臺(tái)積電

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臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司，簡(jiǎn)稱(chēng)臺(tái)積電、TSMC，屬于半導(dǎo)體制造公司。成立于1987年，是全球第一家專(zhuān)業(yè)積體電路制造服務(wù)（晶圓代工foundry）企業(yè)，總部與主要工廠位于臺(tái)灣新竹科學(xué)園區(qū)。2017年，領(lǐng)域占有率56%。2018年一季度，合并營(yíng)收85億美元，同比增長(zhǎng)6%，凈利潤(rùn)30億美元，同比增長(zhǎng)2.5%，毛利率為50.3%，凈利率為36.2%，其中10納米晶圓出貨量占據(jù)了總晶圓營(yíng)收的19%，另外7納米FinFET制程技術(shù)即將量產(chǎn)。截止2018年4月19日，美股TSM，市值2174億美元，靜態(tài)市盈率19。

瑞薩聯(lián)手臺(tái)積電開(kāi)發(fā)40nm閃存混載技術(shù)，MCU業(yè)務(wù)外包加速

繼長(zhǎng)期虧損的SoC之后，瑞薩又加快了利潤(rùn)最高的MCU的外包制造。該公司于2012年5月宣布，將與臺(tái)積電（TSMC）合作開(kāi)發(fā)40nm工藝的閃存混載MCU制造技術(shù)，并委托臺(tái)積電生產(chǎn)。車(chē)載MCU也將成為外包對(duì)象。瑞薩表示，到2016年度

單片機(jī)
2012-06-26

MCU 臺(tái)積電半導(dǎo)體 IDE
張忠謀：積極開(kāi)放等3大優(yōu)先擦亮未來(lái)黃銅十年

臺(tái)積電 (2330)董事長(zhǎng)張忠謀今(25日)出席由聯(lián)合報(bào)系愿景工作室主辦的「關(guān)鍵兩年──為臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)開(kāi)路」高峰會(huì)，和前副總統(tǒng)蕭萬(wàn)長(zhǎng)、前行政院長(zhǎng)劉兆玄對(duì)談，討論臺(tái)灣如何運(yùn)用未來(lái)關(guān)鍵的兩年，來(lái)彌補(bǔ)過(guò)去10年的失落，以達(dá)到

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2012-06-25

鴻海郭臺(tái)銘臺(tái)積電
張忠謀：企業(yè)在各自領(lǐng)域都做好，就能打敗三星

臺(tái)積電 (2330) 董事長(zhǎng)張忠謀今 (25 日 ) 出席由聯(lián)合報(bào)系愿景工作室主辦的「關(guān)鍵兩年──為臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)開(kāi)路」高峰會(huì)時(shí)，對(duì)三星再度發(fā)表意見(jiàn)。他指出，今天大家都講南韓、講三星，而三星也許是臺(tái)積電最厲害的競(jìng)爭(zhēng)者、或者

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2012-06-25

三星 DISPLAY 臺(tái)積電
瑞薩與臺(tái)積電聯(lián)手開(kāi)發(fā)40nm閃存混載技術(shù)，MCU業(yè)務(wù)外包加速

繼長(zhǎng)期虧損的SoC之后，瑞薩又加快了利潤(rùn)最高的MCU的外包制造。該公司于2012年5月宣布，將與臺(tái)積電（TSMC）合作開(kāi)發(fā)40nm工藝的閃存混載MCU制造技術(shù)，并委托臺(tái)積電生產(chǎn)（圖1）。車(chē)載MCU也將成為外包對(duì)象。瑞薩表示，到

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2012-06-25

MCU 臺(tái)積電半導(dǎo)體 IDE
亞德諾與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)

亞德諾(ADI)與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)完成適用于精密類(lèi)比IC的0.18微米的類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)，該平臺(tái)能改善許多元件的類(lèi)比性能，包括可廣泛使用于消費(fèi)性、通訊、電腦、工業(yè)與汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域的A/D(類(lèi)比/數(shù)位)與D/A(數(shù)位/類(lèi)比)轉(zhuǎn)換器

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2012-06-25

微米制程技術(shù) IC 臺(tái)積電
聯(lián)發(fā)科并晨星／外資叫好臺(tái)積日月光利多

聯(lián)發(fā)科宣布千億元合并F-晨星，外資圈一片叫好。巴克萊亞太半導(dǎo)體首席分析師陸行之表示，「新聯(lián)發(fā)科」今年底就可成軍，將增加對(duì)臺(tái)積電的晶圓投片量，而且臺(tái)積電的封測(cè)下游廠商日月光同樣可受惠。不過(guò)，半導(dǎo)體業(yè)者

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2012-06-25

供應(yīng)鏈聯(lián)發(fā)科臺(tái)積電
瑞薩與臺(tái)積電聯(lián)手開(kāi)發(fā)40nm閃存混載技術(shù)，MCU業(yè)務(wù)外包加速

