，電流驅(qū)動(dòng)能力得到了提升，另外還可形成n通道TFT和p通道TFT，因此除了顯示器功能之外，還可在玻璃基板上一體集成以CMOS電路為基礎(chǔ)的周邊驅(qū)動(dòng)電路、SRAM電路以及D-A轉(zhuǎn)換器等。配備音頻處理電路和簡(jiǎn)單的微處理器的液晶面板也正在開發(fā)之中。
通過(guò)實(shí)現(xiàn)周邊驅(qū)動(dòng)電路的一體化，能夠提高可靠性。這是因?yàn)榭梢源蠓鶞p少面板和驅(qū)動(dòng)電路之間的電路連接數(shù)量的緣故。通過(guò)窄邊框化、輕量化以及增強(qiáng)耐振性，低溫多晶硅TFT有望用于便攜式信息終端。另外,由于電流驅(qū)動(dòng)能力較高，還有望實(shí)現(xiàn)更高清晰度以及開口率較高的像素。
低溫多晶硅TFT的制造方法如下：首先在玻璃基板上利用等離子CVD形成非晶硅膜。然后，為提高TFT的性能（電壓一電流特性），使非晶硅形成結(jié)晶。一般情況下，通過(guò)在450℃以下的基板溫度下照射準(zhǔn)分子激光來(lái)形成結(jié)晶。非晶硅膜因激光的能量瞬間融化凝固，因此會(huì)形成平均結(jié)晶粒徑為0.3μm左右的多晶硅。
由于可在低溫下形成多晶硅膜，因此能夠利用非晶硅TFT量產(chǎn)線上的多種設(shè)備。載流子遷移率達(dá)到200cm2/Vs的低溫多晶硅TFT已經(jīng)應(yīng)用于產(chǎn)品。作為研究結(jié)果，通過(guò)改進(jìn)激光照射技術(shù)，載流子遷移率實(shí)現(xiàn)了超過(guò)500cm2/Vs的數(shù)值。
通過(guò)實(shí)現(xiàn)周邊驅(qū)動(dòng)電路的一體化，能夠提高可靠性。這是因?yàn)榭梢源蠓鶞p少面板和驅(qū)動(dòng)電路之間的電路連接數(shù)量的緣故。通過(guò)窄邊框化、輕量化以及增強(qiáng)耐振性，低溫多晶硅TFT有望用于便攜式信息終端。另外,由于電流驅(qū)動(dòng)能力較高，還有望實(shí)現(xiàn)更高清晰度以及開口率較高的像素。
低溫多晶硅TFT的制造方法如下：首先在玻璃基板上利用等離子CVD形成非晶硅膜。然后，為提高TFT的性能（電壓一電流特性），使非晶硅形成結(jié)晶。一般情況下，通過(guò)在450℃以下的基板溫度下照射準(zhǔn)分子激光來(lái)形成結(jié)晶。非晶硅膜因激光的能量瞬間融化凝固，因此會(huì)形成平均結(jié)晶粒徑為0.3μm左右的多晶硅。
由于可在低溫下形成多晶硅膜，因此能夠利用非晶硅TFT量產(chǎn)線上的多種設(shè)備。載流子遷移率達(dá)到200cm2/Vs的低溫多晶硅TFT已經(jīng)應(yīng)用于產(chǎn)品。作為研究結(jié)果，通過(guò)改進(jìn)激光照射技術(shù)，載流子遷移率實(shí)現(xiàn)了超過(guò)500cm2/Vs的數(shù)值。
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