
全球物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)中心、智能家居、便攜設(shè)備等應(yīng)用的發(fā)展不斷豐富著我們的物質(zhì)生活和精神生活,這些應(yīng)用的正常運(yùn)行都離不開半導(dǎo)體數(shù)據(jù)存儲芯片。近年來,隨著市場需求的猛增,存儲芯片影響力不斷增強(qiáng)。
近日,北京航空航天大學(xué)與微電子所聯(lián)合成功制備國內(nèi)首個80納米自旋轉(zhuǎn)移矩——磁隨機(jī)存儲器芯片(STT-MRAM)器件。
在定增計(jì)劃失敗后,紫光集團(tuán)加強(qiáng)了集團(tuán)內(nèi)資源整合的力度,以期加快推進(jìn)存儲器的發(fā)展計(jì)劃。日前,紫光國芯發(fā)布重大資產(chǎn)重組進(jìn)展公告,將以增資的方式收購存儲器生產(chǎn)廠商長江存儲全部或部分股權(quán)。這顯示出紫光集團(tuán)未來將以上市公司紫光國芯作為平臺,布局存儲器這個重點(diǎn)業(yè)務(wù)領(lǐng)域。
根據(jù)中國海關(guān)總署公布的數(shù)據(jù),中國3月從韓國進(jìn)口額為142.59億美元,同比增長7.3%,環(huán)比增長9.8%;中國對韓出口額為93.0229億美元,同比增長13.7%,環(huán)比增長41.8%。自去年11月起,韓國對華出口規(guī)模連續(xù)5個月保持增勢。
大陸全力扶持的國家級半導(dǎo)體芯片大廠紫光集團(tuán),即便在過去一段時間海外收購交易屢屢碰壁,但仍不減該公司躋身為全球領(lǐng)先芯片大廠的雄心壯志。在與日經(jīng)新聞(Nikkei)的專訪中,紫光集團(tuán)董事長趙偉國有信心讓該公司在2020年前追近全球前兩大行動芯片供應(yīng)商高通(Qualcomm)、聯(lián)發(fā)科(MediaTek);并將目標(biāo)設(shè)在10年內(nèi)躋身全球前五大存儲器芯片制造商之列。
圍繞東芝半導(dǎo)體計(jì)劃出售的存儲器業(yè)務(wù),美國投資基金科爾伯格·克拉維斯(Kohlberg Kravis Roberts,簡稱:KKR)和日本官民合資基金產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)將攜手參與招標(biāo)手續(xù)。由于《反壟斷法》等的制約較少且擁有豐富的資金實(shí)力,圍繞東芝潛力業(yè)務(wù)的招投標(biāo)預(yù)計(jì)以這兩家公司為核心推進(jìn)?,F(xiàn)有投標(biāo)企業(yè)也在摸索合作,日美基金聯(lián)盟的凝聚力正在提高。二次招標(biāo)預(yù)計(jì)進(jìn)行到5月中旬,各公司的意圖仍處在相互交錯的狀態(tài)。
夏普(Sharp)決定與鴻海一起參與東芝存儲器(Toshiba Memory)的股權(quán)標(biāo)售案,這是因?yàn)槿毡菊畵?dān)心鴻海與大陸官方關(guān)系太深,因此鴻海邀請?zhí)O果(Apple)與SoftBank等廠參與合作,現(xiàn)在加上日本的夏普,希望化解日方疑慮。
全球存儲器龍頭大廠針對3D NAND Flash開始全力強(qiáng)化其戰(zhàn)力,包括韓系龍頭的三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、日系東芝(Toshiba)、美系美光(Micron)、英特爾(Intel)等,3D NAND可望在2017年下半放量生產(chǎn),熟悉后段封測業(yè)者表示,估計(jì)2017年第3季NAND Flash供需緊繃市況可望稍微緩解,價(jià)格漲勢回穩(wěn),而進(jìn)入3D NAND時代后,存儲器封測業(yè)者中,又以力成最為受惠。
