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[導讀]NHK與日本觸媒為實現(xiàn)可彎曲顯示器,開發(fā)出了元件構造與正常元件相反的OLED元件“iOLED(InvertedOrganicLight-EmittingDiode)”。iOLED的電子注入層(EIL)材料通過采用自主開發(fā)的材料,比普通構造的OLED

NHK與日本觸媒為實現(xiàn)可彎曲顯示器,開發(fā)出了元件構造與正常元件相反的OLED元件“iOLED(InvertedOrganicLight-EmittingDiode)”。iOLED的電子注入層(EIL)材料通過采用自主開發(fā)的材料,比普通構造的OLED元件提高了發(fā)光效率。而且還確認了iOLED對氧氣和水分的耐受性遠遠高于普通構造的OLED元件的特性。

我們正在研發(fā)薄型、輕量、可彎曲的柔性顯示器(圖1)。如果能推進這類顯示器的技術開發(fā),就可以實現(xiàn)隨時隨地觀看高畫質影像信息的移動電視,而且,將來家中有望導入可獲得身臨其境般的高臨場感的超大屏幕電視。因為產(chǎn)品輕量可彎曲,容易搬進房間內。實現(xiàn)柔性顯示器的關鍵技術是耐氧耐水的有機EL元件,我們在全球率先展開了研究開發(fā)。

圖1:計劃實現(xiàn)柔性顯示器

如果能實現(xiàn)柔性顯示器,影像內容的視聽方式將發(fā)生變化。小型顯示器將可以自由搬運,100英寸級的大屏幕顯示器也有望導入家庭。通過提高耐氧、耐水的OLED元件“iOLED”的性能,采用塑料基板的柔性顯示器有望延長壽命。

劣化的主因是堿金屬

有機發(fā)光二極管(OrganicLightEmittingDiode:OLED)或OLED元件是層積了非常薄的有機膜的自發(fā)光型元件,有望實現(xiàn)超薄型顯示器,可以說是最適合柔性顯示器的顯示技術。近年來,采用OLED元件的柔性顯示器研究取得了一些顯著進展,2013年5月舉行的國際會議“2013SIDInternationalSymposium,Seminar&Exhibition”(SID2013)上,也報告了326ppi(pixelperinch)等精細度非常高的顯示器,以及最大尺寸為14.7英寸左右的顯示器。

以往的普通OLED元件(普通OLED)先在基板上形成透明陽極——ITO膜(IndiumTinOxide:氧化銦錫),然后在其上成膜空穴運輸層(HTL)、發(fā)光層、電子運輸層(ETL)等多種有機層,最后形成電子注入層(EIL)和陰極(圖2(a))。通過從外部為元件加載電壓,從陰極注入電子,從陽極注入空穴,在發(fā)光層復合。通過復合激發(fā)有機分子,從而發(fā)光。

圖2:普通OLED與iOLED的積層構造差異

普通OLED是把在基板上成膜的ITO用作陽極(a),而iOLED將其用作陰極(b)。

普通OLED采用的EIL和陰極材料是堿金屬(鋰、銫、鋇)以及鋁等功函數(shù)低、空氣活性高的材料,因此在大氣中受到氧氣和水分的影響后,陰極部會發(fā)生氧化等,從而導致劣化。所以,采用普通OLED的產(chǎn)品,需要用玻璃和粘合劑進行密封。

這是造成OLED顯示器和OLED照明器具成本高的因素之一,也是實現(xiàn)柔性顯示器和照明器具的一大障礙。

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高品位阻擋層課題多多

NHK放送技術研究所以前利用普通OLED試制了柔性OLED顯示器(圖3)。如截面構造所示,各像素由像素選擇用晶體管(SwTFT)、像素驅動用晶體管(DrTFT)以及普通OLED構成?;搴头庋b膜采用Poly-EthyleneNaphthalate(PEN)薄膜,為保護顯示器內的普通OLED電子注入層和陰極不受大氣中的水分和氧氣影響,還形成了阻擋層。

圖3:柔性OLED顯示器容易劣化

NHK技研試制的5英寸柔性OLED顯示器及其截面構造。采用柔性塑料基板時,很難完全阻擋住大氣中的氧氣和水分浸入。受氧氣和水分的影響,柔性OLED顯示器會發(fā)生劣化。

普通OLED需要實施水蒸氣透過率和氧氣透過率都差不多為10-6g/m2/day級別的密封。此次雖未評價阻擋層的阻隔性能,但經(jīng)過較長時間后,在大氣中存放的顯示器出現(xiàn)不發(fā)光的部分,觀測到了大幅劣化的現(xiàn)象(圖3)。估計這是因為試制的顯示器缺乏足夠的阻隔性的緣故。

還有報告顯示,有的阻擋層具備水蒸氣透過率高達10-6g/m2/day左右的高阻隔性,不過大多是采用窒化硅(SiN)等硬材料時,而在薄膜上形成阻擋層時,彎曲耐性則不明確。能否在大面積基板上形成均勻且高品位的阻擋層等也不得而知。因此,采用PEN等柔性基板的柔性顯示器的長壽命化是實用化面臨的最重要課題。

