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電源設計指南：拓撲結構（二）
中高壓變頻器主電路拓撲結構的分析比較摘要：對中高壓變頻器幾種常見的主電路拓撲結構進行了分析比較，對不同電路結構的中高壓變頻器的可靠性、冗余設計、諧波含量及dv/dt等指標進行了深入的討論，并對中高壓變頻器的
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電源設計指南：拓撲結構（二）
中高壓變頻器主電路拓撲結構的分析比較摘要：對中高壓變頻器幾種常見的主電路拓撲結構進行了分析比較，對不同電路結構的中高壓變頻器的可靠性、冗余設計、諧波含量及dv/dt等指標進行了深入的討論，并對中高壓變頻器的
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電源設計指南：拓撲結構（二）
中高壓變頻器主電路拓撲結構的分析比較摘要：對中高壓變頻器幾種常見的主電路拓撲結構進行了分析比較，對不同電路結構的中高壓變頻器的可靠性、冗余設計、諧波含量及dv/dt等指標進行了深入的討論，并對中高壓變頻器的
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電源設計指南：拓撲結構（二）
中高壓變頻器主電路拓撲結構的分析比較摘要：對中高壓變頻器幾種常見的主電路拓撲結構進行了分析比較，對不同電路結構的中高壓變頻器的可靠性、冗余設計、諧波含量及dv/dt等指標進行了深入的討論，并對中高壓變頻器的
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科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術突破！
50A碳化硅功率器件為更多大功率應用帶來更高效率和更低成本科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術突破，為更多大功率應用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子
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RFMD為功率器件產品和代工客戶推出rGaN-HV工藝技術
高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者RF Micro Devices， Inc.（Nasdaq 股市代號：RFMD）日前宣布，擴展其RFMD 業(yè)界領先的氮化鎵工藝技術，以包括功率轉換應用中專為高電壓功率器件而優(yōu)化的新
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科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術突破！
50A碳化硅功率器件為更多大功率應用帶來更高效率和更低成本科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術突破，為更多大功率應用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子
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RFMD為功率器件產品和代工客戶推出rGaN-HVT工藝技術
高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代號：RFMD）日前宣布，擴展其 RFMD 業(yè)界領先的氮化鎵工藝技術，以包括功率轉換應用中專為高電壓功率器件而優(yōu)化的
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功率器件在混合動力汽車(HEV)中的應用
混合動力汽車(HEV)市場的增長在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標及追加投入的每個硬幣所帶來的好處以及混合系統(tǒng)現(xiàn)場的可靠性。消費者將混合汽車與標準汽車進行比較，并期待在整體更低擁有成本的前提下起碼具
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功率器件在混合動力汽車(HEV)中的應用
混合動力汽車(HEV)市場的增長在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標及追加投入的每個硬幣所帶來的好處以及混合系統(tǒng)現(xiàn)場的可靠性。消費者將混合汽車與標準汽車進行比較，并期待在整體更低擁有成本的前提下起碼具
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功率器件在混合動力汽車(HEV)中的應用
混合動力汽車(HEV)市場的增長在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標及追加投入的每個硬幣所帶來的好處以及混合系統(tǒng)現(xiàn)場的可靠性。消費者將混合汽車與標準汽車進行比較，并期待在整體更低擁有成本的前提下起碼具
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功率器件在混合動力汽車(HEV)中的應用
混合動力汽車(HEV)市場的增長在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標及追加投入的每個硬幣所帶來的好處以及混合系統(tǒng)現(xiàn)場的可靠性。消費者將混合汽車與標準汽車進行比較，并期待在整體更低擁有成本的前提下起碼具
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細述汽車系統(tǒng)選擇智能功率器件的五個理由
在傳統(tǒng)的汽車應用中，由于對車內電路較高的安全性能要求，帶有保險絲保護的電子機械式開關在高負載應用中一直被廣為采用。然而，這種系統(tǒng)解決方案也有一定的局限性。機械式繼電器在長時間運作時容易磨損和發(fā)生接觸差
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瑞薩電子推出14款適用于汽車車身應用的智能功率器件
21ic訊 瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩電子”）日前宣布推出14個針對汽車應用的新型智能功率器件(Intelligent Power Device, 以下簡稱“IPD”)，包括µPD166023在內的該系列產品面向外部
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瑞薩電子推出14款適用于汽車車身應用的智能功率器件
21ic訊 瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩電子”）日前宣布推出14個針對汽車應用的新型智能功率器件(Intelligent Power Device, 以下簡稱“IPD”)，包括µPD166023在內的該系列產品面向外部
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大陸IC排名何時不再與“其他”為伍
市場調研機構ICInsights日前公布了2011年全球集成電路銷售額的排名表，北美地區(qū)以占全球53.2%的比例高居榜首，韓國、日本、歐洲以及中國臺灣地區(qū)依次占據(jù)了該排行榜的第二至第五位，位居第六的是一個熟悉而又陌生的面
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國內IC排名何時不再與“其他”為伍
市場調研機構ICInsights日前公布了2011年全球集成電路銷售額的排名表，北美地區(qū)以占全球53.2%的比例高居榜首，韓國、日本、歐洲以及中國臺灣地區(qū)依次占據(jù)了該排行榜的第二至第五位，位居第六的是一個熟悉而又陌生的面
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國內IC排名何時不再與“其他”為伍
市場調研機構IC Insights日前公布了2011年全球集成電路銷售額的排名表，北美地區(qū)以占全球53.2%的比例高居榜首，韓國、日本、歐洲以及中國臺灣地區(qū)依次占據(jù)了該排行榜的第二至第五位，位居第六的是一個熟悉而又陌生
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瑞薩推出低損耗碳化硅功率器件RJS6005TDPP
21ic訊 瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩”）宣布開發(fā)出了肖特基勢壘二極管（SBD）RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——這種材料被認為具有用于功率半導體器件的巨大潛力。這款
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瑞薩推出低損耗碳化硅功率器件RJS6005TDPP
21ic訊 瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩”）宣布開發(fā)出了肖特基勢壘二極管（SBD）RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——這種材料被認為具有用于功率半導體器件的巨大潛力。這款