“以前自主生產(chǎn)MCU的意識(shí)過(guò)于強(qiáng)烈了”（瑞薩電子執(zhí)行董事兼MCU事業(yè)本部長(zhǎng)巖元伸一）。臺(tái)積電特殊技術(shù)總監(jiān)Lin Cheng-Ming（左）和瑞薩電子執(zhí)行董事兼MCU事業(yè)本部長(zhǎng)巖元伸一（右）。繼長(zhǎng)期虧損的SoC之后，瑞薩又加快了

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2012-06-22

瑞薩電子生態(tài)系統(tǒng) MCU 臺(tái)積電
ADI與臺(tái)積電合作完成開(kāi)發(fā)0.18微米類(lèi)比制程

美商亞德諾(Analog Devices, Inc.，ADI)以及晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)日前宣布，雙方合作開(kāi)發(fā)完成適用于精密類(lèi)比IC的0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)。這項(xiàng)嶄新的制程技術(shù)平臺(tái)能夠顯著的改善許多元件的類(lèi)比性能，其中包括了

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2012-06-22

微米 ADI TSMC 臺(tái)積電
受地震影響友達(dá)光電三座面板廠停產(chǎn)

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，6月14日，臺(tái)灣地區(qū)液晶面板廠商友達(dá)光電宣布，受到6月13日地震影響，已經(jīng)關(guān)閉了北部三座面板工廠。友達(dá)光電表示，目前正在評(píng)估地震給公司生產(chǎn)線造成的影響。該公司目前是全球第四大液晶面板廠商。這

顯示光電
2012-06-21

面板廠液晶面板友達(dá)光電臺(tái)積電
臺(tái)積電/ADI攜手開(kāi)發(fā)0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)

臺(tái)積電(TSM-US)(2330-TW)與美商亞德諾(Analog Devices Inc.)(ADI-US)今(20)日共同宣布雙方合作開(kāi)發(fā)完成可支援精密類(lèi)比積體電路的0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)。此平臺(tái)適合許多電腦、工業(yè)電子及消費(fèi)性電子產(chǎn)品的應(yīng)用。此

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2012-06-21

微米制程技術(shù) ADI 臺(tái)積電
瑞薩電子與臺(tái)積電合作提升微控制器市場(chǎng)份額

6月20日上午消息，全球最大汽車(chē)微控制器生產(chǎn)商瑞薩電子周二表示，與臺(tái)積電的合作將幫助該公司提升市場(chǎng)份額和營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率。瑞薩電子是豐田等汽車(chē)廠商的供應(yīng)商，該公司微控制器部門(mén)高級(jí)副總裁ShinichiIwamoto表示，計(jì)劃

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2012-06-21

微控制器瑞薩電子 NI 臺(tái)積電
臺(tái)積電/ADI攜手開(kāi)發(fā)0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)

美商亞德諾(ADI)與臺(tái)積電(2330)今（20）日共同宣布，雙方已合作開(kāi)發(fā)完成可支援精密類(lèi)比積體電路的0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)。而臺(tái)積電的0.18微米BCD（Bipolar(雙載子)-CMOS(雙極)-DMOS(擴(kuò)散)，互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體）整

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2012-06-21

微米制程技術(shù) ADI 臺(tái)積電
3D工藝再次引發(fā)IC業(yè)發(fā)展模式之爭(zhēng)

2012年4月23日，英特爾宣布采用3D三柵極晶體管設(shè)計(jì)，最小線寬為22納米的Ivy Bridge微處理器量產(chǎn)成功，并于4月29日開(kāi)始全球銷(xiāo)售。據(jù)公布的資料顯示，該系列CPU擁有14億只晶體管，芯片面積僅為25毫米×25毫米，由于首次

消費(fèi)電子
2012-06-21

晶體管英特爾 IC 臺(tái)積電
瑞薩電子與臺(tái)積電合作提升微控制器市場(chǎng)份額

北京時(shí)間6月20日上午消息，全球最大汽車(chē)微控制器生產(chǎn)商瑞薩電子周二表示，與臺(tái)積電的合作將幫助該公司提升市場(chǎng)份額和營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率。瑞薩電子是豐田等汽車(chē)廠商的供應(yīng)商，該公司微控制器部門(mén)高級(jí)副總裁Shinichi Iwamoto表

消費(fèi)電子
2012-06-21

微控制器瑞薩電子 NI 臺(tái)積電
3D工藝再次引發(fā)IC業(yè)發(fā)展模式之爭(zhēng)

2012年4月23日，英特爾宣布采用3D三柵極晶體管設(shè)計(jì)，最小線寬為22納米的Ivy Bridge微處理器量產(chǎn)成功，并于4月29日開(kāi)始全球銷(xiāo)售。據(jù)公布的資料顯示，該系列CPU擁有14億只晶體管，芯片面積僅為25毫米×25毫米，由于首次

