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英飛凌推出采用新型硅封裝的 CoolGaN? G3晶體管，推動全行業(yè)標準化進程
【2025年2月27日, 德國慕尼黑訊】氮化鎵（GaN）技術在提升功率電子器件性能水平方面起到至關重要的作用。但目前為止，GaN供應商采用的封裝類型和尺寸各異，產(chǎn)品十分零散，客戶缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個問題，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用RQFN 5x6 封裝的 CoolGaN? G3 100V（IGD015S10S1）和采用RQFN 3.3x3.3封裝的CoolGaN? G3 80V（IGE033S08S1）高性能GaN晶體管。
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Arm 推出全球首個 Armv9 邊緣 AI 計算平臺，推動物聯(lián)網(wǎng)實現(xiàn)新一代性能
全球首個 Armv9 邊緣 AI 計算平臺以 Cortex-A320 CPU 和 Ethos-U85 NPU 為核心，專為物聯(lián)網(wǎng)應用優(yōu)化，支持運行超 10 億參數(shù)的端側(cè) AI 模型，已獲得包括亞馬遜云科技 (AWS)、西門子和瑞薩電子等在內(nèi)的多家行業(yè)領先企業(yè)的支持。
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芯原推出低功耗AI降噪與AI超分辨率系列IP
AI-NR和AI-SR系列為眾多應用提供高效率、可擴展性和出色的圖像質(zhì)量。
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HOLTEK新推出HT78Rxx TinyPower?低電壓差電源穩(wěn)壓IC
HT78Rxx是一款低靜態(tài)電流典型值為3μA和低壓差線性穩(wěn)壓器，支持2.5V至20V的寬輸入工作電壓范圍，具有1.5V至5.0V的多種固定輸出電壓，能夠提供最大500mA的輸出電流，其輸出電壓精準度為±2%，并內(nèi)建過電流保護及過熱保護功能，對于電池電源系統(tǒng)提供了必要的保護及高效能解決方案。
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HOLTEK新推出HT1381B實時時鐘IC
Holtek全新推出實時時鐘IC HT1381B，與現(xiàn)有產(chǎn)品HT1381/HT1381A不同于晶體振蕩電路內(nèi)建電容更小，可應用在各種需要計數(shù)時間的產(chǎn)品上，如：電表、水表、煤氣表、家電產(chǎn)品、計算機產(chǎn)品、考勤及門禁設備、計費電話、收款機、辦公室自動化產(chǎn)品等產(chǎn)品。
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HOLTEK新推出BH66R2640體脂DFE MCU
Holtek新推出BH66R2640 Body Fat DFE (Digital Front End) OTP MCU，整合體脂交流阻抗測量與24-bit Delta Sigma A/D電路，并支持電極斷線偵測功能，特別適用于各種四電極體脂測量相關產(chǎn)品。
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Littelfuse推出配有緊湊型3.5毫米致動器的KSC2 DCT輕觸開關
Littelfuse推出配有緊湊型3.5毫米致動器的KSC2 DCT輕觸開關，較短的致動器、雙電路技術和電氣高度精度使設計人員能夠為消費電子、醫(yī)療、工業(yè)和汽車市場創(chuàng)造可靠的高性能設備。
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意法半導體升級傳感器評估板，結(jié)合ST MEMS Studio開發(fā)環(huán)境，加快即插即用傳感模塊評估
新硬件緊密結(jié)合便捷的圖形界面開發(fā)環(huán)境
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業(yè)界領先的低鉗位電壓TPSMB-L 系列汽車 TVS 二極管
采用汽車級可靠性設計，可提高 800 V 電動汽車電池管理系統(tǒng)( BMS) 的性能和安全性
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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2，實現(xiàn)更高的功率密度
【2025年2月20日, 德國慕尼黑訊】電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產(chǎn)品系列。
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Bourns 推出高額定電流 AEC-Q200 認證車規(guī)級屏蔽功率電感系列
全新電感系列采用鐵氧體芯和鐵氧體屏蔽設計，實現(xiàn)低磁場輻射，適用于對低噪聲運行要求嚴格的應用
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新款R&S SMW200A 和R&S SMM100A 矢量信號發(fā)生器的EVM 性能顯著提升
羅德與施瓦茨(以下簡稱“R&S”)升級了業(yè)界領先的R&S SMW200A矢量信號發(fā)生器及其同系列中端產(chǎn)品R&S SMM100A。升級后的R&S SMW200A在誤差矢量幅度 (EVM) 性能方面有了大幅提升，成為5G NR FR3 研發(fā)測試和高要求射頻應用(如功放測試)的理想之選。該儀器還添加了射頻線性化軟件新選件，通過數(shù)字預失真來優(yōu)化高輸出功率下的EVM。同時，R&S SMM100A也進行了升級，提升了 EVM性能。
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為什么要在 AD 轉(zhuǎn)換的輸入端加下拉電阻?
在模擬數(shù)字(AD)轉(zhuǎn)換電路中，諸多細節(jié)設計對于確保轉(zhuǎn)換的準確性和穩(wěn)定性至關重要。其中，在 AD 轉(zhuǎn)換的輸入端添加下拉電阻這一操作，看似簡單，卻蘊含著深刻的電路原理和實際應用價值。深入探究這一設計背后的原因，對于理解 AD 轉(zhuǎn)換電路的工作機制，優(yōu)化電路性能具有重要意義。
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如何處理高阻抗的電壓源，使得帶載能力提高?
在電子電路領域，電壓源的帶載能力是衡量其性能的關鍵指標之一。高阻抗電壓源在許多應用場景中廣泛存在，如傳感器輸出、信號發(fā)生器等。然而，由于其自身高阻抗特性，帶載能力往往較弱，無法直接驅(qū)動負載。為了充分發(fā)揮高阻抗電壓源的作用，滿足實際應用中對帶載能力的需求，需要采取一系列有效的處理方法。
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AC-DC轉(zhuǎn)換器和離線開關在現(xiàn)代電子設備中的作用
這種轉(zhuǎn)換在許多電子設備和系統(tǒng)中至關重要，因為大多數(shù)現(xiàn)代電子元件和集成電路需要穩(wěn)定的直流電源才能正常工作。
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