  ITO從陽極改到陰極

作為解決該課題的對策之一,近年來不使用任何堿金屬等高活性材料的“逆構造OLED(invertedOLED:iOLED)”受到了較大的關注。iOLED的電極積層構造與普通OLED相反(圖2(b))。例如,從基板方向提取光的底部發(fā)光型iOLED是把在基板上成膜的ITO作為陰極使用,在ITO上形成EIL膜。然后在上面依次層積發(fā)光層等有機層。

采用這種構造的OLED元件有望延長顯示器顯示部的壽命。原因在于,底部發(fā)光型iOLED通過把ITO用作陰極,與陰極采用鋁等的普通OLED相比,大幅提高了陰極的大氣穩(wěn)定性。

另外,如果其上層積的EIL能使用惰性材料,就可以實現(xiàn)耐氧和耐水的OLED元件。這個優(yōu)點在柔性OLED顯示器中尤其大。因為可以減少使用高阻隔性硬封裝材料的必要性。

  與n型TFT組合使用,動作穩(wěn)定

采用iOLED還有一個很大的優(yōu)點。那就是提高了采用n型TFT的有源矩陣(AM)型顯示器的驅動穩(wěn)定性。最近,TFT采用InGaZnOTFT的情況越來越多。InGaZnOTFT為n型,與iOLED非常匹配。

在普通的“雙晶體管+單電容器(2T+1C)構造”以及采用底部發(fā)光型OLED元件的AM型顯示器中,連接OLED元件的電極在普通OLED和iOLED之間是不同的(圖4(a))。比如,普通OLED在陽極,而iOLED在陰極連接DrTFT。

圖4:普通OLED和iOLED在驅動電路中的連接位置發(fā)生變化

(a)為顯示器的截面構造,(b)為顯示部采用普通OLED的驅動電路模式圖,(c)為顯示部采用iOLED的驅動電路模式圖。

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因此,TFT采用InGaZnO等n型TFT的話,驅動電路中的OLED元件的位置在普通OLED和iOLED間也各不相同(圖4(b~c))6)。普通OLED配置在n型TFT的接地側,iOLED配置在柵極線側。

流經(jīng)OLED元件的電流以DrTFT源極電極和柵極電極間加載的電壓(VGS)為基準。首先來看InGaZnOTFT+普通OLED的情況(圖4(b))。接地與DrTFT源極電極間的OLED元件的驅動電壓在驅動的同時緩慢上升,因此DrTFT的電位基準——源極電極的電位也受其影響發(fā)生變化,DrTFT的VGS下降,流經(jīng)OLED元件的電流減少。結果有報告顯示,從OLED元件獲得的亮度降低,造成燒毀等現(xiàn)象。

而InGaZnOTFT+iOLED因源極電極充分接地,驅動OLED元件后VGS也不會發(fā)生變化(圖4(c))。因此,流經(jīng)OLED元件的電流能保持穩(wěn)定,不會發(fā)生燒毀現(xiàn)象。

與ITO功函數(shù)的整合至關重要

iOLED的研究中最大的課題是,開發(fā)合適的EIL材料。把ITO作為透明陰極使用時,一般來說從ITO向有機層直接注入電子非常困難。這是因為,ITO功函數(shù)的值與接收有機層電子的能級——最低未占軌道(LUMO)之間的能差較大。ITO的功函數(shù)約為5eV,而普通OLED元件用電子運輸材料的LUMO能量約為3eV,因此表面存在約2eV的電子注入勢壘。

普通OLED是從ITO向HTL注入空穴,這種情況下,接收HTL空穴的能級——最高占有軌道(HOMO)的能量約為5.5eV的材料較多,與ITO功函數(shù)的能差較小。

如上所述,要想從ITO高效向有機層直接注入電子,需要合適的EIL。為尋找這種EIL材料,我們準備了多種EIL材料,評測了iOLED對各材料的特性差異。結果發(fā)現(xiàn)了適合iOLED的EIL材料,成功開發(fā)出了發(fā)光效率與普通OLED相同的iOLED。另外,對報告案例還比較少的iOLED的大氣穩(wěn)定性也進行了評測。而且試制了采用iOLED的顯示器。

特性隨EIL變化

圖5是改變EIL材料時的iOLED特性。采用EILI~III的iOLED分別為iOLED-I~III。發(fā)光材料采用發(fā)紅色光的磷光材料Ir(piq)3。

圖5:iOLED的特性隨著EIL的選擇而變化

本圖為采用三種EIL材料時的iOLED特性變化。(a)為亮度-電壓特性,(b)為外部量子效率對亮度的依賴性。發(fā)光材料采用磷光材料Ir(piq)3,獲得了15%左右的高外部量子效率。

