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功率器件熱性能的主要參數(shù)
在日常生活中，電子產(chǎn)品處處可見，大家都知道如何使用，但是都不會去了解電子產(chǎn)品里面有什么，其實里面很重要的是功率器件。功率器件受到的熱應力可來自器件內(nèi)部，也可來自器件外部。若器件的散熱能力有限，則功率的耗散就會造成器件內(nèi)部芯片有源區(qū)溫度上升及結(jié)溫升高，使得器件可靠性降低，無法安全工作。表征功率器件熱能力的參數(shù)主要有結(jié)溫和熱阻。
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新產(chǎn)品系列-50A碳化硅功率器件
在日常生活中，電子產(chǎn)品處處可見，大家都知道如何使用，但是都不會去了解電子產(chǎn)品里面有什么，其實里面很重要的是功率器件。2012年5月9日，中國上海訊-碳化硅功率器件的市場領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq:CREE)將重新界定大功率應用的性能和能效，推出全新產(chǎn)品系列-50A碳化硅功率器件。
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SiC等新一代材料的功率器件開發(fā)
在科學技術(shù)飛速發(fā)展的今天，離不開我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產(chǎn)品，然而大家只關(guān)注這些產(chǎn)品的使用，只有研究人員會關(guān)注內(nèi)部結(jié)構(gòu)，這其中就要數(shù)功率器件了。從誕生之日起，市場對功率器件的需求都是一致的，即追求更快的開關(guān)速度、更高的耐壓、更大的電流、更強的耐沖擊性能、更好的高頻性能、更低的驅(qū)動損耗等。
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基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A
在科學技術(shù)飛速發(fā)展的今天，離不開我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產(chǎn)品，然而大家只關(guān)注這些產(chǎn)品的使用，只有研究人員會關(guān)注內(nèi)部結(jié)構(gòu)，這其中就要數(shù)功率器件了。2013年7月23日 -- 富士通半導體(上海)有限公司今日宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導體將于2013年7月起開始提供新品樣片。
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首款適用于電路設計的功率器件分析儀 Agilent B1506A
在科學技術(shù)飛速發(fā)展的今天，離不開我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產(chǎn)品，然而大家只關(guān)注這些產(chǎn)品的使用，只有研究人員會關(guān)注內(nèi)部結(jié)構(gòu)，這其中就要數(shù)功率器件了。安捷倫科技公司日前宣布推出業(yè)界首款適用于電路設計的功率器件分析儀 Agilent B1506A。B1506A 能夠在不同工作條件和 -50 °C 至 +250 °C 溫度范圍內(nèi)對功率器件參數(shù)進行全面自動表征，覆蓋高達 1500 A 和 3 kV 的電流和電壓范圍。
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減少功率轉(zhuǎn)換損耗的SiC功率器件
在現(xiàn)代能源基礎(chǔ)設施中，電力電子技術(shù)仍以過去幾十年的陳舊技術(shù)為基礎(chǔ)。隨著社會的不斷進步，技術(shù)的不斷發(fā)展，科技產(chǎn)品也日新月異，產(chǎn)品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的設計者來設計，功率器件對電子產(chǎn)品是功不可沒的。硅材料在很多方面已經(jīng)接近其理論性能極限，因此業(yè)界在不斷尋找新的半導體元器件材料，以期從根本上提升轉(zhuǎn)化和利用電力的效率。
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功率器件市場分析
在日常生活中，電子產(chǎn)品處處可見，大家都知道如何使用，但是都不會去了解電子產(chǎn)品里面有什么，其實里面很重要的是功率器件。過去幾年功率器件市場波動巨大，2009年全球功率半導體市場銷售額下跌16%，2010年則暴漲44%，創(chuàng)下有史以來的最高增長記錄，2011年增長11%。后面兩年由于市場對于經(jīng)濟增長不確定性的擔憂而采取去庫存、壓價與推遲購買等舉措，功率器件市場又經(jīng)歷了30多年來首次連續(xù)兩年下跌(2012年下跌8%，2013年下跌6%)。2014年功率器件市場增長14%，終于結(jié)束了連續(xù)兩年的艱難時光。
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一款簡便易用的圖形源測量單元(SMU)儀器
在科學技術(shù)飛速發(fā)展的今天，離不開我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產(chǎn)品，然而大家只關(guān)注這些產(chǎn)品的使用，只有研究人員會關(guān)注內(nèi)部結(jié)構(gòu)，這其中就要數(shù)功率器件了。2016年1月14日，測試測量和監(jiān)測儀器提供商——泰克科技公司日前宣布，推出一款簡便易用的圖形源測量單元(SMU)儀器，用以優(yōu)化和分析高功率材料、器件和模塊的特性。
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與車輛能源管理相關(guān)的模擬IC與分離式功率器件
