中國正集中精力發(fā)展國內的存儲產業(yè)，但是與領先水平之間的競爭之路不會平坦(尤其是DRAM)。我們認為存儲技術的獲得及制造發(fā)展是DRAM行業(yè)新進入者所面臨的主要挑戰(zhàn)。 預計新進入者至少需要2-3年時間開發(fā)并量產具有領先技術的DRAM。我們認為具有專門應用類DRAM量產的速度較快(例如兆基科技Sino King Tech首先專注于的物聯(lián)網應用程序類DRAM)。

武漢新芯有望成為中國的存儲產業(yè)基地，未來將同時掌握DRAM、3D-NAND 和NOR 能力。武漢新芯講在2016年3月28日開工建設中國第一條12寸DRAM 晶圓廠，投資將達240億美元，產能規(guī)模預計20-30 萬片(按照10k 產能，2DNAND-3D NAND約7-9億美元的投資預估)。

紫光集團持續(xù)拓展半導體產業(yè)鏈。紫光集團定增同方國芯(002049,股吧)(002049)，確立NAND閃存平臺。雖然紫光終止與WDC的交易，但并沒有停止紫光向半導體產業(yè)延伸的腳步。紫光集團董事長表示將與TCL合作融資100億元，用于未來發(fā)展，并需找本地合作伙伴。2016年1月紫光集團與廈門市國資委將針對IC設計、封測、制造、網絡、大數(shù)據(jù)及產業(yè)并購與金融等領域深度合作，共同簽署500億人民幣的基金。近日雙方又共同簽署設立160億的“廈門國資紫光聯(lián)合發(fā)展基金”，用以積極扶植半導體行業(yè)。

合肥正在建設DRAM 基地，預計2017年下半年開始生產。日本存儲公司爾必達(Elpida)前任CEO已經成立兆基科技(Sino King)，將與中國合肥政府展開合作，計劃最早于2017年下半年開始量產DRAM。我們認為兆基科技仍處于初創(chuàng)階段，預計至少需要兩年時間才能開發(fā)并量產領先技術的IP。

中國計劃進入存儲行業(yè)的受益標的：同方國芯、中芯國際、ASMPacific(推薦)和華虹半導體(中性)。

風險。國內 NAND和DRAM的建設進程慢于預期。