變頻器作為現代工業(yè)生產中實現電機轉速精確控制的核心設備,憑借其節(jié)能降耗、調節(jié)靈活的優(yōu)勢,廣泛應用于智能制造、新能源、建筑樓宇等多個領域。但變頻器在工作過程中,基于脈寬調制(PWM)技術的功率器件會以高頻開關動作運行,不可避免地產生高頻諧波和電磁干擾(EMI),這些干擾不僅會影響變頻器自身的穩(wěn)定運行,還可能污染電網、干擾周邊設備,甚至縮短電機及相關組件的使用壽命。帶內置濾波器的變頻器將濾波模塊與變頻器主體一體化設計,無需額外加裝外置濾波器,就能有效抑制干擾、治理諧波,其應用場景主要集中在對電磁環(huán)境、設備可靠性和電網質量有特定要求的場景中,以下結合實際應用需求詳細解析。
在電子設備向高功率、小型化發(fā)展的趨勢下,電源作為能量供給核心,其散熱性能直接決定設備的穩(wěn)定性、壽命與安全性。電源工作時,內部功率器件會產生大量熱量,若熱量無法及時散出,會導致器件溫度升高,不僅會降低轉換效率,還可能引發(fā)熱失控、燒毀等故障。導熱硅膠片作為一種高效的熱界面材料,憑借優(yōu)異的導熱性能、適配性與安裝便利性,已成為電源散熱系統(tǒng)中的關鍵組件。本文將深入探討導熱硅膠片在電源散熱中的應用價值、核心解決方案及實踐要點。
電源管理系統(tǒng)(PMS)作為各類電子設備與儲能系統(tǒng)的核心中樞,承擔著電能分配、狀態(tài)監(jiān)測、安全保護等關鍵職能。而內阻作為電源系統(tǒng)固有的核心參數,其存在與動態(tài)變化直接影響系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性與使用壽命。無論是鋰離子電池、鉛酸電池等儲能元件,還是DC/DC轉換器、電源芯片等功率器件,內阻引發(fā)的電壓損耗、發(fā)熱升溫等問題,始終是電源管理領域的核心挑戰(zhàn)。本文將從內阻的影響機制出發(fā),系統(tǒng)闡述應對這一挑戰(zhàn)的技術路徑與實踐策略。
此次合作拓展了安森美功率產品組合,涵蓋面向AI數據中心、汽車、航空航天及其他關鍵市場的高性能650V橫向氮化鎵(GaN)解決方案。
此次合作將建立高產能、成本優(yōu)化的全球 GaN 制造體系,加速高能效功率器件的市場部署
Allegro創(chuàng)新柵極驅動器助力工程師實現鈦金級效率和極佳功率密度,滿足嚴苛的AI和邊緣計算應用需求。
【2025年10月21日, 德國慕尼黑訊】汽車半導體市場領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日榮獲“2025年博世全球供應商獎”。該獎項由全球領先的技術與服務供應商博世(Bosch)頒發(fā),歸屬 “材料與零部件” 類別,旨在表彰英飛凌在微控制器及功率器件領域卓越的創(chuàng)新與產品開發(fā)能力。
在汽車電子化、智能化浪潮下,車身總線作為車輛電子系統(tǒng)的 “神經網絡”,其安全性直接決定整車運行可靠性;功率器件作為動力控制、能源管理的核心組件,其性能穩(wěn)定性更是關乎行車安全。隨著新能源汽車與自動駕駛技術的快速發(fā)展,車身總線面臨的安全風險持續(xù)升級,功率器件的測試需求也日益復雜。本文將圍繞車身總線安全參考體系構建與功率器件測試解決方案展開,為汽車電子領域提供技術支撐。
【2025年9月25日,德國慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(總部位于德國諾伊比貝格,以下簡稱“英飛凌”)今日宣布,與全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)就建立SiC功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。雙方旨在對應用于車載充電器、太陽能發(fā)電、儲能系統(tǒng)及AI數據中心等領域的SiC功率器件封裝展開合作,推動彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應商。未來,客戶可同時從英飛凌與羅姆采購兼容封裝的產品,既能靈活滿足客戶的各類應用需求,亦可輕松實現產品切換。此次合作將顯著提升客戶在設計與采購環(huán)節(jié)的便利性。
