先進(jìn)制程

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微縮制程競(jìng)賽加速，2012年Globalfoundries正式挑戰(zhàn)臺(tái)積電

自2009年3月GlobalFoundries正式成立以來，先承接超威(AMD)半導(dǎo)體制造部門位于德國(guó)德勒斯登(Dresden) Fab-36、Fab-38兩座8吋晶圓廠，并將這兩座8吋晶圓廠合并并升級(jí)為12吋晶圓廠外，還在美國(guó)紐約建構(gòu)新的12吋晶圓廠F

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2010-04-26

臺(tái)積電 GLOBALFOUNDRIES 晶圓代工先進(jìn)制程
微縮制程競(jìng)賽加速　2012年Global Foundries正式挑戰(zhàn)臺(tái)積電

自2009年3月Global Foundries正式成立以來，先承接超威(AMD)半導(dǎo)體制造部門位于德國(guó)德勒斯登(Dresden) Fab-36、Fab-38兩座8吋晶圓廠，并將這兩座8吋晶圓廠合并并升級(jí)為12吋晶圓廠外，還在美國(guó)紐約建構(gòu)新的12吋晶圓廠

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2010-04-23

GLOBAL 臺(tái)積電晶圓代工先進(jìn)制程
DNP光罩廠落成　高階光罩吃緊狀況可稍獲紓解

大日本印刷株式會(huì)社(DNP)在臺(tái)光罩制造分公司竹科新廠暨大日印光罩科技(DPTT)22日舉行開工典禮，目前以量產(chǎn)65奈米為主，預(yù)計(jì)下半年將增加40和45奈米產(chǎn)能。綜觀光罩市場(chǎng)，目前以先進(jìn)制程即90奈米以下的產(chǎn)能最為緊俏，預(yù)

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2010-04-23

DRAM 聯(lián)電電光先進(jìn)制程
華邦攻46奈米制程

華邦（2344）積極推進(jìn)先進(jìn)制程，包括編碼型閃存（NOR Flash）、非標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存等，今年都將有所突破，并規(guī)劃自行開發(fā)46奈米技術(shù)，成本競(jìng)爭(zhēng)力大增，其封測(cè)協(xié)力廠華東（8110）同步受惠。華邦受惠內(nèi)存市況轉(zhuǎn)揚(yáng)，去年第

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2010-04-20

內(nèi)存編碼 Flash 先進(jìn)制程
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)溫和成長(zhǎng)　搶先進(jìn)制程時(shí)效成勝負(fù)關(guān)鍵

臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀在近來的多次演講中，皆提及未來 2011~2014年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)溫和成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。惟晶圓廠之間先進(jìn)制程技術(shù)競(jìng)賽不停歇，臺(tái)積電甫于2月底宣布切入22奈米，然而在美西時(shí)間13日的臺(tái)積電技術(shù)論壇上，突然表態(tài)

消費(fèi)電子
2010-04-19

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) GLOBAL 臺(tái)積電先進(jìn)制程
晶圓雙雄本季產(chǎn)能滿載

晶圓雙雄本季產(chǎn)能利用率可望滿載，法人預(yù)估，臺(tái)積電第一季產(chǎn)能利用率95%，第二季在8吋產(chǎn)能也供不應(yīng)求下，產(chǎn)能利用率可繼續(xù)提升到99%；聯(lián)電第二季產(chǎn)能利用率也上看95%至98%，都在滿載水位。臺(tái)積電、聯(lián)電今年第一季

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2010-04-19

晶圓聯(lián)電先進(jìn)制程
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)溫和成長(zhǎng)搶先進(jìn)制程時(shí)效成勝負(fù)關(guān)鍵

臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀在近來的多次演講中，皆提及未來2011~2014年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)溫和成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。惟晶圓廠之間先進(jìn)制程技術(shù)競(jìng)賽不停歇，臺(tái)積電甫于2月底宣布切入22奈米，然而在美西時(shí)間13日的臺(tái)積電技術(shù)論壇上，突然表態(tài)

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2010-04-16

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 臺(tái)積電 GLOBALFOUNDRIES 先進(jìn)制程
臺(tái)積電超越英特爾直接發(fā)展20納米制程

在2010臺(tái)積電美國(guó)技術(shù)論壇上，臺(tái)積電研究資深發(fā)展副總蔣尚義揭示新目標(biāo)。他表示臺(tái)積電將跳過22納米制程，直接發(fā)展20納米制程，預(yù)計(jì)2012年第三季導(dǎo)入，2013年大量量產(chǎn)，進(jìn)度首度超越半導(dǎo)體龍頭英特爾一。處理器大廠英

