關鍵詞：存儲器，海力士，DRAM，NAND，平板計算機，智能手機，晶圓，英特爾，美光
存儲器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報價下跌影響而驟降，除了積極布局非標準型DRAM相關的應用領域之外，市場認為目前全球4大NAND Flash陣營中，唯一沒有宣布要擴產(chǎn)的只剩下海力士，2011年平板計算機和智能型手機等應用都是NAND Flash當?shù)溃Ａκ窟€有1座空著的12寸晶圓廠M12，未來若此座廠房加入NAND Flash生產(chǎn)行列，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊!
海力士這幾年在NAND Flash領域影響力大不如前，主要是制程進度落后，又遇上勁敵美光(Micron)和英特爾(Intel)合資的IM Flash陣營憑借著34納米和25納米制程陸續(xù)搶下頭香，海力士和IM Flash陣營勢力呈現(xiàn)一消一長，海力士遂把重心都放在DRAM業(yè)務上，以鞏固全球二哥的地位。
海力士在2010年下半遇上DRAM價格崩盤，也開始轉移重心轉到非標準型DRAM產(chǎn)品上，包括2010年行動裝置、繪圖存儲器(GDDR)、服務器用DRAM等比重已達整體DRAM營收60%以上，但市場更關心是海力士2011對于NAND Flash事業(yè)的規(guī)劃。
存儲器業(yè)者指出，目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)、美光3大陣營都宣布擴建12寸晶圓廠計劃，預計產(chǎn)能會在2011年下半開始大量產(chǎn)出，目前只剩下海力士沒有宣布擴產(chǎn)計劃，但產(chǎn)能多寡將攸關海力士是否可搶回全球三哥寶座，市場分析師已開始呼吁海力士不應該錯過這一波平板計算機崛起對于NAND Flash需求增加的趨勢。
海力士目前NAND Flash生產(chǎn)基地包括8寸晶圓廠M8和12寸晶圓廠M11，若全換算成12寸晶圓，單月產(chǎn)能約10萬片水平，其中M11產(chǎn)能還有擴充的空間，而最令人關注的，是旗下還有一座蓋好但尚未移入機器設備的12寸晶圓廠M12，未來是否會投入NAND Flash生產(chǎn)行列，值得進一步觀察。
以海力士第4季NAND Flash表現(xiàn)而言，出貨量增加32%，但平均售價(ASP)下跌12%;2010年底30納米和20納米制程的產(chǎn)品比重已達85%，隨著三星、美光、東芝2011年都會以20納米制程為主，估計海力士2011年也會提升20納米的比重。
美光在34納米和25納米制程接連領先對手之后，擠下海力士成為全球三哥，但與海力士之間的市占率在伯仲之間，兩者都約在9~10%之間，未來除了制程技術帶動的產(chǎn)出增加之外，新12寸產(chǎn)能的加入也將是關鍵。
以海力士2010年第4季財報來看，營收為2.75兆韓元(約24.65億美元)，較上季減少2%，營業(yè)利益4，180億韓元(約3.75億美元)，較上季衰退41%，凈利為1，100億韓元(約9，059.7萬美元);以2010會計年度財報來看，營收達12.1兆韓元(約108.41億美元)，營業(yè)利益為3.27兆韓元(約29.33億美元)，凈利為2.66兆韓元(約23.8億美元)，均較2009年大幅提升。
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