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[導(dǎo)讀]21ic訊 Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布,推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件,擴(kuò)展了其串行SRAM產(chǎn)品組合。這些器件還是業(yè)內(nèi)首批5V工作的產(chǎn)品,廣泛適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用。這些512 Kb和1 Mb

21ic訊 Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布,推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件,擴(kuò)展了其串行SRAM產(chǎn)品組合。這些器件還是業(yè)內(nèi)首批5V工作的產(chǎn)品,廣泛適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用。這些512 Kb和1 Mb SPI器件保持了產(chǎn)品組合的低功耗和小型8引腳封裝,成本較低,10,000片起批量供應(yīng)。通過(guò)四路SPI或SQI™協(xié)議可實(shí)現(xiàn)高達(dá)80 Mbps的速度,為卸載圖形、數(shù)據(jù)緩沖、數(shù)據(jù)記錄、顯示、數(shù)學(xué)、音頻、視頻及其他數(shù)據(jù)密集型功能提供所需的近乎瞬時(shí)數(shù)據(jù)傳送及零寫入時(shí)間。

該系列中的另外兩個(gè)成員——23LCV512和23LCV1024——通過(guò)電池備份提供了業(yè)內(nèi)無(wú)限耐用性、非易失性RAM最具成本效益的選擇。事實(shí)上,憑借其40 Mbps的快速雙SPI(SDI)吞吐量以及低運(yùn)行電流和休眠電流,這些串行NVSRAM器件可以高速工作,沒(méi)有并行NVSRAM高引腳數(shù)的缺點(diǎn),其功耗可媲美FRAM,且價(jià)格更為低廉。這將有利于電表、黑匣子及其他數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用,這些應(yīng)用需要無(wú)限耐用性或瞬時(shí)寫入以及非易失性存儲(chǔ)。

Microchip存儲(chǔ)器產(chǎn)品部副總裁Randy Drwinga表示:“在設(shè)計(jì)過(guò)程的某個(gè)階段,大多數(shù)嵌入式應(yīng)用需要更大的RAM。這些最新的1 Mb SRAM使設(shè)計(jì)人員能夠以比轉(zhuǎn)而采用更大存儲(chǔ)容量單片機(jī)或處理器低得多的成本彌補(bǔ)這一不足,而且還比并行SRAM的功耗和成本更低、引腳數(shù)更少。對(duì)于需要非易失性RAM的應(yīng)用,我們還首度增加了有電池備份的兩款器件,其成本明顯低于任何其他類型非易失性RAM。”

Drwinga補(bǔ)充道:“由于并行器件的成本、電路板空間占用和功耗都較高,EEPROM市場(chǎng)已經(jīng)完全轉(zhuǎn)向串行接口,而閃存市場(chǎng)正在迅速進(jìn)行這一過(guò)渡。我們期望SRAM跟隨這一趨勢(shì),Microchip的串行SRAM產(chǎn)品組合恰恰為嵌入式市場(chǎng)提供了令人信服的選擇。”

開(kāi)發(fā)支持

Microchip正在開(kāi)發(fā)一款PICtail™子板,與其Explorer系列模塊化PIC®單片機(jī)開(kāi)發(fā)板及XLP 16位開(kāi)發(fā)板配合使用。該子板預(yù)計(jì)在2013年2月推出。該子板將可演示Microchip最新串行SRAM系列易失性和非易失性器件的功能,幫助設(shè)計(jì)人員對(duì)這些器件進(jìn)行快速評(píng)估。

供貨情況

最新串行SRAM系列的所有六款器件提供8引腳SOIC、TSSOP和PDIP封裝。容量有512 Kb的1 Mb供選擇。兩款易失性器件——23A1024和23LC1024——現(xiàn)已提供樣片并批量生產(chǎn),10,000片起批量供應(yīng)。23A512及23LC512預(yù)計(jì)將于10月份提供樣片并批量生產(chǎn)。兩款非易失性器件——23LCV512和23LCV1024——預(yù)計(jì)在10月提供樣片并批量生產(chǎn),也將10,000片起批量供應(yīng)。

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