在日常生活中，電子產(chǎn)品處處可見，大家都知道如何使用，但是都不會去了解電子產(chǎn)品里面有什么，其實里面很重要的是功率器件。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院調(diào)查顯示，在各國政府致力于節(jié)能減碳政策的推動之下，促使汽車工業(yè)與ICT科技進一步結(jié)合，預計將帶動與車輛能源管理相關(guān)的模擬IC與分離式功率器件(Power Transistor)在單一車輛的搭載金額，由2016年的188美元上升到2017年的209美元，車輛產(chǎn)業(yè)占Power Transistor需求比重達23%，僅次于工業(yè)用需求。
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碳化硅功率器件的發(fā)展
在日常生活中，電子產(chǎn)品處處可見，大家都知道如何使用，但是都不會去了解電子產(chǎn)品里面有什么，其實里面很重要的是功率器件。2018年10月17日，高溫與長壽命半導體解決方案領(lǐng)先供應商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導者泰科天潤半導體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：雙方已達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將共同開展研發(fā)項目，推動碳化硅功率器件在工業(yè)各領(lǐng)域尤其是新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應用。
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中芯紹興的功率器件解析
隨著社會的發(fā)展，電子產(chǎn)品發(fā)展迅速，據(jù)浙江日報19日報道，中芯紹興項目整體進度高效推進，年底可實現(xiàn)生產(chǎn)線試運行，明年3月前可實現(xiàn)主要產(chǎn)品量產(chǎn)。相信科技的進步回促進功率器件的不斷飛躍發(fā)展。
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基本半導體獲授5G產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟首屆理事單位，助推5G商用進程
6月29日，“5G產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟第一次理事會”在昆明順利召開。中國科學院院士郝躍、工業(yè)與信息化部電子信息司調(diào)研員吳國綱，以及包括基本半導體總經(jīng)理和巍巍博士在內(nèi)的來自全國各地20多家聯(lián)盟理事單位代表參加了此次會議。
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針對新型功率器件測試挑戰(zhàn)，泰克解鎖全新測試解決方案
中國北京2019年7月3日–在剛剛過去的PCIM Aisa展會上，泰克展示了功率器件全新測試方案，包括動態(tài)特性解決方案、靜態(tài)特性解決方案、系統(tǒng)調(diào)試解決方案，整體解決方案助力工程師系統(tǒng)級優(yōu)化設計。
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中芯紹興項目正式開展，有望量產(chǎn)后實現(xiàn)年產(chǎn)值高達 45 億元？
紹興越城區(qū)發(fā)改局信息顯示，6月19日，中芯紹興MEMS和功率器件芯片制造及封裝測試生產(chǎn)基地項目(以下簡稱“中芯紹興項目”)舉辦主體工程結(jié)頂儀式。
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日本貴金屬企業(yè)瞄準中國高端半導體材料需求
備受半導體業(yè)界矚目的中國國際半導體設備與材料展暨研討會(SEMICON China 2019)近日于上海落幕，貴金屬領(lǐng)域知名企業(yè)田中貴金屬集團展出了其鍵合絲、各類電鍍制程解決方法等領(lǐng)域的最新產(chǎn)品。企業(yè)負責人表示，隨著中國人工智能和5G產(chǎn)業(yè)進步、新能源汽車領(lǐng)域的發(fā)展，對于高端鍵合絲產(chǎn)品和電鍍方案的需求越來越大，田中正著手將更多優(yōu)質(zhì)貴金屬材料介紹給中國市場。
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Cree與意法半導體宣布簽署碳化硅晶圓多年供貨協(xié)議
2019年1月10日，Cree有限公司宣布已簽署一份多年供貨協(xié)議，為橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST)生產(chǎn)和供應Wolfspeed?碳化硅(SiC)晶圓。按照該協(xié)議的規(guī)定，在當前碳化硅功率器件市場需求顯著增長期間，Cree將向意法半導體供應價值2.5億美元Cree先進的150mm碳化硅裸晶圓和外延晶圓。
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用結(jié)點溫度評估器件可靠性的案例分析
工程師在設計一款產(chǎn)品時用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高，經(jīng)重新計算后，換成5A的MOS管，問題就解決。為什么用電流裕量更小了，卻能提高可靠性呢?本文將從器件的結(jié)溫角度跟你說說產(chǎn)品的可靠性。
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功率器件的散熱計算及散熱器選擇
目前的電子產(chǎn)品主要采用貼片式封裝器件，但大功率器件及一些功率模塊仍然有不少用穿孔式封裝，這主要是可方便地安裝在散熱器上，便于散熱。進行大功率器件及功率模塊的散熱
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嘉興3季度擴大投資項目舉行 含藍特光學電傳感器在內(nèi)的30個項目
前，2018年嘉興秀洲區(qū)第三季度擴大有效投資重大項目集中開工活動舉行，包括藍特光學年產(chǎn)1900萬套光電傳感器件項目在內(nèi)的30個重大項目集中開工。
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寬禁帶技術(shù) – 下一代功率器件
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比，SiC和GaN需要高3倍的能量才能使電子開始在材料中自由移動。因而具有比硅更佳的特性和性能。
