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利用數(shù)字電源和優(yōu)化功率器件降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗
能效已經(jīng)成為決定電子元件、子系統(tǒng)和系統(tǒng)設計能否取得成功的主要因素之一。過去幾年，計算和通信設備制造商一直在內部推動技術規(guī)格的發(fā)展和在外部向用戶宣傳這些技術規(guī)格，
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常用功率器件MOSFET的基礎知識介紹
我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
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Vicor:新型CHIP封裝進一步提升功率器件效能
在由中國制造向中國“智造”的重要升級轉型期，電源作為現(xiàn)代化工業(yè)體系賴以運轉的力量源泉，必須要做出相應的改變。Vicor公司作為全球知名的電源模塊及定制化電源系統(tǒng)的供應商，推出了獨有的新一代CHIP封裝
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2013年功率器件市場強勢回彈
據(jù)市場調研機構Yole Developpement的最新報告，2013年，包括分立器件、模塊和電源IC在內的功率器件市場將同比增長10.5%達115億美元。2013年的增長是基于2012年的大崩潰上，
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IIC-China 2013：韋爾半導體帶來多款最新功率器件
設計、制造和銷售應用于便攜式電子產品，電視，電動車，電表，通信設備、網(wǎng)絡設備、信息終端等領域的高性能集成電路的韋爾半導體股份有限公司日前于IIC China 2013向業(yè)界觀眾展示MOSFET功率器件、ESD/EMI和電源IC、音
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利用數(shù)字電源和優(yōu)化功率器件降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗
能效已經(jīng)成為決定電子元件、子系統(tǒng)和系統(tǒng)設計能否取得成功的主要因素之一。過去幾年，計算和通信設備制造商一直在內部推動技術規(guī)格的發(fā)展和在外部向用戶宣傳這些技術規(guī)格，
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常用功率器件MOSFET基礎介紹
我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
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在冰火兩重天的新能源市場中挖掘新機
“冰火兩重天”，用來形容2012年的新能源市場實在是太貼切不過了。太陽能行業(yè)產能過剩，市場不振；LED照明迎來發(fā)展轉折點；新能源車受制于電池技術、安全性能、價格和充電等因素，仍未能被大眾市場接受；而智能電網(wǎng)建
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功率器件IGBT應用中的常見問題解決方法
1 引言80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件，它綜合了gtr和MOSFET的優(yōu)點，控制方便、開關速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級的不斷提高，IGBT成為了大功率開關電源、變頻
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第三代半導體材料雙雄面臨直接競爭
進入21世紀以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導體硅材料替代品的任務變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導體材料的雙雄。SiC早在
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第三代半導體材料雙雄并立，難分高下
進入21世紀以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導體硅材料替代品的任務變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱為第三代半導體材料的雙雄。Si
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第三代半導體材料雙雄并立，難分高下
進入21世紀以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導體硅材料替代品的任務變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱為第三代半導體材料
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富士通半導體明年計劃量產氮化鎵功率器件
富士通半導體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現(xiàn)低碳社會
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富士通半導體明年計劃量產氮化鎵功率器件
21ic訊 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量
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大功率高壓變頻器功率器件熱設計淺析
大型電力電子設備中，隨著溫度的增加，失效率也增加，因此大功率高壓變頻器功率器件的熱設計直接關系到設備的可靠性與穩(wěn)定性。大功率高壓變頻器往往要求有極高的可靠性，影
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功率器件損耗計算
功率器件應用時所受到的熱應力可能來源于兩個方面：器件內部和器件外部。器件工作時所耗散的功率要通過發(fā)熱形式耗散出去。若器件的散熱能力有限，則功率的耗散就會造成器件
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瑞薩推出工業(yè)用首個以MCU為基礎可擴展供電系統(tǒng)方案
瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩”)，近日發(fā)布了最新的用于個人計算機CPU、服務器和儲存系統(tǒng)的供電穩(wěn)壓器 (VR) 芯片集誕生。它包括行業(yè)首個集成微控制器(MCU)數(shù)字接口的VR控制器R2A30521NP和帶集成電流檢
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功率器件的選擇
由于本設計中的變換器的應用場合的電壓和電流都比較大，則除考慮效率因素外，選擇高性能功率器件是保證功放性能的重要環(huán)節(jié)。功率器件的特性主要有安全特性、開關特性和驅動
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安森美加入imec項目 開發(fā)下一代硅基氮化鎵功率器件
安森美半導體(ON Semiconductor)加入了領先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件。氮化鎵具有優(yōu)異電子遷移率
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功率器件熱設計及散熱計算
引言當前，電子設備的主要失效形式就是熱失效。據(jù)統(tǒng)計，電子設備的失效有55%是溫度超過規(guī)定值引起的，隨著溫度的增加，電子設備的失效率呈指數(shù)增長。所以，功率器件熱設計是