紫光國芯股份有限公司(下稱“紫光國芯”)發(fā)布公告表示,擬以發(fā)行股份的方式收購長江存儲科技控股有限責(zé)任公司(下稱“長江存儲”)全部或部分股權(quán)。資料
為了保證程序能夠連續(xù)地執(zhí)行下去,CPU必須具有某些手段來確定一條指令的地址。程序計(jì)數(shù)器PC正是起到了這種作用,所以通常又稱其為指令地址計(jì)數(shù)器。
存儲產(chǎn)品的價(jià)格上漲已經(jīng)快一年時間,這節(jié)奏有點(diǎn)類似同期的樓市,不過,不同之處在于,后者有調(diào)控干預(yù),而前者則是完全市場行為。來自Gartner的一份報(bào)告稱,就他們掌握的資料來分析,看大是存儲器的降價(jià)只會發(fā)生在2019年。
根據(jù)中國媒體的報(bào)導(dǎo),有消息人士指出,紫光集團(tuán)旗下的長江存儲技術(shù)公司(YMTC)目前正在規(guī)劃開發(fā)自己的 DRAM 存儲器制造技術(shù),而且可能直接進(jìn)入當(dāng)今世界最先進(jìn)的 20/18 納米的制程中。
根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢(TrendForce)最新研究指出,受到 2017 年搭載 OLED 面板的智能手機(jī)數(shù)量大幅增加,以及 TDDI 技術(shù)所需 NOR Flash 產(chǎn)能提升的帶動,加上如美光、兆
雖著近來資料存儲的需求飆升,全球存儲器制造商產(chǎn)能引發(fā)供應(yīng)瓶頸,正在經(jīng)歷超級周期。包括 NAND Flash 和 DRAM 存儲器價(jià)格漲幅接近 50% 到 60%,市場報(bào)價(jià)還在持續(xù)上揚(yáng)。這情況也帶動日前連跌落低谷的編碼型快閃存儲器 (NOR Flash) 觸底反彈,漲幅出乎市場預(yù)料,且正在加速上漲。
英特爾公司(Intel Co., INTC)已開始交付根據(jù)新技術(shù)生產(chǎn)的第一批存儲器產(chǎn)品,公司希望該技術(shù)能夠重塑計(jì)算器存儲器市場,并讓自己從科技領(lǐng)域的數(shù)據(jù)爆炸中獲益更多。
2017年3月13日,在上海慕尼黑電子展的前夕舉辦了“汽車電子日”,會議現(xiàn)場異常火爆,全國各地的工程師匯聚一堂,共同見證汽車電子的過去,共謀汽車電子發(fā)展的未來。其中,ISSI技術(shù)市場經(jīng)理田步嚴(yán)在會上做
平面DRAM是內(nèi)存單元數(shù)組與內(nèi)存邏輯電路分占兩側(cè),3D Super-DRAM則是將內(nèi)存單元數(shù)組堆棧在內(nèi)存邏輯電路的上方,因此裸晶尺寸會變得比較小,每片晶圓的裸晶產(chǎn)出量也會更多;這意味著3D Super-DRAM的成本可以低于平面DRAM。
編按:這是第幾篇關(guān)于東芝出售的文章了,其核心就是不想把東芝賣給中國,怕技術(shù)外流中國,日本政府覺得美國是最適合的出售選擇。國芯當(dāng)自強(qiáng)呀,希望在未來不長的時間里,中國的高精尖技術(shù)能和其他技術(shù)強(qiáng)國一樣強(qiáng)大。
日前日本雜志曾報(bào)導(dǎo),日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省干部表示,為了避免東芝(Toshiba)半導(dǎo)體技術(shù)外流到中國,因此希望東芝半導(dǎo)體事業(yè)不要賣給鴻海。而根據(jù)日本媒體最新取得的資料顯示,東
目前正在沖刺 Nor Flash 產(chǎn)能與制成的利基型存儲器廠商華邦電,7 日同時公布 2017 年 2 月份營收,也宣布與德國工業(yè)自動化解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商西門子簽署客戶品質(zhì)合約,成為西門子的存儲器供應(yīng)商。