
存儲器需求發(fā)燒,三星電子營收暴增,踢下英特爾(Intel),晉身全球芯片龍頭。
微處理器和單片機(jī)(MCU)從上個世紀(jì)70年代在歐美開始興起,1981年8051單片機(jī)問世,到今天已經(jīng)36年了。從數(shù)量上看,8位單片機(jī)依然是MCU市場的主力,32位MCU已經(jīng)成為今天全球消費(fèi)和工業(yè)電子產(chǎn)品的核心。
這張照片展示了一堆古董內(nèi)存。從上到下是:采用三星顆粒的兩根32M 72針DRAM內(nèi)存,韓國生產(chǎn)。中間是新加坡NCP的256M PC133 SDRAM內(nèi)存。最下面是采用英飛凌顆粒的64M PC133 SDRAM內(nèi)存,葡萄牙生產(chǎn)。其中NCP是新加坡赫克松(Hexon)集團(tuán)的內(nèi)存品牌。赫克松成立于1989年,是德國英飛凌和日本爾必達(dá)的亞太區(qū)總代理,因此采購兩家的DRAM顆粒,到新加坡組裝成內(nèi)存條,然后銷售到中國大陸,靠價格低廉取勝。不過時至今日,德國英飛凌(奇夢達(dá))和日本爾必達(dá),都已經(jīng)破產(chǎn)倒閉。只剩下了韓國三星
最新數(shù)據(jù)顯示,南韓6月份半導(dǎo)體出口價格創(chuàng)下30個月新高,再次證明全球芯片需求持續(xù)成長。
國際研究暨顧問機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)測,2017年全球半導(dǎo)體總營收將達(dá)到4014億美元,較2016年增加16.8%。這將是全球半導(dǎo)體營收首度突破4000億美元大關(guān);2010年時創(chuàng)下3000億美元紀(jì)錄,更早之前則是在2000年時超越了2000億美元。
據(jù)報道,世界的半導(dǎo)體市場此前一直以美韓日廠商唱主角,現(xiàn)在中國企業(yè)正試圖參與進(jìn)來,而中國企業(yè)的巨額投資很有可能成為半導(dǎo)體市場混亂的風(fēng)險因素。
存儲器缺貨和漲價問題一直是電子產(chǎn)品企業(yè)的心頭病,而最近東芝存儲器要延期供貨,美光晶圓半數(shù)報廢,再一次吹響存儲器缺貨大戰(zhàn)的號角。盡管每次缺貨潮都讓三星、海士力等上游廠家賺得盆滿缽盈,但實(shí)際上這也是下游企業(yè)的災(zāi)難。同時,缺貨導(dǎo)致的漲價使市場呈現(xiàn)一片虛假繁榮的景象,但有機(jī)構(gòu)預(yù)測存儲器市場泡沫將于2019年破裂。在泡沫來臨之際,行業(yè)都在期待救世主來戳破這個泡沫,中國能否擔(dān)當(dāng)重任?
