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面向隔離DC-DC轉換器的低損耗功率MOSFET (瑞薩科技)
瑞薩科技公司（以下簡稱瑞薩）推出12款第10代、面向服務器、通信設備和工業(yè)設備等應用領域內電源中使用的隔離DC-DC轉換器*1的功率MOSFET產(chǎn)品。新型功率MOSFET在降低開關損耗*2、提高能效的同時，還具有很寬的電壓容差
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新款20V P溝道功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。新款SiA4
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新款20V P溝道功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。新款SiA4
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理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性
通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有正的溫度系數(shù)導通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件，在其內部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒有問題。但是，當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個晶胞單元等效電路模型，就會發(fā)現(xiàn)，上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導通的狀態(tài)下才能成立，而在開關轉化的瞬態(tài)過程中，上述理論并不成立，因此在實際的應用中會產(chǎn)生一些問題，本文將詳細地論述這些問題，以糾正傳統(tǒng)認識的局限性和片面性。
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理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性
通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有正的溫度系數(shù)導通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件，在其內部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒有問題。但是，當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個晶胞單元等效電路模型，就會發(fā)現(xiàn)，上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導通的狀態(tài)下才能成立，而在
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理解功率MOSFET的開關損耗
本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導作用并更加深入理解MOSFET。
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理解功率MOSFET的開關損耗
本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導作用并更加深入理解MOSFET。
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采用射頻功率MOSFET設計功率放大器
1. 引言 本文設計的50MHz/250W 功率放大器采用美國APT公司生產(chǎn)的推挽式射頻功率MOSFET管ARF448A/B進行設計。APT公司在其生產(chǎn)的射頻功率MOSFET的內部結構和封裝形式上都進行了優(yōu)化設計，使之更適用于射頻功率放大器
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采用射頻功率MOSFET設計功率放大器
1. 引言 本文設計的50MHz/250W 功率放大器采用美國APT公司生產(chǎn)的推挽式射頻功率MOSFET管ARF448A/B進行設計。APT公司在其生產(chǎn)的射頻功率MOSFET的內部結構和封裝形式上都進行了優(yōu)化設計，使之更適用于射頻功率放大器
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新型20V P溝道功率MOSFET （Vishay）
該器件在4.5V和2.5V電壓下的導通電阻降低了42%，在1.8V電壓下的導通電阻則降低了46%、TrenchFET® Gen III P溝道技術在每平方英寸的硅片上裝進了十億個晶體管單元 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣
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60V TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用雙面冷卻、導通電阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK®封裝，在10V柵極驅動下的最大導通電阻為6.1Ω，比市場上可供比較的最接近器件減