美國賓夕法尼亞州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術現已全面量產,首款產品為150V MOSFET。同時,一系列200V MOSFET產品也已進入送樣階段。
在全球倡導綠色出行與可持續(xù)發(fā)展的大背景下,電動汽車(EV)產業(yè)蓬勃發(fā)展,成為汽車行業(yè)轉型升級的重要方向。隨著電動汽車市場的迅速擴張,消費者對其性能的要求也日益提高,其中充電速度和續(xù)航里程成為關注焦點。為了滿足這些需求,汽車制造商不斷探索新技術,碳化硅(SiC)材料及其相關功率器件應運而生,并在推動車載充電技術隨電壓等級提高方面發(fā)揮著關鍵作用。
在新能源汽車產業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中,功率器件作為核心 “大腦”,其重要性不言而喻?;仡欉^往,IGBT 主導了新能源汽車的上半場,而如今,SiC 正加速上車,開啟新的發(fā)展周期。
【2025年6月20日, 德國慕尼黑訊】來自印度的深科技初創(chuàng)公司Reflex Drive選擇英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的半導體功率器件,用于其下一代無人機(UAV)電機控制解決方案。通過集成英飛凌OptiMOS? 80 V和100 V功率器件,Reflex Drive的電子調速器(ESC)實現了更好的熱管理和更高的效率,從而在緊湊的設計中實現了高功率密度。此外,通過采用將XMC1404微控制器與MOTIXTM 6EDL7141 三相柵極驅動器IC結合的英飛凌MOTIX? IMD701控制器解決方案,實現了緊湊、精準且可靠的電機控制。此舉不僅提高了無人機的性能與可靠性,還延長了其飛行時間。
在當今的電子設備領域,電源管理設計至關重要,其性能直接影響著設備的整體表現。隨著科技的不斷進步,氮化鎵(GaN)功率器件應運而生,為電源管理設計帶來了新的突破和提升。
在超寬禁帶半導體領域,氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。我們有幸與香港科技大學電子及計算機工程教授黃文海教授,圍繞氧化鎵器件的研究現狀、應用前景及測試測量挑戰(zhàn)展開深入交流。
2025年4月17日,中國 – 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 披露了全球制造布局重塑計劃細節(jié),進一步更新了公司此前發(fā)布的全球計劃。2024年10月,意法半導體發(fā)布了一項覆蓋全公司的計劃,擬進一步增強企業(yè)的競爭力,鞏固公司全球半導體龍頭地位,利用公司的技術研發(fā)、產品設計、大規(guī)模制造等全球戰(zhàn)略資產,保障公司的垂直整合制造 (IDM) 模式長期發(fā)展。
在半導體領域,氮化鎵(GaN)器件以其卓越的性能優(yōu)勢,如高電子遷移率、高擊穿電場、低導通電阻等,被視為極具潛力的下一代功率器件,有望在眾多領域掀起變革。然而,盡管前景誘人,氮化鎵器件的發(fā)展之路并非一帆風順,諸多不利因素成為其大規(guī)模推廣應用的絆腳石。
在全球汽車產業(yè)向電動化、智能化加速轉型的浪潮中,汽車級大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為核心功率器件,正處于聚光燈下。它的性能優(yōu)劣、市場供應情況以及技術發(fā)展走向,深刻影響著新能源汽車的能效、動力表現和整體競爭力,成為行業(yè)發(fā)展的關鍵變量。
隨著全球對環(huán)境保護和可持續(xù)發(fā)展的日益重視,新能源汽車產業(yè)正以前所未有的速度蓬勃發(fā)展。作為新能源汽車的核心技術之一,功率電子器件在電源系統(tǒng)中扮演著至關重要的角色。本文將深入探討功率電子器件在新能源汽車電源系統(tǒng)中的應用,并分析其未來的發(fā)展趨勢。
近日,泰克科技與遠山半導體的合作迎來又一重要里程碑,雙方攜手對遠山半導體最新推出的1700V GaN器件進行了深入測試與評估,成果斐然,為該器件在高端應用市場的拓展注入強勁動力。