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2010-04-16

半導(dǎo)體英特爾臺(tái)積電先進(jìn)制程
先進(jìn)制程臺(tái)積超越英特爾

臺(tái)積電研究資深發(fā)展副總蔣尚義表示，臺(tái)積電將跳過22奈米制程，直接發(fā)展20奈米制程，預(yù)計(jì)2012年第三季導(dǎo)入，2013 年大量量產(chǎn)，進(jìn)度首度超越半導(dǎo)體龍頭英特爾，讓臺(tái)積電在先進(jìn)制程發(fā)展拿下全球第一。蔣尚義于美西時(shí)

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2010-04-15

半導(dǎo)體英特爾臺(tái)積電先進(jìn)制程
新聞分析－受惠IDM廠委外今明兩年吃飽飽

IDM廠近幾年來持續(xù)縮減自有晶圓廠產(chǎn)能，同時(shí)也停止了先進(jìn)制程的自行研發(fā)，改與晶圓代工廠合作。盡管趨勢(shì)是從2006年就開始，但這段時(shí)間IDM廠的委外動(dòng)作一直不如預(yù)期中快速，直到2008年底金融海嘯爆發(fā)后，才終于明白要

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2010-04-12

DM 臺(tái)積電晶圓代工先進(jìn)制程
上月營(yíng)收／聯(lián)電增一成半年新高

晶圓代工二哥聯(lián)電（2303）昨（8）日公布3月營(yíng)收94.8億元，月成長(zhǎng)約一成，創(chuàng)下六個(gè)月來新高，比上月成長(zhǎng)9.8%；第一季營(yíng)收267.15億元，比去年同期增加146.5%，但比上季小幅衰退3.7%，表現(xiàn)與公司預(yù)期相符。臺(tái)積電今

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2010-04-09

聯(lián)電臺(tái)積電晶圓代工先進(jìn)制程
臺(tái)積Q1資本支出同期新高

晶圓代工龍頭臺(tái)積電為搶攻先進(jìn)制程市占率，今年第一季訂購(gòu)設(shè)備機(jī)器金額超過310.6億元（逾9億美元），創(chuàng)下過去第一季購(gòu)買設(shè)備金額新高。設(shè)備商評(píng)估，臺(tái)積電第二季資本支出將突破10億美元，下半年繼續(xù)加碼，顯示加速開

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2010-04-02

半導(dǎo)體聯(lián)電臺(tái)積電先進(jìn)制程
臺(tái)積Q1資本支出同期新高

晶圓代工龍頭臺(tái)積電為搶攻先進(jìn)制程市占率，今年第一季訂購(gòu)設(shè)備機(jī)器金額超過310.6億元（逾9億美元），創(chuàng)下過去第一季購(gòu)買設(shè)備金額新高。設(shè)備商評(píng)估，臺(tái)積電第二季資本支出將突破10億美元，下半年繼續(xù)加碼，顯示加速開

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2010-04-02

半導(dǎo)體聯(lián)電臺(tái)積電先進(jìn)制程
臺(tái)積傳并光罩確保料源

臺(tái)灣光罩總經(jīng)理陳碧灣昨天表示，受惠于半導(dǎo)體景氣走揚(yáng)，光罩業(yè)績(jī)的確交出比去年同期成長(zhǎng)三成的佳績(jī)。并且否認(rèn)要與臺(tái)積電合并的傳聞。（本報(bào)系數(shù)據(jù)庫(kù)）晶圓龍頭臺(tái)積電先進(jìn)制程產(chǎn)能吃緊，光罩需求同步大增。市

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2010-03-30

半導(dǎo)體電光臺(tái)積電先進(jìn)制程
中芯國(guó)際或?qū)⒉脝T10% 王寧國(guó)一改張汝京作風(fēng)

在以王寧國(guó)為核心的新任領(lǐng)導(dǎo)層相繼到位后，中芯國(guó)際的新策略也逐漸浮出水面。據(jù)接近中芯高層的人士透露，中芯國(guó)際管理層的調(diào)整思路由以前的做大做強(qiáng)轉(zhuǎn)變?yōu)橄茸鰪?qiáng)再做大，以盈利為最高原則。從精兵簡(jiǎn)政開始3月初，上任