據(jù)外媒報道,三星電子二季度初步核實(shí)運(yùn)營利潤達(dá)到14萬億韓元(約合121億美元),同比增長72%,創(chuàng)出歷史新高。這一營運(yùn)利潤不僅超過市場預(yù)期的112億美元(13萬億韓元),還有望再次超過蘋果,成為行業(yè)最賺錢的公司。
SEMI(國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會)“全球晶圓廠預(yù)測”最新報告指出,2017年中國總計有14座晶圓廠正在興建,并將于2018年開始裝機(jī)。2018年中國晶圓設(shè)備支出總金額將逾100億美元,成長超過55%,全年支出金額位居全球第二??傆?017年中國將有48座晶圓廠有設(shè)備投資,支出金額達(dá)67億美元。展望2018年,SEMI預(yù)估中國將有49座晶圓廠有設(shè)備投資,支出金額約100億美元。
今年3月,總部位于臺灣新竹的記憶解決方案制造商 Macronix (旺宏電子)分別提交了美國地方法院訴訟和美國國際貿(mào)易委員會( ITC )投訴。據(jù)臺灣媒體報道,富士康正在與旺宏開展戰(zhàn)略聯(lián)盟,試圖在收購東芝內(nèi)存方面獲得優(yōu)勢。
近日,上海微系統(tǒng)所召開“相變存儲器產(chǎn)業(yè)化獲突破性進(jìn)展”新聞發(fā)布會,會上,上海微系統(tǒng)所執(zhí)行副所長謝曉明致歡迎詞,信息功能材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任宋志棠研究員介紹了“相變存儲器(PCRAM)發(fā)展動態(tài)”。
自旋轉(zhuǎn)移矩-磁隨機(jī)存儲器(STT-MRAM)是一種接近“萬能存儲器”的新型存儲器解決方案,極具應(yīng)用潛力。它既具有接近靜態(tài)存儲器的納秒級讀寫速度,又具有閃存級別的容量,和類似Flash的數(shù)據(jù)斷電不丟失存儲特性。STT-MRAM由于其數(shù)據(jù)以磁狀態(tài)存儲,具有天然的抗輻照、高可靠性以及幾乎無限次的讀寫次數(shù),已被一些國家列為最具應(yīng)用前景的下一代存儲器之一。
隨著應(yīng)用不斷擴(kuò)大,及系統(tǒng)產(chǎn)品內(nèi)建容量持續(xù)擴(kuò)增,今年來半導(dǎo)體硅晶圓、磊晶與內(nèi)存等多項(xiàng)產(chǎn)品市況熱絡(luò),在供應(yīng)持續(xù)吃緊下,各項(xiàng)產(chǎn)品下半年價格依然看漲。
行業(yè)專家認(rèn)為,對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的原因之一在于存儲器子系統(tǒng)。
隨著集成電路制造工藝水平的提高,半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能,為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性,在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯
兆易創(chuàng)新是國內(nèi)存儲器芯片設(shè)計龍頭,公司董秘李紅表示,在國家大力扶持集成電路產(chǎn)業(yè)及芯片進(jìn)口替代加快的趨勢下,集成電路行業(yè)迎來一輪蓬勃發(fā)展期,兆易創(chuàng)新將充分受益于行業(yè)景氣周期。公司在原有NOR Flash市場優(yōu)勢的基礎(chǔ)上,增添了NAND和MCU等新的成長點(diǎn),并將通過收購北京矽成完善公司存儲器版圖。
高性能系統(tǒng)設(shè)計師在滿足關(guān)鍵時序余量的同時要力爭獲得更高性能,而存儲器接口設(shè)計則是一項(xiàng)艱巨挑戰(zhàn)。雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM和4倍數(shù)據(jù)速率SDRAM都采用源同步接口來把數(shù)據(jù)和時鐘(
哈佛結(jié)構(gòu),程序存儲器與數(shù)據(jù)存儲器分開,兩者各有一個相互獨(dú)立的64K(0x0000 ~ 0xFFFF)的尋址空間(準(zhǔn)確地說,內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲器與外部數(shù)據(jù)存儲器不是一回事)。
2017年4~6月的主要電子零組件與材料交易價,以存儲器為中心,包括DRAM等揮發(fā)性存儲器以及NAND Flash與硬盤等非揮發(fā)性存儲器,呈現(xiàn)持續(xù)走揚(yáng),除了智能型手機(jī)與個人電腦(PC)需求外,4K電視與數(shù)據(jù)中心需求也帶動相關(guān)市場。
有數(shù)據(jù)顯示,到2020年,全球數(shù)據(jù)總量將達(dá)到40ZB。而存儲器作為數(shù)據(jù)的基石,市場規(guī)模也隨之不斷擴(kuò)大。存儲器行業(yè)屬于周期性行業(yè)從歷史表現(xiàn)上看,存儲器行業(yè)總是處于交替出現(xiàn)的漲跌循環(huán)之中。存儲器行業(yè)周期特征明顯主