消費(fèi)電子
2012-06-21

晶體管英特爾 IC 臺(tái)積電
瑞薩電子與臺(tái)積電合作提升微控制器市場(chǎng)份額

北京時(shí)間6月20日上午消息，全球最大汽車(chē)微控制器生產(chǎn)商瑞薩電子周二表示，與臺(tái)積電的合作將幫助該公司提升市場(chǎng)份額和營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率。瑞薩電子是豐田等汽車(chē)廠商的供應(yīng)商，該公司微控制器部門(mén)高級(jí)副總裁Shinichi Iwamoto表

消費(fèi)電子
2012-06-21

微控制器瑞薩電子 NI 臺(tái)積電
封測(cè)廠營(yíng)收旺到10月

封測(cè)廠第3季來(lái)勁，包括矽品（2325）、矽格、京元電、臺(tái)星科及欣銓等，均預(yù)期營(yíng)收逐月成長(zhǎng)可延續(xù)至10月。矽品董事長(zhǎng)林文伯樂(lè)觀看第3季半導(dǎo)體景氣，多家封測(cè)業(yè)也力挺林文伯的看法，認(rèn)為在臺(tái)積電、聯(lián)電第3季產(chǎn)能仍然滿(mǎn)

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2012-06-21

功率放大器存儲(chǔ)器臺(tái)積電半導(dǎo)體
臺(tái)積電/ADI攜手開(kāi)發(fā)0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)

美商亞德諾 (ADI)與臺(tái)積電 (2330)今（20）日共同宣布，雙方已合作開(kāi)發(fā)完成可支援精密類(lèi)比積體電路的0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)。而臺(tái)積電的0.18微米BCD（Bipolar(雙載子)- CMOS (雙極)-DMOS(擴(kuò)散)，互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體

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2012-06-20

微米制程技術(shù) ADI 臺(tái)積電
瑞薩電子與臺(tái)積電合作提升微控制器市場(chǎng)份額

全球最大汽車(chē)微控制器生產(chǎn)商瑞薩電子周二表示，與臺(tái)積電的合作將幫助該公司提升市場(chǎng)份額和營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率。瑞薩電子是豐田等汽車(chē)廠商的供應(yīng)商，該公司微控制器部門(mén)高級(jí)副總裁Shinichi Iwamoto表示，計(jì)劃在5年內(nèi)將全球微控

單片機(jī)
2012-06-20

微控制器瑞薩電子 NI 臺(tái)積電
臺(tái)積電有望雙吃超微獨(dú)家代工訂單

超微（AMD）全球資深副總裁與技術(shù)長(zhǎng)馬克（MarkPapermaster）表示，2013年超微制程技術(shù)上將有新的改變，由絕緣層上覆矽（SOI）制程改為28納米塊狀矽（BulkCMOS）制程。市場(chǎng)預(yù)期，臺(tái)積電明年有望雙吃超微部分28納米的A

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-06-18

晶圓代工 AMD 計(jì)算機(jī) 臺(tái)積電

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臺(tái)積電

瑞薩聯(lián)手臺(tái)積電開(kāi)發(fā)40nm閃存混載技術(shù)，MCU業(yè)務(wù)外包加速

張忠謀：積極開(kāi)放等3大優(yōu)先擦亮未來(lái)黃銅十年

張忠謀：企業(yè)在各自領(lǐng)域都做好，就能打敗三星

瑞薩與臺(tái)積電聯(lián)手開(kāi)發(fā)40nm閃存混載技術(shù)，MCU業(yè)務(wù)外包加速

亞德諾與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)

聯(lián)發(fā)科并晨星／外資叫好臺(tái)積日月光利多

瑞薩與臺(tái)積電聯(lián)手開(kāi)發(fā)40nm閃存混載技術(shù)，MCU業(yè)務(wù)外包加速

ADI與臺(tái)積電合作完成開(kāi)發(fā)0.18微米類(lèi)比制程

受地震影響友達(dá)光電三座面板廠停產(chǎn)

臺(tái)積電/ADI攜手開(kāi)發(fā)0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)

瑞薩電子與臺(tái)積電合作提升微控制器市場(chǎng)份額

臺(tái)積電/ADI攜手開(kāi)發(fā)0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)

3D工藝再次引發(fā)IC業(yè)發(fā)展模式之爭(zhēng)

瑞薩電子與臺(tái)積電合作提升微控制器市場(chǎng)份額

3D工藝再次引發(fā)IC業(yè)發(fā)展模式之爭(zhēng)

瑞薩電子與臺(tái)積電合作提升微控制器市場(chǎng)份額

封測(cè)廠營(yíng)收旺到10月

臺(tái)積電/ADI攜手開(kāi)發(fā)0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)

瑞薩電子與臺(tái)積電合作提升微控制器市場(chǎng)份額

臺(tái)積電有望雙吃超微獨(dú)家代工訂單

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