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-03-23

中芯國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng) 臺(tái)積電先進(jìn)制程
中芯國(guó)際將以盈利為最高原則施行“精兵簡(jiǎn)政”

在以王寧國(guó)為核心的新任領(lǐng)導(dǎo)層相繼到位后，中芯國(guó)際的新策略也逐漸浮出水面。據(jù)接近中芯高層的人士透露，中芯國(guó)際管理層的調(diào)整思路由以前的做大做強(qiáng)轉(zhuǎn)變?yōu)橄茸鰪?qiáng)再做大，以盈利為最高原則。從精兵簡(jiǎn)政開始3月初，上任

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2010-03-23

中芯國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng) 臺(tái)積電先進(jìn)制程
IC設(shè)計(jì)廠找張忠謀討產(chǎn)能

目前晶圓代工產(chǎn)能不足，包括博通（Broadcom）、阿爾特拉（Altera）、高通（Qualcomm）、英偉達(dá)（NVIDIA）等高階主管，利用來臺(tái)參加全球半導(dǎo)體聯(lián)盟（GSA）理事會(huì)之便，昨日連袂赴拜訪臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀，希望臺(tái)積電

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2010-03-19

博通 IC設(shè)計(jì) 臺(tái)積電先進(jìn)制程
SICAS：晶圓廠產(chǎn)能利用率保持高位

半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)組織（SICAS）指出，全球芯片制造產(chǎn)能正在增長(zhǎng)，同時(shí)需求也在增長(zhǎng)，這使先進(jìn)制程的產(chǎn)能利用率保持在90%以上。2009年第四季度全球晶圓廠產(chǎn)能利用率達(dá)到89.4%，較第三季度的86.5%有所增長(zhǎng)，這是由SICAS在

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2010-03-09

晶圓廠 SIC ARTICLE 先進(jìn)制程
臺(tái)積電 28奈米遇勁敵

全球晶圓（Globalfoundries）與安謀（ARM）近期宣布合作28奈米行動(dòng)芯片（SOC）計(jì)劃，再搶晶圓雙雄先進(jìn)制程地盤。全球晶圓預(yù)估，最快今年下半即可投產(chǎn)，屆時(shí)28奈米市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)恐更加劇烈。行動(dòng)電子裝置、小筆電（N

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2010-03-08

英特爾臺(tái)積電先進(jìn)制程
臺(tái)積電 28奈米遇勁敵

全球晶圓（Globalfoundries）與安謀（ARM）近期宣布合作28奈米行動(dòng)芯片（SOC）計(jì)劃，再搶晶圓雙雄先進(jìn)制程地盤。全球晶圓預(yù)估，最快今年下半即可投產(chǎn)，屆時(shí)28奈米市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)恐更加劇烈。行動(dòng)電子裝置、小筆電（Netbook

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2010-03-08

英特爾臺(tái)積電先進(jìn)制程

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先進(jìn)制程

微縮制程競(jìng)賽加速，2012年Globalfoundries正式挑戰(zhàn)臺(tái)積電

微縮制程競(jìng)賽加速　2012年Global Foundries正式挑戰(zhàn)臺(tái)積電

DNP光罩廠落成　高階光罩吃緊狀況可稍獲紓解

華邦攻46奈米制程

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)溫和成長(zhǎng)　搶先進(jìn)制程時(shí)效成勝負(fù)關(guān)鍵

晶圓雙雄本季產(chǎn)能滿載

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)溫和成長(zhǎng)搶先進(jìn)制程時(shí)效成勝負(fù)關(guān)鍵

臺(tái)積電超越英特爾直接發(fā)展20納米制程

先進(jìn)制程臺(tái)積超越英特爾

新聞分析－受惠IDM廠委外今明兩年吃飽飽

上月營(yíng)收／聯(lián)電增一成半年新高

臺(tái)積Q1資本支出同期新高

臺(tái)積Q1資本支出同期新高

臺(tái)積傳并光罩確保料源

中芯國(guó)際或?qū)⒉脝T10% 王寧國(guó)一改張汝京作風(fēng)

中芯國(guó)際將以盈利為最高原則施行“精兵簡(jiǎn)政”

IC設(shè)計(jì)廠找張忠謀討產(chǎn)能

SICAS：晶圓廠產(chǎn)能利用率保持高位

臺(tái)積電 28奈米遇勁敵

臺(tái)積電 28奈米遇勁敵

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