10月5日訊當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二(10月4日)，美國(guó)最大內(nèi)存芯片制造商美光科技在官網(wǎng)宣布，公司計(jì)劃在紐約州中部打造一個(gè)巨型晶圓廠，以促進(jìn)在美存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)。

與其他類型的半導(dǎo)體相比，存儲(chǔ)芯片的競(jìng)爭(zhēng)廠商數(shù)量更多，而且芯片本身的差異化程度較低，這使得存儲(chǔ)芯片更加商品化，對(duì)需求變化也就更加敏感。存儲(chǔ)芯片通常是第一個(gè)感受到需求變化并出現(xiàn)價(jià)格下跌的組件。

一種“危機(jī)感”籠罩著韓國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)。全球芯片戰(zhàn)愈演愈烈，這個(gè)東亞國(guó)家正準(zhǔn)備迎接來(lái)自美國(guó)和中國(guó)的更強(qiáng)大挑戰(zhàn)。韓國(guó)官員和行業(yè)高管越來(lái)越擔(dān)憂，隨著國(guó)內(nèi)芯片制造商在補(bǔ)貼和稅收優(yōu)惠的吸引下，爭(zhēng)相在美國(guó)興建半導(dǎo)體工廠，韓國(guó)在該領(lǐng)域的...

韓國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士今日表示，該公司成功研發(fā)出全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層512Gb TLC(Triple Level Cell)4D閃存芯片(NAND)樣品，該芯片將于明年上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)悉，SK海力士當(dāng)天...

愛思開海力士·英特爾DMTM半導(dǎo)體(大連)有限公司非易失性存儲(chǔ)器項(xiàng)目在大連金普新區(qū)舉行開工儀式。該項(xiàng)目將建設(shè)一座新的晶圓工廠，從事非易失性存儲(chǔ)器3D NAND芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)。全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商SK海力士已在中國(guó)市場(chǎng)深...

存儲(chǔ)芯片，是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲(chǔ)行業(yè)的具體應(yīng)用。因此，無(wú)論是系統(tǒng)芯片還是存儲(chǔ)芯片，都是通過在單一芯片中嵌入軟件，實(shí)現(xiàn)多功能和高性能，以及對(duì)多種協(xié)議、多種硬件和不同應(yīng)用的支持。

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，SK 海力士 90 億美元收購(gòu)英特爾 NAND 閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)第一階段 70 億美元的交易，在去年年底就已完成，SK 海力士也在加州圣何塞成立了名為 Solidigm 的子公司，管理從英特爾收購(gòu)而來(lái)的相關(guān)...

據(jù)報(bào)道，三星考慮在2022年下半年降低存儲(chǔ)芯片價(jià)格，旨在進(jìn)一步擴(kuò)大其市場(chǎng)份額。如果三星決定降價(jià)，其他存儲(chǔ)芯片公司將效仿，今年下半年或?qū)⒁l(fā)價(jià)格戰(zhàn)。

據(jù)臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》援引消息人士的話報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)最近已向一些客戶交付了其自主研發(fā)的192層3D NAND閃存的樣品，預(yù)計(jì)將在今年年底前正式推出相應(yīng)產(chǎn)品。

近日，存儲(chǔ)芯片大廠美光(Micron)發(fā)布表了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，并計(jì)劃將這款 232 層堆棧 3D NAND Flash芯片應(yīng)用于包括固態(tài)硬盤等產(chǎn)品上，預(yù)計(jì)在 2022 年底左右...