
集成電路產(chǎn)業(yè)是國家信息技術產(chǎn)業(yè)的“心臟”,重要性不言而喻。近年來集成電路成為國家發(fā)展的必爭產(chǎn)業(yè),美國半導體技術全面領先,日本半導體技術水平與美相當,韓國儲存器市場拉動技術水平突飛猛進。中國有何動作?繼2014年后,中國半導體產(chǎn)業(yè)也取得長足進步,但技術、產(chǎn)業(yè)鏈、供應鏈等對外依賴度仍然很高。面對中國巨大的市場規(guī)模、國家安全和新一代信息技術的發(fā)展迫切需要,國家在近幾年先后推出一系列鼓勵政策,大力推動集成電路產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。
日媒稱,中國正式推進設備投資加快半導體國產(chǎn)化,2018年底或?qū)㈤_始提供三維NAND閃存芯片。
ROM和RAM指的都是半導體存儲器,ROM是Read Only Memory的縮寫,RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持數(shù)據(jù),而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù),典型的RAM就是計算機的內(nèi)存。
繼紫光集團董事長趙偉國因工作繁忙將辭去公司董事長職位后,紫光集團又添新動作。4月11日,紫光集團旗下武漢長江存儲基地裝機move in正式啟動。據(jù)悉,完成裝機后,長江存儲將實現(xiàn)32層存儲器小規(guī)模量產(chǎn)。
目前來看,中美貿(mào)易摩擦有所緩和。不過,雙方尚未進入貿(mào)易談判階段,最終事情會如何發(fā)展,尚難判斷。未來存儲器芯片可能會受到一定程度的影響,因為中國是全球存儲器最大的買家。
三星電子與SK海力士在中國生產(chǎn)的半導體免受中美兩國貿(mào)易戰(zhàn)打擊。據(jù)半導體業(yè)界最新消息,特朗普政府日前宣布計劃對1333種中國商品征收25%關稅,但其中不包括閃存與DRAM存儲器。
SEMI近日宣布,中國半導體后道工序使用的封裝設備和材料的市場規(guī)模2017年同比增長23.4%,達到290億美元。由于政府投入巨資,培育半導體產(chǎn)業(yè),中國目前已成為全球半導體最大后道工序市場。
有史以來維持最大成長周期的半導體產(chǎn)業(yè),未來會再繼續(xù)成長嗎?這答案恐怕是肯定的。因為,近日韓國央行在 8 日所發(fā)出的報告指稱,全球半導體產(chǎn)業(yè)的強勁需求趨勢仍會持續(xù)一年,并且呼吁韓國本土的半導體制造商仍應當重點關注非存儲器產(chǎn)品的生產(chǎn),以為未來的發(fā)展做好準備。
我們常說的閃存其實只是一個籠統(tǒng)的稱呼,準確地說它是非易失隨機訪問存儲器(NVRAM)的俗稱,特點是斷電后數(shù)據(jù)不消失,因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲器,分為DRAM和SRAM兩大類,其中常說的內(nèi)存主要指DRAM,也就是我們熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。閃存也有不同類型,其中主要分為NOR型和NAND型兩大類。
復旦大學微電子學院教授張衛(wèi)、周鵬團隊近日實現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件,開創(chuàng)了第三類存儲技術,解決了國際半導體電荷存儲技術中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。北京時間今天凌晨,相關工作以《用于準非易失應用的范德瓦爾斯結(jié)構半浮柵存儲》為題在線發(fā)表于《自然·納米技術》。
FSMC:靈活的靜態(tài)存儲控制器,能夠與同步或異步存儲器和16位PC存儲器卡連接,STM32的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存儲器。
目前不同的供應商在市場上推出多種不同的電源模塊,而不同產(chǎn)品的輸入電壓、輸出功率、功能及拓撲結(jié)構等都各不相同。其特點是可為專用集成電路(ASIC)、數(shù)字信號處理器(DSP)、微處理器、存儲器、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)及其他數(shù)字或模擬負載提供供電。電源模塊雖然可靠性比較高,但有時也可能發(fā)生故障。下面北京穩(wěn)固得電子有限公司電源開發(fā)工程師為大家整理了DC/DC電源模塊的幾種常見故障。
從智能手機、筆記型電腦、以及與各種云端應用相關的服務器,快閃存儲器儲存已經(jīng)在我們的現(xiàn)實世界中無處不在??扉W存儲器技術已經(jīng)如此普遍,我們大多數(shù)人甚至都沒有意識到快閃存儲器技術本質(zhì)上并不是一種可靠的儲存媒介。實際上,快閃存儲器單元的使用壽命有限,快閃存儲器的特性意味著需要強大的磨損平衡(Wear-Leveling)技術以便使其有更好的性能表現(xiàn)。
近日,國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局、國家標準化管理委員會批準《半導體集成電路電壓調(diào)整器測試方法》等 20 項國家標準,并予以公布。據(jù)悉,這 20 項標準將于 2018 年 8 月 1 日實施。
目前最廣泛使用的數(shù)字儲存裝置是硬盤(HDD),但它受歡迎的程度正迅速下滑…數(shù)字數(shù)據(jù)儲存正歷經(jīng)強大的成長態(tài)勢,2016年即已增加到超過10,000艾位元組(Exabyte;EB)或10皆
Kilopass Anti-Fuse NVM OTP IP被瀾起科技采用以瞄準新興市場環(huán)境之新一代機頂盒芯片Kilopass的反熔絲非易失性存儲器OTP IP提供HDMI和條件接收安全密鑰防黑客篡改存儲器,以
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展,人類已經(jīng)進入了超深亞微米時代。先進的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模的芯片上
與其他DSP器件相比,ADAU146x系列具有無與倫比的并行處理性能、靈活性和系統(tǒng)可擴展性。經(jīng)濟高效的150 MHz和300 MHz DSP內(nèi)核為系統(tǒng)設計人員提供了另一種選擇,以滿足傳統(tǒng)應
2017年的存儲器芯片價格是漲翻了,無論是DRAM或是各式快閃存儲器全部都漲,全球前十大半導體廠商中,有5家從事存儲器芯片的設計與制造業(yè)務,產(chǎn)值都水漲船高,基本上都是美國
根據(jù)市調(diào)機構IC Insights最新研究顯示,在1978年至2012年的34年間,DRAM每位元(bit)價格平均每年下跌33%。然而,從2012年到2017年,DRAM平均每位元價格下跌僅為每年3%。此外,2017年全年DRAM價格漲幅達到47%,是自1978年以來最大的年度漲幅,超過了1988年30年前的45%漲幅。