從中可以看出,iOLED的特性因EIL的選擇而大不相同。從特性來看,iOLED-I的最高亮度只有5cd/m2(圖5(a))??梢哉f這是因為,采用EILI的話,很難從陰極ITO向有機層注入電子。而iOLED-III以低加載電壓獲得了高亮度,由此可見,采用EILIII促進了從ITO向有機層注入電子。

另外還可以看出,外部量子效率也因EIL的選擇而大不相同(圖5(b))。iOLED-I的外部量子效率還不到1%,而iOLED-II達到了約11%,iOLED-III達到了約15%。有報告顯示,發(fā)光材料采用Ir(piq)3的普通OLED的外部量子效率約為11%,因此,iOLED-III獲得了普通OLED同等以上的發(fā)光效率。

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 經(jīng)過250天也未出現(xiàn)劣化

另外,我們還評測了普通OLED、iOLED-II和iOLED-III三種元件的耐氧性和耐水性。普通OLED的發(fā)光層采用普通的綠色螢光材料——三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3),EIL采用氟化鋰(LiF),陰極采用鋁。

我們利用玻璃框和阻擋膜把這些OLED元件封裝在氮氣(N2)中評測了其耐性(圖6)。

圖6:利用普通阻隔性能的薄膜封裝元件

為觀測發(fā)光面的劣化,采用阻擋膜進行封裝的封裝方法模式圖。玻璃框與基板之間以及玻璃框與阻擋膜之間用紫外線硬化樹脂粘接。大氣中的水分和氧氣有微量透過阻擋膜滲入,因此可觀測對OLED元件造成的影響。

我們把封裝的OLED元件放置在大氣中,觀測了發(fā)光面隨時間的變化(圖7)。制作OLED元件的基板與玻璃框之間,以及阻擋膜與玻璃框之間利用紫外線(UV)硬化樹脂粘合。

圖7:確認經(jīng)過250天后也沒有劣化的OLED元件

把普通OLED、iOLED-Ⅱ和iOLED-Ⅲ三種OLED元件放置在大氣中,定期為元件加載電壓,用顯微鏡觀測發(fā)光面。

此次采用的阻擋膜的水蒸氣透過率為10-4g/m2/day左右,這種程度的阻擋層可大面積均勻成膜。通過采用這種封裝構造,能觀測大氣中微量的氧氣和水分滲入OLED元件后,對元件劣化產(chǎn)生的影響。

先來看普通OLED的劣化,從第六天開始就明顯觀測到了被稱為“暗斑”的黑點,約100天后,只有一半左右的面積發(fā)光了。暗斑的產(chǎn)生原因估計主要是氧氣和水分造成了陰極劣化。

下面來看iOLED-II的結果,雖然劣化速度比普通OLED慢,但放置100多天后還是出現(xiàn)了明顯的暗斑。而iOLED-III放置250多天也基本沒出現(xiàn)劣化,現(xiàn)在仍在繼續(xù)觀測。

雖然一直說iOLED比普通OLED的耐氧性和耐水性強,但此前并未報告過這一點的驗證結果。此次通過采用阻擋膜進行評測確認了這一點。不過,并不是所有iOLED都不容易劣化,從iOLED-II的結果可以發(fā)現(xiàn),其大氣穩(wěn)定性取決于電子注入材料的選擇。此次通過采用EILIII,在獲得高發(fā)光效率的同時,還確認了比較高的大氣穩(wěn)定性??梢哉f,EILIII等材料適合用于柔性顯示器。

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  可制作顯示器

此次開發(fā)的iOLED還可用于顯示器。實際上,為驗證此次的iOLED在顯示器上的適用性,在采用InGaZnOTFT的背板上制作了iOLED,進行了視頻顯示(圖8)?;宀捎貌AВ嬅娉叽鐬?英寸,像素為320×240像素(QVGA:紅色單色),幀頻為60Hz。確認了畫面整體的視頻顯示。亮度約為100cd/m2。雖然能看到線欠陷,不過這是因為布線短路。

圖8:采用iOLED試制5英寸OLED顯示器

在TFT采用n型半導體InGaZnO的背板上形成iOLED,試制了紅色單色的顯示器

今后將挑戰(zhàn)柔性化

綜上所述,通過不使用對氧氣和水分表現(xiàn)為活性的材料,實現(xiàn)了耐氧和耐水的OLED元件。此次,發(fā)現(xiàn)了適合陰極采用惰性電極ITO的“iOLED”的EIL材料。優(yōu)化后的磷光性iOLED的最大外部量子效率約為15%,獲得了非常高的值。另外,利用阻擋膜評測大氣穩(wěn)定性后發(fā)現(xiàn),普通OLED約6天就觀測到了劣化,而優(yōu)化后的iOLED在相同條件下經(jīng)過約250天仍未出現(xiàn)劣化。此外,還利用新開發(fā)的iOLED,試制了5英寸OLED顯示器,確認了在顯示器上的適用性。

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